Силовой управляемый кремниевый вентиль
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) ц 4 НИ ящего на повер слой п -типа.2 Прибор сть ск ч а л иль по и,1,м, что,ень- про- рибо я щ нс ь11 ов,базы, выхо служащую в сть р-тип ра, на ь ве дящую н качеств ктрод управляюще щитное оки ЛЯЕМЫЙ слойной т л и ч ак ольцо2, отло, с цел сено 3. Прибо чающий повышения г р по пп, с я тем ибкости и загрязнен од прибор ого свинц улучшенияй, внутренний выполнен в ви лью п очистки от силовой выв де коническ цельным хво лючения припервый н с внутр-типа, вы ого стакана и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) 1, СИЛОВОЙ УПРАКРЕМНИЕВЫЙ ВЕНТИЛЬ четырструктуры р-п-р-о-типа,ю щ и й с я тем, что, свышения напряжения перекбора и его стабильности,переход структуры выполиренним шунтом в виде сло ения напряжения управления и ения технологии изготовления20 30 СоставительРедактор Л.Письман Техред Л.Мартяшова Корректор А,Обручар Заказ 8133/3 Тираж б 78. Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 2345Изобретение относится к областиполупроводниковых приборов,Основой полупроводникового управляемого вентиля является структурас четырьмя чередующимися слоями 5р- и и -типа проводимости, с выводомот одного из внутренних слоев,Предлагаемая конструкция Р -п-,р-пструктуры позволяет технологическипросто создать вентили с малыми 10величинами прямого падения напряжения при номинальном токе и высокиминапряжениями загибаи переключения,причем напряжения переключения почтине зависят от температуры, мощность 15управления мала из-за малого напряжения управления.На чертеже изображена структурапредлагаемого вентиля, где 2 3,35, р-переходы.Для создания полупроводниковойструктуры из специального источника на воздухе производится диффузия бора в о-кремнии, При 1300 Собразуются достаточно глубокие 25(х =35-60 мк) переходы 3 и Ээ скойцентрацией атомов бора на поверхности "-, 1:3 .10 8 см. На внешнюю поверхность перехода 1 ь напыляетсяводный раствор борной кислоты иооплавляется при 1250 С, Из полученного таким образом борсиликатногостекла идет насыщение поверхностного слоя кремния до концентрации5" 10 - 1 10 см. (Окисный слойна внешней поверхности перехода 3221 2предохраняет от повышения концентрации). Таким образом, в р-слоеперехода Э 5 концентрация атомовбора у поверхности резко увеличиваетсяТакая конструкция перехода упозволяет упростить технологию(так как переходы 3 и 3 изготовляются одновременной диффуэией из источника с пониженной и контролируемой концентрацией) и в то же времяполучить хороший омический контактс р-слоем перехода Э 5,Затем производится диффузия фосфора во внешний р -слой перехода 3,причем путем использования окиснойзащиты предохраняется от диффузиифосфора внешний р-слой перехода эи участки, служащие для внутреннейшунтировки перехода 3 и выводауправляющего электрода (базы),После этого кислотостойкой эмальюнаносится защитное кольцо на местовыхода базы на поверхность, предохраняющее от закорачивания вышеддший на поверхность р -п-переход,разделяющий базу и эмиттер. При такой конструкции вывода базы на границе раздела база-эмиттер нет необходимости в вытравливании канавки, Это приводит к упрощению технологии изготовления и снижает величину напряжения управления.Для герметизации предлагаемыхуправляемых вентилей в качествевнутреннего силового вывода служитсвинцовый конический стакан,
СмотретьЗаявка
0951026, 10.04.1963
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ АН СССР, ЗАВОД "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ"
ГРЕХОВ И. В, КРЫЛОВ Л. Н, ЛИНИЙЧУК И. А, ТУЧКЕВИЧ В. М, ЧЕЛНОКОВ В. Е, ШУМАН В. Б
МПК / Метки
МПК: H01L 29/74
Метки: вентиль, кремниевый, силовой, управляемый
Опубликовано: 23.12.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-234521-silovojj-upravlyaemyjj-kremnievyjj-ventil.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Силовой управляемый кремниевый вентиль</a>
Способ автоматического контроля состояния поверхности слоя окатышей в зоне обжига конвейерной машины
Номер патента: 457020
Опубликовано: 15.01.1975
Авторы: Бережной, Бокатий, Гончаров, Даньшин, Кононенко, Миллер, Подопригора, Шаповалов
МПК: G01N 25/02
Метки: зоне, конвейерной, обжига, окатышей, поверхности, слоя, состояния
...и рег 2ламентируется технологической картой в зависимости от типа концентрата, заданной основности и типа флюсующих добавок, При существующих способах контроля невозможно получать объективную информацию о состоянии поверхности слоя в зоне обжига, что затрудняет ведение процесса в оптимальном режиме.Предлагаемый способ контроля состояния поверхности слоя окатышей в зоне обжига основан на одновременном измерении и сравнении температуры газов под слоем и радиационной температуры слоя, что повышает производительность установки и обеспечивает получение окатышей высокого качества.Истинная температура материала определяется по формуле457020 Тн=Т,+ЛТ,Составитель С. Беловодченко Техред Г. Дворина Корректор Т. Добровольская Редактор Л. Тюрина...
