C30B 29/46 — серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 371963

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Геи, Институт

МПК: C30B 29/46, C30B 7/14

Метки: пленок, свинца, сульфида

...помещается в водный раствор, содержащий растворимую соль свинца (нитрат или ацетат свинца) 0,001 - 0,05 моль/л, щелочь (едкое кали или 25 едкий натр) 0,05 - 0,5 моль/л, серусодержащий осадитель: И-фенилтиомочевину 0,001 - 0,02 моль/л или М,И-дифенилтиомочевину 0,0003 - 0,001 моль/л, Г 1 роцесс ведут при температуре 5 - 30 С до осаждения на подложке Зо красно-коричневой пленки достаточной толщины, Затем подложку с,полученной пленкой извлекают из рабочего раствора, промывают дистиллированной водой и подвергают термообработке при температуре 400 в 7 С до полного исчезновения окраски пленки.П р и м е р, Обезжиренную и промытую в хромовой смеси подложку из стекла погружают,для сенсибилизации в солянокислый раствор хлористого олова...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Днепровский, Мамедов, Михайлов, Яковук

МПК: C30B 29/46, H01L 21/302

Метки: варианты, его, стекол, травитель, халькогенидных

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Номер патента: 1659536

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бестаев, Жуков, Томаев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/46

Метки: основе, полупроводниковых, соединений, структур

...нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла...

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....

Номер патента: 1726572

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Старостин, Турецкий, Чебаненко, Чемересюк

МПК: C30B 25/08, C30B 29/46

Метки: пленок

...10 установлена регулирующая шторка 12 для сужения канала прохождения пара. Путь прохождения газа-носителя в объеме реактора 1 и парогазовой смеси в объеме кассеты 6 на фиг, 1 обозначен стрелками. Кювета 13 с испаряемым соединением установлена на плоскости перегородки 9 у открытого в сторону фланца 3 торца кассеты 6. Подложка 14 расположена над перегородкой 9 в области щели 10. Для дополнительного подогрева подложки 14 до температуры реакции осаждения пленки кассета 6 снабжена нагревателем.15, Подложка 14установлена в обойме 16, связанной через шток 17 с механизмом возвратно-поступательного перемещения. Механизм возвратно-поступательного перемещения (фиг. 2) содержит электрический двигатель 18 с редуктором, Двигатель 18 укреплен на стойке...

Номер патента: 1730216

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бондарь, Забелина

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: растворов, твердых

...быстро (в течение 2 ч) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 повышаютдо значений, превышающих температуру ликвидуса соответствующего твердого раствора на 20 К (фиг. 2). После установления температуры в горячей зоне включают вибрацию и повышают температуру в холодной зоне до 650 - 670 К и выдерживают в таких условиях 3 ч, Затем температуру холодной зоны повышают до 900 - 920 К (с вибрацией ампулы) с повторной выдержкой в течение 2 ч. По окончании указанного времени выдержки расплав охлаждают со скоростью 100 К/ч без выключения вибрации до комнатной температуры. Для гомогенизации полученных сплавов проводят отжиг при 1170 К в течение 500 ч.Полученные после отжига слитки представляют собой гомогенные сплавы, однородные по всей длине, что...

Номер патента: 1756393

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Зубрицкий

МПК: C30B 29/46, C30B 31/06

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

...плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035,...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...

Номер патента: 769836

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/04

Метки: основе, пьезополупроводникового, соединений

...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...

Номер патента: 1140492

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Абрикосов, Иванова, Свечникова, Чижевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/46

Метки: монокристаллического

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА на основе твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута для термоэлектрических преобразователей путем выращивания кристалла из расплава на затравку с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля в атмосфере инертного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности материала и увеличения выхода годного, выращивание кристалла ведут со скоростью 0,25 - 0,5 мм/мин, при осевом градиенте температуры в кристалле на фронте кристаллизации 78 - 140 К/см.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью повышения однородности материала остава 96 мол. % Sb1,5 Bi0,5 Te3 + 4 мол. % Bi2 Se3 для p-ветви термоэлектрических...

