Патенты с меткой «халькогенидных»

Способ получения халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 460255

Опубликовано: 15.02.1975

Авторы: Камарзин, Короткевич

МПК: C03C 3/00

Метки: стекол, халькогенидных

...с целью удалония избьпка селена и гомогонизации расплава. Продукт реакции охлаждают в 15 выключенной печи. Выход селена 24,1 г. Со.став отвечает стехиометрии Азе 51,. зоорегения упрощение процес 20 Способ получения халькоганигдных стеколпутем плавления шихты, гомогенизации и последующего охлаждения расплава, отличаои 1 ийся тел, что, с целью упрощения процесса, плавление шихты осуществляют в откры там сосуде при избыпке халькогенида5 - 15% гыротив стехиаметрии при 200 в 4 С в течение 1,5 - 2 час, гомогенизацию рааплава ведут в течение 2 - 3 час при 450 в 5 С, а охлаждают его до комнатной температуры в 30 течение 3 - 4 час. ение относится к получению хальстекол и предназначено для голоспособ получения халькогенидпутем плавления шихты,...

Способ получения халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 550351

Опубликовано: 15.03.1977

Авторы: Аполлонов, Виноградова, Дембовский, Калашников, Свинтицких, Тимофеева, Фекличев

МПК: C03C 3/12

Метки: стекол, халькогенидных

...порошка запрессовывается в графитовый нагреватель, который затем помещается в камеру вы 2сокого давления. После создания в камере давления 40 кбар производится постепенный нагрев до 400 С в течение 1 мнн. Затем быстро снижается температура (за 3 - 4 сек) н сни мается давление.Полученный продукт после извлечения изконтейнера исследуют различными методами: дифференциально-термическим, рентгенофазовым и микроскопическим в электронном н оп- О тическом микроскопах.Стекла, полученные таким способом, обладают свойствами, характерными для стекло- образного состояния (отсутствие линий на рентгенограммах, изотропность в отраженном 5 свете, гомогенность при электронно-микроскопическом исследовании, эффекты кристаллизации на термограммах).П р и м...

Устройство для измерения коэффициентов термоэдс халькогенидных полупроводниковых термоэлектрических материалов

Загрузка...

Номер патента: 555463

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Лященок, Плехоткина, Стрекопытова, Федоров

МПК: H01L 21/66

Метки: коэффициентов, полупроводниковых, термоэдс, термоэлектрических, халькогенидных

...внутри З 0которого асимметрично располагается измерительная ячейха, создает осевой градиенттемпературы и стабилизирует температурноеполе. Экраны 1 1 устраняют конвекционныепотоки газа, стабилизируя температурное 85поле.Последовательность работы с устройствомследующая,Размельченное исследуемое вешество загружается в измерительную ячейку через от 40верстие, которое закрывается графитовой пробкой 9. Затем ячейку помешают внутрь разъемного блока 10, Камеру 12 вакуумируют и заполняют очищенным от кислорода инертным газом.Исследуемое вещество расплавляют при помо 45ши нагревательной печи 13. Осевой градиенттемпературы устанавливается перемещениемпечи вдоль вакуумного колпака, а рабочаятемпература - выбором необходимой м ощности печи. После...

Способ получения растворов халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 645946

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Дмитриев, Дойников, Дорош, Кириленко, Мигалина, Щелоков

МПК: C03C 23/00

Метки: растворов, стекол, халькогенидных

...нанагревание смеси, Экспериментальноустановлено, что полное растворениенавески стекла занимает не более2 час,645946 Формула изобретения 26Составитель О.СамохинаТехред И,1 Борисова Корректор И."(упица Редактор И,Квачадэе Ба 1 саз 50/18 .Хираж 555 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по Делам иэобрйте 11 ии и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская нс 1 б, д,4/5Филиал ППП патент, г.ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение поясняется конкретными примерами.П р и м е р 1. Халькогснидное стекло состава Аб Б 1,5 3 0,2 в количестве 1 г помещают в пробирку со шлифом объемом 10 мл и заливают в нее 5 мл (4,3 г) пирролидина. Пробирку плотно закрывают пробкой со шлифом и периодически взбалтывают. Через 2 час стекло растворяется с образованием...

Способ изготовления халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 785236

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Борисова, Бычков, Власов, Горина, Михаль

МПК: C03B 5/16

Метки: стекол, халькогенидных

...и в промышленных ус 5ловияхИзвестен способ получения халькогенидного отекла путем плавления при 12000 С в запаянной ампуле с вакуумом-310 мм рт. ст., выдержки 1 ч и после. дующей теплообработки 1,1. Этот способ, применимый для стекол, не содержащих железо, обеспечивает пропускание ИК лу- чей в диапазоне рлин волн 20 мкм, не обеспечивая получения стекла с нитратной15 функцией. Известен также способ получения халькогенидного стекла с добавками железа, никели, кобальта для мембран, селективных к катионам Го иСц 2, путемФ 3 12 вакуумного плавления при 900 С, охла 0 ящетуя и последующего отжига при 200 С а; 2Получить таким способом электрод для определения нитрат-иона в растворе не удалось.Белью изобретения является получение стекла с...

