Способ коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК ПИС Е ИЗОБРЕТЕН Л 4г Щ еГГес- рЬУ,1. Час.5, 155.г И.Агпс 1 г, оЙ ргох- гяЫе ГЬе ос, оЕ щ 1981",ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(71) Институт физики твердоАН СССР(56) СЬапя Г.Н.Р., Ргохв1 дп е 1 есггопЬеав йгйодгаБс 1, Таппо. 12, 1271, 197Е,Ргоясйе, В.Епегпапс 1Н.Т.Ч 1 егйаия, Меаяцгетпепгадгу еггесг рагашегегя опйгесг.ГУ ехрозео агеа. Рг"Мдсг 1 с геидг ещ Ьеег 1с,45, 1.аияаппе, 1981. 801145847. А(54) (57) СПОСОБ КОРРЕКЦИИ ЭКСПОЗИЦИИПРИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ,включающий нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста и определение доз экспонирования, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью увеличения точности и упрощения процесса,экспонирование проводят с линейнонарастающей дозой до получения тестовой структуры прямоугольной формы,после чего экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постояннойдозой.Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов.Известен способ коррекции экспозиции, основанный на определении функции рассения электронов, включающий нанесение на подложку резиста,экспо - нирование пучком электронов Структу - ры в виде квадратов с различной длиной стороны, проявление резиста,причем экспонирование проводят множество раз,варьируя дозу экспонирования, а после проявления резиста опреде 10 ляют дозы, при которых квадратыкаждого вида проявились до подложки,и по найденным данным строят кривую рассеяния электронов. Наиболее близок способ, включающий нанесение резиста на подложку, экспонирование тестовой структуры из множества рядов одинаковых квадратов на большом расстоянии друг от жруга, с увеличением дозы экспонирования от ряда к ряду в 1,044 раза,25 проявление резиста и определение доз эксп онирования, при которых в точках между квадратами и между рядами квадр атов р езист проявился до подложки, пос - ле чего на основании этих данных проводят расчет параметров функции рассеяния,55 Данный способ исходит из заданного аппроксимированного вида функции рассеяния и позволяет найти лицтт, тзараметры аппроксимации, к тому же обладает высокой сложностью и недоста точной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса.45 Цель достигается тем, что в известном способе коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение ревиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста,и определение доз экспонирования, экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения теса.овой структу.ры прямоугольной формы, после чего 55 экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой,Недостатком этого метода является невысокая точность. 1 ос кольку в р езисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой структуры прямоугольной Формы, то после проявления граница резиста (линия с суммарной дозой облучения До, необходимой для проявления резиста до подложки) представляет собой явный вид функции рассеяния электронов. Для удобства определения численного значения величиныдозы экспонирования рядом с клином экспонируют метки отсчета. Точность полученной функции рассеяния при постоянных условиях нанесения реэиста и прявления определяется точностью измерения дозы экспонирования и разрешением резиста и не зависит от конкретного закона нарастания дозы при экспонировании прямоугольтт ной тестовой структуры, посколькупри его изменении меняется только масштаб получаемого рисунка. Ограничение на размер экспонируемой прямой линии в О, 1 мкм определяется наглядностью получаемой картины. Экспериментально установлено, что наиболее приемлемыми размерами линии является 0,1 мкм и менее,При данном способе экспонирования полученная функция представляет собой функцию рассеяния линии, что упрощает определение скорректированных доз экспонирования, Например, при расчете доз периодических структур двумерная задача коррекции сводится к одномерной.П р и м е р, На кремниевую подложку наносят резист ЭЛПтолщиной О,З мкм, Электронным лучом с энергией 30 кэВ экспонируют тестовую структуру прямоугольной формы, вдольбольшей стороны которой доза экспонирования линейно увеличивается от-50 до величины Д= 2,8 10 к/см, образуя, таким образом, прямоугольный клин экспозиции. По клину экспозиции вдоль большей его стороны экспонируют грямую линию с дозой облучения 2,8 10 к/см, Расстояние между метками 10 мкм соответствует уве личению дозы на 8,8 10 к/см, 11 тирина клина экспозиции 20 мкм, длина 300 мкм, ширина линии О, 1 мкм. Резист проявляли в смеси МЭК: ИПС 1:3 в течение 50 с,1145847 СоставительРедактор Л.Письман Техред М,Пароцай Корректор М.Максимишинец Заказ 8555/5 Тираж 678 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Таким образом, полученный способпозволяет корректировать экспозициюна основе полученной в явном виде функции рассеяния электронов, в результате чего точность врэрастаетпри одновременном упрощении процесса