Кружанов

Номер патента: 1163991

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Белов, Кружанов, Лукин

МПК: B22F 3/14, C22C 1/04

Метки: латуни, спеченных

...операции допрессовки. Спекание в замкнутом объеме пресс"формы исключает интенсивное испарение цинка, присущее спеканию латунных иэделий при высокой температуре, снижающее качест во изделий и загрязняющее производственные помещения.Способ осуществляют следующим образом.Порошок меди ПМСсмешивают с порошком медно-цинковой лигатуры П 3-35 в соотношении 7:3 и обрабатывают в шаровой мельнице 2 ч. Такая обработка позволяет получить однородную смесь порошков и их измель- ЗО чение до среднего размера 5-10 мкм. Из обработанной смеси порошков прессуют заготовку при комнатной температуре под давлением 30 кгс/мм , Полученную заготовку помещают в разо гретую стальную пресс-Форму, прогревают, спекают при 650 С под давлениемо15 кгс/мм 2 5 мин, вынимают...

Номер патента: 820546

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...содержащей полупроводниковую подложку первого типа55 проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка,типа проводимости н совмещенные с локальными областями, того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в,одной из которых, образованы.приповерхностные области пер-. вого типа проводимости, концентрация примесей в которых не...

Номер патента: 1012764

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Демин, Кружанов, Однолько, Сафронов

МПК: H03K 19/00

Метки: входной, каскад, логической, схемы, транзисторно-транзисторной

...сопротивления сверху, с другой стороны это сопротивление не может быть слишком малым, так как необходимо обеспечить запирание второго транзистора при низком напряжении хотя бы на одном из входов схемы. Указанные условия не соблюдаются в широком диапазоне температур и напряжений питания.Целью изобретения является .обеспечение высокого входного сопротивления ТТЛ схемы на транзисторах с высоким инверсным коэффициентом усиления по току в широком диапазоне температур и напряжений питания.Поставленная цель достигается тем, что в входном каскаде схемы, выполненном на многоэмиттерных транзисторах с высоким инверсным коэффициентом усиления по току, в котором база первого транзистора подключена через резистор к шине источника питания, эмиттеры -...

Номер патента: 959561

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Авдеев, Демин, Кружанов, Сафронов, Эннс

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства

...слое которой расположеныдиффузионные шины, на поверхностиполупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, на котором перпендикулярно диффузионным шинам расположены металлические шины, на поверхности металлических шин и первого диэлектрического слоя расположен второй диэлектрический слой с отверстиями, матричный накопитель дополнительно содержит другие металлические шины, расположенные на поверхностях диэлектрических слоев, в одних из отверстий диэлектрических слоев на поверхности диффузионных шин.На фиг.1 изображен интегральный матричный накопитель, вид сверху; на Фиг.2 - сечение интегрального матричного накопителя вдоль диффузионных шин; на фиг.З - сечение интегрального матричного накопителя...

Номер патента: 993477

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Авдеев, Кружанов, Эннс

МПК: H03K 19/00

Метки: буферное, логическое, ттл

...с анодом диода 17, Коллектортранзистора 15 соединен через резистор 18 с шиной 3 питания и черезрезистор 19 - с обцей шиной 8, атакже с базой транзистора 20Эмиттер транзистора 15 и эмиттер транзистора 20 соединены с эмиттеромтранзистора 16, Коллектор транэистора 20 является выходом устройства,реализующим функцию инверсии. Катоддиода 17 соединен с ключом 21, атакже соединен С базой двухэмиттерного транзистора 22 и через резистор 23 - с шиной 3 питания, Второй конец ключа 21 соединен с общей ши- .ной 8. Первый эмиттер транзистора 22соединен с коллектором транзистора16, второй - с коллектором транзистора 20, коллектор транзистора 22соединен с шиной 3 питания. Коллек-тор транзистора 20 соединен черезрезистор 24 с шиной 3 питания, Коллектор...

Номер патента: 773793

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 21/8222

Метки: биполярных, интегральных, полупроводниковых, схем

...окна для загонки примеси во вторые области,например области р+. При загонкеримеси во вторые области открытыкна, вскрытые как для загонки в перФвые, так и для загонки во вторыеобласти, и примесь попадает в те идругие области. Это накладывает требование на последовательность операций эагонки. Первой должна производиться загонка той примеси, концентрация которой в изготавливаемой конструкции должна быть больше, В этомслучае вторая загонка не изменяеттип проводимости в первых областях.Если, например, конструкция такова,что концентрация в областях и+ должна быть больше, чем концентрация вобластях р+, то первой из двух указанных операций загонки должна производиться эагонка донорной примесив области и+.Разгонку акцепторной и...

Номер патента: 135937

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Кружанов, Тюрин

МПК: H01R 13/52, H01R 13/629

Метки: герметическое, соединение, штепсельное

...положении штепсельного соединения служат подпружиненные губки.На фиг. 1 изображена конструкция разъема; на фиг. 2 - разрез по А-А.Разъем состоит из обрезиненной штепсельной розетки 1, расположенной в корпусе 2, который закреплен на каком-либо подводном объекте, и обрезиненной вилки 3 с подводящим кабелем прижимаемой к розетке 1 при помощи фиксируемого подпружиненными губками 4 поворотного рычага 5, выполненного в виде скобы, охватывающей штепсельную розетку с обеих сторон и снабженной прорезями на коротких плечах для сцепления с двумя цапфами 6 вилки.Рычаг 5 закреплен на корпусе 2 при помощи осей 7. Для герметизации розетки применена шайба 8, прижимающая обрезиненный бурт штепсельной розетки к кольцевой проточке корпуса.Предмет изобр...