Способ определения типов излучательных переходов в полупроводниках
Номер патента: 423217
Опубликовано: 05.04.1974
Авторы: Дмитриев, Евстропов, Калинина, Ордена, Царенксш, Чиабришвилн
МПК: H01S 3/00
Метки: излучательных, переходов, полупроводниках, типов
...и одновременно зависимость проводимости полупроводника от температуры.Недостатком известного способа является неточность определения типа излучательных переходов, особенно в тех случаях, когда зависимость интенсивности люминесценции от температуры полупроводника отличается от экспоненциальной,Целью изобретения является повышение точности процесса определения. Согласно изобретению, эта цель достигается измерением интенсивности спектральных полос фотолюминесценции при двух вариантах возбуждения. При первом варианте длина волны возбуждающего света выбирается такой же, как и при известном способе. При втором варианна волны выбирается такой, чтобывозбуждающих фотонов была меньшезапрещенной зоны, но больше, чем5 фотонов Йъизлучаемых при...
Способ изготовления мощных вч транзисторных структур
Номер патента: 705924
Опубликовано: 30.10.1993
МПК: H01L 21/02
Метки: мощных, структур, транзисторных
...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...
Способ шлифования криволинейных поверхностей торцевой поверхностью круга и приспособление для шлифования по этому способу архимедовой спирали
Номер патента: 70554
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Веннер
МПК: B24B 1/00, B24B 19/08
Метки: архимедовой, криволинейных, круга, поверхностей, поверхностью, спирали, способу, торцевой, шлифования, этому
...круга и проходящей (на фиг. 1) через точку В.Предлагаемое приспособление для шлифования собрано на основной плите 4 (фиг. 3), снабженной цапфой 1 (точка В на фиг, 1) и имеющей направляющий паз 5 (фиг. 3 и 4) (ось А,А, на фиг. 1), по которой перемещается палец 3 (точка С на фиг, 1). Цапфа 1 расположена по оснаправляющего паза б в плоскости торца шлифовального круга 2. На цапфу 1 насажена поворотная плита б, несущая на себе салазки 7. Эги салазки во время работы двигаются вдоль направляющих поворотной плиты б (по оси А-А на фиг. 1). На салазках 7 смонтирован шпиндель 8 (полюс О на фиг. 1), несущий обрабатываемое изделие 9. Вращением винта 10 (фиг. б) осуществляется перемещение ползуна 1 (фиг, 5) поперек салазок 7, Движение ползуна...
Пресс-форма для напрессовки порошкового слоя на поверхность детали
Номер патента: 1691115
Опубликовано: 15.11.1991
Автор: Финаев
МПК: B29C 43/18
Метки: детали, напрессовки, поверхность, порошкового, пресс-форма, слоя
...что они консольно выступают из них, а центральное отверстие опорного диска 9 располагается соосно стержню-игле 1. После этого на торцовую опорную поверхность 8 втулки 5 устанавливают нижнюю часть 11 разъемной матрицы, выполненную в виде полой ступенчатой крышки, у которой нижняя охватывает опорный диск 9, образуя нижнюю формующую полость 14, в которую засыпают расчетную нижнюю навеску порошка. Затем на верхнюю ее ступень устанавливают обрабатываемую деталь 3 с центральным сквозным отверстием, в частности переходный фланец, на которую сверху надевают верхнюю часть 13 разъемной матрицы, выполненной в виде полой ступенчатой крышки, При этом нижняя ступень крышки 13 охватывает деталь 3 сверху, а во внутренней полости верхней ступени над...
Предыдущий патент: Дисковый экструдер для переработки полимерных материалов
Следующий патент: Способ получения битума
Случайный патент: Минерало-керамический сплав из глинозема