Шилальникас

Номер патента: 1624339

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гринберг, Даниленко, Левитас, Манюшите, Мишин, Шилальникас

МПК: G01R 15/02, G01R 19/00

Метки: бесконтактного, больших, силы, токов, электрических

...источники 1 и . тока, соединенные соответственно с потокочувствительными датчиками 3, 4, расположенными на фиксированном расстоянии а параллельно друг другу, блок 5 умножения и блок б вычитания, входы которых соединены с выходами потокочувствительных дачиков, а выходы - с входом блока 7 деления. Выход блока 7 деления соединен с выходным прибором 8.Устройство работает следующим образом.Выходные сигналы О и Ог потокочувствительных датчиков 3 и 4, прямо пропорциональные магнитному полю, создаваемому измеряемым током, и обратно пропорциональные расстоянию до провода с током, поступают на входы блока б вычитания и блока 5 умножени, с выходов которых сигналы поступают на вход блока 7 деления, на выходе которого формируется сигнал 08,...

Номер патента: 1559322

Опубликовано: 23.04.1990

Авторы: Ефимова, Манюшите, Рудайтис, Сащук, Шилальникас

МПК: G01R 33/06

Метки: индукции, магнитного, поля

...эффектовполя. Третья составляющая обусловлена высокочастотным сигналом, которыйот магнитного поля не зависит и после низкочастотного Фильтра 10 наблок 11 не поступает,Импульсом, поступающим с блока 15управления после насыщения выходного55 5 5593импульса магнитотранзистора 1, запускается преобразователь 11, осуществляющий преобразование напряженияПе = Г 1 В + ЕТ Г в код, про 5порциональный величине Б,-Б , которая записывается в регистры сумматора 12. После записи импульсами, протекающими с блока 15 управления, осуществляется сброс и подготовка преобразователя 11, а переключатель 6переводится в состояние, при которомвыход "-" источника 7 постоянного тока соединен с электродом 2 магнитотранзистора 1, В следующем (втором)такте...

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...

Номер патента: 1138765

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Адомайтис, Сакалаускас, Шилальникас

МПК: G01R 29/24

Метки: бесконтактного, заряженной, поверхности, потенциала, электрического

...чертеже изображена блок-схемаустройства,Устройство содержит металлическийэлектрод 1;,МДП-диод 2; конденса-,тор 3; усилитель 4; демодулятор 5;источник 6 опорного напряжения; дифференциальный усилитель 7 постоянного напряжения; источник 8 переменного напряжения, электропроводящуюподложку 9, исследуемый объект 10., Металлический электрод 1 установлен над поверхностью исследуемогообъекта 10, помещенного на электропроводящую подложку 9, Между металлическим электродом 1 и входом усилителя 4, параллельно которому подключен конденсатор 3, включен МДПдиод 2, Выход усилителя 4 соединенс входом демодулятора 5,выход которого подключен к первому входу дифференциального усилителя 7 постоянного напряжения, к второму входукоторого подключен источник...

Номер патента: 1061079

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Гринберг, Мдивани, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: G01R 33/07

Метки: индукции, магнитного, переменного, поля

...холловским контактам которого подключены токовые контакты второго датчика Холла, и селективный измеритель напряжения, подключенный к выходным Холловским контактам второго датчика Холла 11 .Однако известные способ и уст-, ройство для его реализации обеспечивают нелинейную зависимость измеряемого напряжения от амплитуды индукции переменного магнитного поля (квадратичную),что с учетом малой чувствительности датчиков Холла приводит к ограниченному динамическому диапазону измерений.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ измерений индукции переменного магнитного поля, заключающийся в воздействии измеряемого магнит- .З 5 ного поля на магнитометрический преобразователь, через который пропускается постоянный...

Номер патента: 816342

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: H01L 29/82

Метки: индукции, магнитного, полупроводниковый, поля

...также невелик из-занасьццения, а затем и перегиба передаточной характеристики при увеличении индук-ции магнитного поля.Целью изобретения является расширение диапазона линейного преобразованияиндукции. магнитного поля при сохранениивысокой чувствительности преобразователя. 40Цель достигается тем, что в полупроводниковом преобразователе индукции магнитного поля, выполненном в виде прямоугольной полупроводниковой пластины стоковыми контактами на противоположных торцах, содержащем область большой 45скорости рекомбинацииносителей заряда,образованную на одной из боковых граней, сформированы две дополнительныеобласти с большой скоростью рекомбинации на противоположных боковых граняхперпендикулярных грани, на которой образованная область...

Номер патента: 930175

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Адомайтис, Пожела, Сталерайтис, Шилальникас

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...На боковыхгранях второй пластины 3 размещеныомические контакты 6 и 7, расположенные симметрично омическим контактам4 и 5 относительно плоскости раздела.8 выполненной в виде р-и перехода.Пластины 2 и 3 соединены последовательно,Для обеспечения рабочего режима кпластинам 2 и 3 подключен источник 9тока и индикатор 10,Датчик магнитного поля работаетследующим образом.При пропускании тока от источника 9 через омические контакты 4-7 взапорном направлении, на плоскости8 и на пластинах 2 и 3, параллельныхр-и переходу создается падение напряжения. Таким образом, в полупроводниковом элементе в направлении,параллельном плоскости 8 запертогор"п перехода, носители заряда приобретают значительную скорость.При помещении датчика магнитногополя 1 в...

Номер патента: 737890

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Паташюс, Рагаускас, Шилальникас

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, реализации, характеристик

...9 и частотные зависимости коэффициентов затухания р (Ш)Фильтра 9 (кривая г), приемника 18(кривая д) и приемника 19 (кривая е),В стационарном режиме на входефильтра 9 действуют только две спектральные компоненты с частотами щ ищ, Амплитуды и Фазы этих компонентопределяются стационарными величинами импеданса МДП-структуры 1 начастотах щ, и оз, В компенсаторе 10с помощью инерционной автоматическойподстройки амплитуд и фаз сигналов,подаваемых с соответствующих генераторов б и 7 на регулируемые аттенюаторы-Фазовращатели 15 и 16, производится компенсация комПонент щ иШ в спектре информационного сигнала(Фиг. 2), Этим обеспечена независимость метрологических характеристикустройства от стационарных составляющих измеряемых компонентов...