Мацас

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...