Патенты с меткой «криотрон»

Номер патента: 392430

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Рабухин

МПК: G01R 33/035

Метки: криотрон

...При этом происходит измерениемгновенного значения напряженности магнит 15 ного поля, и устройство возвращается в исходное состояние. П мет изобретения 20 Криотрон, управляющие что, с целью рения мгнове магнитного п25 его управляю проводящими Известен криотрон, содержащий управляемый и управляющие электроды. Однако он имеет ограниченные функциональные возможности.Цель изобретения - расширить функциональные возможности криотрона, а именно обеспечить возможность измерения мгновенных значений напряженности магнитного поля и слабых электрических сигналов,Это достигается тем, что в предложенном криотроне управляющие электроды разделены сверхпроводящими экранами.На чертеже показан криотрон, например проволочный.На управляющий электрод,...

Номер патента: 1130148

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Кокавец, Марковская, Марковский, Счастливый, Хласник, Цеснак

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...ключевого элемента за счет мощности силовой цепи усиливается, приближаяськ расчетному. Если нормальное сопротивление ключевого элемента таково,что при номинальных параметрах силовой цепи его саморазогрев обеспечивает поддержание температуры вышекритической, то управляющее напря- Зожение блоком управления может бытьотключено. Интенсивность нагрева ключевого элемента за счет мощностисистемы управления при ограниченныхразмерах поперечного сечения трубок 8 и обмотки 3 усиливается за счетзаполнения внутренней полости трубок 8 материалом с повышенноймагнитной проннцаемостью, играющегороль магнитопровода индуктивно 40связанных обмоток 3 и 8. В устройстве может быть предусмотрен обратный магнитопровод из того же илидругого материала с...

Номер патента: 1554050

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Кокавец, Марковский, Цеснак, Шевченко

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...Чередующиеся с ними полоски 15 выполнены из сверхпроводника второго рода и при наличии разрезов 13 только полоски 15 являются коммутирующими, На фиг. 3 изображено сечение трубки 2, выполненной из многожильного сверхпроводящего композита, где показаны сверхпроводящие нити 1 б и диэлектрическая илиЗО нормально проводящая матрица 17, На фиг, 4 изображен элемент сечения трубки 2, выполненный методом напыления, где показаны подложка 18, слой сверх- проводника второго рода, например нитрида. ниобия 19, тонкие слои изоля 35 тора 20, например БЬО или БхО, толстые слои (более 1 мкм) сверхпроводника первого рода с поперечными разрезами 21, диэлектрическое заполнение 22 прорезей 11.Устройство работает следующим образом.Переключение ключевого...