Способ определения температурыкристаллизации халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 851221

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Боровов, Воронков

МПК: G01N 25/02

Метки: стекол, температурыкристаллизации, халькогенидных

...на Фиг. 2 - форма записи самописца,по которой устанавливают момент фазового переходами на фиг. 3- записи сигналов, показывающие, что излучение оптического диапазона наблюдается лишь в момент кристаллизации;й на фиг. 4 - блок-схема установки для осуществления предлагаемого способа, когда материал имеет вид порошка; на фиг. 5 - то же, без удаления стеклообразных пленок с подложки. 33Схема реализации предлагаемого способа включает пластину 1 исследуемого вещества, осветитель 2, Фото- приемник 3, нагреваемый столик 4, усилитель 5, самописец 6 и термопа О ру 7, регистрирующую"температуру столика. Самописец 6 записывает линию 8 температуры и линию 9 интенсивности отраженного света.Согласно предлагаемому способу образец нагревают и измеряют...

Состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов

Загрузка...

Номер патента: 941434

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Головей, Мудрый, Некрасова, Тешнеровский

МПК: C30B 33/00

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, состав, тройных, халькогенидных

...в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый аммоний. 3Двухромовокислый калий 0,02Серная кислота ОстальноеОбразцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14 а класса и класса чистоты Р 1 У, Затеи образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор, Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2 Ф С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе ИИИ. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.П р и м е р 2Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый...

Травитель для халькогенидных стекол (его варианты)

Загрузка...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Днепровский, Мамедов, Михайлов, Яковук

МПК: C30B 29/46, H01L 21/302

Метки: варианты, его, стекол, травитель, халькогенидных

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Способ асадова м. м. изготовления халькогенидных таллиевых электродов

Загрузка...

Номер патента: 1427278

Опубликовано: 30.09.1988

Автор: Асадов

МПК: G01N 27/30

Метки: асадова, таллиевых, халькогенидных, электродов

...2 г, измельчают в фарфоровой ступке и сразу же измельченный в порошок сплав запрессовывают в виде таблетки диаметром 6 мм и толщиной 8 мм на молибденовый токоотвод диаметром 15 0,6 мм пресс-формой под давлением 45 МПа.Далее полученный электрод-сплав вводят в измерительную электрохимическую ячейку, состоягцую из стекла пирекс, последнюю вакуумируют до 1 ОПа. Ячейку с электрод- сплавом помещают в электропечь и температуру печи поднимают до 490 К, которая составляет 0,98 температуры плавления сплава, и проводят термообработку электрод- сплава при этой температуре в течение 80 ч. Затем ячейку извлекают из печи 25 и сразу же охлаждают погружением ее в сосуд с жидким азотом. Далее измерительную ячейку, содержащую электрод- сплав,...

Способ формирования профиля показателя преломления в волоконных световодах и планарных волноводах из халькогенидных стекол

Загрузка...

Номер патента: 1753440

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Пономарь, Чербарь, Черний

МПК: G02B 6/00, G02B 6/10

Метки: волноводах, волоконных, планарных, показателя, преломления, профиля, световодах, стекол, формирования, халькогенидных

...при получении волноводных элементов для оптоэлектронных систем передачи и обработки информации. Цель изобретения - уменьшение оптических потерь, повышение стабильности параметров. Формируют профиль показателя преломления в волоконных световодах и планарных волноводах из халькогеййдных стекол непосредственно после йэготовления и затем в вакууме или инертной атмосфере наносят защитное покрытие на поверхность волоконного световода или планарного волновода. 3 ил,Способ осуществляется следующим образом.Предварительно полученный в темноте в инертной атмосфере или вакууме волоконный световод или планарный волновод иэ халькогенидного стекла облучается оптическим излучением, близким к краю собственного ггоглощения халькогениднбго...

Способ получения пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 2005103

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Байдаков, Блинов, Громова, Каратаев, Оркина, Прокофьев

МПК: C03C 3/32

Метки: основе, пленок, полупроводников, стеклообразных, халькогенидных

...в газовую фазу, Металлы остаются в исходном материале, не расходуясь,В таблице приведены конкретные составы исходных сплавов и свойства полученных пленок,Равномерное распределение атомов металла, находящегося в исходном стекло- образном материале на уровне размеров молекулярных форм газовой фазы, более надежно и эффективно регулирует состав компонентов паровой фазы. чем порошки серебра и меди в известном способе получения пленок, Наличие в исходном материале химически чистого металла позволяет получить пленку высокой стенки чистоты и однородности, не содержащую оксидных и оксихалькогенидных соединений, от которых ухудшаются свойства пленок, получен ных по известному техническому решению.,Материалы выполняют роль своеобразного...

Способ изготовления мишени для распыления халькогенидных стеклообразных материалов в вакууме

Номер патента: 1401918

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Лантратова, Любин

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, мишени, распыления, стеклообразных, халькогенидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного...