Аукштуолис

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...

Номер патента: 622171

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Аукштуолис, Левитас

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающее, полупостоянное

...через разделительные элементы к исполнительному блоку.Источники переменного магнитного поля выполнены в виде встречно соединенных катушек с концентраторами магнитного потока,Схема предложенного ППЗУ представлена на чертеже.Устройство содержит источники переменного магнитного поля в виде встречно соединенных катушек 1 с концентраторами 2 магнитного поля, карту 3 с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов и магниточувствительные элементы 4. Магниточувствительные элементы 4 расположены с одной стороны карты 3, а источники переменного магнитного поля - с другой ее стороны. Магниточувствительные элементы подключены через нагрузочные резисторы 5 к источнику 6 питания и через разделительные элементы 7 к исполнительному...

Номер патента: 444982

Опубликовано: 30.09.1974

Авторы: Аукштуолис, Вальтас, Виленчикас, Левитас

МПК: G01P 15/105

Метки: вала, вращения, неравномерности

...расстоянии три полупроводниковых потокочувствительцых элемента 4 (например, гальвацомагциторекомбинационные элемец ты), подключенные через резисторы к источнику 5 постоянного тока п через усилители 6 мощности к обмоткам 7 ротора 8 тахогецератора, который жестко сосдцпен с контролируемым валом, полупроводниковый потокочувствцтельцый элемент 9, расположенный в выточке статора 10, ц регистрирующий прибор 11.Прц вращении контролируемого вала на каждый элемецт воздействует поле магнита 3, вращающегося вместе с валом. Выходные сигналы с элементов 4, сдвинутые по фазе на 120, усиливаются по мощности в усилителях 6 ц поступают на обмотки ротора. Прп этом создается магнитное поле, вращающееся в направлеццц, противоположном цаправле. нию...