Ассесоров

Номер патента: 656432

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ассесоров, Булгаков, Горохов, Кожевников, Кочетков

МПК: H01L 29/70

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

...во входную цепь транзистора. Поэтому при конст 5 10 15 20 25 30 миссные решения, в результате чего возможности транзисторной структуры в отношении мощности рассеивания и выходных эксплуатационных параметров в полной мере не реализуются.Вместе с тем при работе транзистора центральная часть каждой ячейки структуры и центральная часть всего кристалла нагреваются сильнее вследствие того, что теплообмен крайних участков происходит более интенсивно, и они лучше охлаждаются,В результате на кристалле всегда существуют тепловые пятна-участки с более высокой температурой. Существование их и экспоненциальной зависимости тока эмиттера от температуры способствуют возникновению положительной обратной связи, приводящей к тому, что наиболее нагретые...