Катанухин

Номер патента: 1148006

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Катанухин, Медведев, Петров, Скрыльников

МПК: G01N 22/00, H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...носителей заряда.Целью изобретения является измерение подвижности свободных носителей заряда.Поставленная цель достигается тем, что в датчик электрофизических параметров полупроводников, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор,на одной.из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного штыря, а также элементы связи цилиндрического СВЧ- резонатора, с СВЧ-генератором и индикатором, введен соленоид, который охватывает ципиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверстия и установлен соосно с индуктивным штырем.Торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.Торцовая...

Номер патента: 788039

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Берзин, Катанухин, Медведев, Петров

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, образцов, параметров, цилиндрических, электрофизических

...части внутреннего проводника 2.Датчик работает следующим образом.Исследуемый цилиндрический образец 4 вводят внутрь внутреннего проводника 2 и измеряют уход собственной частоты и добротность коаксиального резонатора 1. По величине ухода частоты коаксиального резонатора 1 определяют диэлектрическую проницаемость, а по изменению добротности вычисляют тангенс угла потерь с 9 У или удельное сопротивление )з по формуламо 0Я и ( . - добротность коаксиального резонатора 1 безцилиндрического образца4 и с ним;Е - диэлектрическая проницае"омость цилиндрическогообразца 4;К собственная частота коаксиального резонатора 1Величина коэффициента включения К определяется распределением элен" трического поля в области цилиндри788039 Формула...