Патенты с меткой «эттингсгаузена»

Номер патента: 828269

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Агаев, Алиев, Араслы

МПК: H01L 37/00

Метки: материал, холодильника, эттингсгаузена

...удельное Добротность опр ость температурра Целью изобрете ние эффективност счет повышения тнос пи. овышеия задобротЗО вал я является преобразовмомагнитной Изобретение о ным устройствам, холодильной техн получения темпе 300 К.Известны материалы Пельтье-Этти,нгсгаузена, основе гальванотермом та 1. Указанная цель дос материал для холодильн на, работающего в об 200 - 300 К, имеет сост 5 х=1 - 2 10 з. На чертеже представ. ратурных зависимостей добротности В 1 - Ы и пр риала при значении на нитного поля Н = 10 кЗ. Характеристикой вещ щей пригодность его для тингсгаузена, является ве нитной добротности 2,5ля многих полупроводников в интер 200 в 3 К термомагнитная доброт, Курасова Редант Заказ 574/514 Изд Ца 357 Тираж 784ЧПО Поиск...

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...