Номер патента: 1464516

Опубликовано: 10.04.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/46, C30B 7/02

Метки: величины, граней, началу, пересыщения, призмы, раствора, роста, соответствующей

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА To, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO3, включающий погружение микрокристалла в раствор, наблюдение за его ростом, уменьшение пересыщения T и определение To, при котором происходит прекращение роста грани призмы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, рост осуществляют до появления на грани пирамиды одиночных ступеней роста,...

Номер патента: 1651594

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Горобец, Куликов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/46

Метки: «и—или», висмута, основе, сурьмы, термоэлектрического, халькогенидов

1. Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, включающий синтез при нагреве исходных компонентов до плавания в эвакуированной ампуле, охлаждение и вертикальную зонную перекристаллизацию без разгерметизации ампулы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств материала путем обеспечения его однофазности, используют ампулу переменного сечения, имеющую часть с меньшим диаметром, синтез ведут при вращении ампулы вокруг ее поперечной оси, а охлаждение проводят закалкой расплава в часть ампулы с меньшим диаметром, затем эту часть отделяют и зонную перекристаллизацию проводят при величине температурного...

Номер патента: 1322716

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Бондарь, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая, Чернякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: cualse2, монокристаллов, соединения

Способ получения монокристаллов соединения CuAlSe2, включающий синтез сплавлением исходных элементов в тигле, помещенном в вакуумированную кварцевую ампулу, и последующую направленную кристаллизацию полученного соединения, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, их оптической однородности и стабильности на воздухе, исходные элементы берут в нестехиометрическом количестве, соответствующем составу CuxAlSey, где x 1,04 1,08, y 2,02 2,04, тигли используют из пиролитического нитрида бора, кристаллизацию проводят перемещением тигля со скоростью не более 0,3 мм/ч в вертикальной двухзонной печи с температурой в зоне расплава 1368 1448 К, с градиентом температуры на фронте кристаллизации...

Номер патента: 1208848

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Боднар, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: меди, тройных, халькогенидов

Способ получения тройных халькогенидов меди, включающий взаимодействие расплава металлических элементов, расположенных в зоне синтеза, с парами халькогена, взятого в избытке от стехиометрии и расположенного в противоположном конце запаянной вакуумированной кварцевой ампулы, при температуре зоны синтеза на 21 40oС выше температуры плавления соединения, а зоны халькогена 600 650oС, выдержка при этих условиях в течение 2 3 ч и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью получения больших слитков соединения CuAlSe2 стехиометрического состава и высокой чистоты, избыток селена берут в количестве 3,0 7,5 мг/см3, металлические элементы загружают в кварцевую лодочку, покрытую пиролитическим графитом, после...

Номер патента: 1313037

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бамбуров, Борухович, Жиляева

МПК: C30B 29/46

Метки: халькогенидная, хромкадмиевая, шпинель

Хромкадмиевая халькогенидная шпинель, содержащая Cd, Cr и Se, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельного ферромагнитного момента при 4,2 K, она дополнительно содержит Te и имеет общую формулу CdCr2Se4-xTex, где 0,15 x 0,24.

Номер патента: 1839796

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Шевырдяева

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: aggas, монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, AgGaS 2, путем направленной кристаллизации расплава в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью получения более однородных и оптических прозрачных кристаллов без трещин и двойников, кристаллизацию ведут под давлением газа в ампуле выше 20 атм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава стехиометрического состава.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава с добавкой избытка Ag2S по отношению к стехиометрическому составу.

Номер патента: 1839797

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Рычик

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, ртути, тиогаллата

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути HgGa 2S4 путем охлаждения расплава сульфидов исходных компонентов, взятых с избытком сульфида ртути, в ампуле с противодавлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и улучшения их оптической однородности за счет уменьшения дефектов структуры и включений примесных фаз, в расплав дополнительно вводят избыток серы при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сульфид ртути 51,827-52,042Сульфид галлия 47,662-47,061 Сера 0,511-0,897а охлаждение ведут направленно путем вертикального опускания ампулы со скоростью 2-30 мм/сутки.

Номер патента: 1839798

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Мартынов, Матвеев, Панютин, Погосов, Троценко, Устинов, Шевырдяева, Щербаков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейной, оптики

Монокристаллический материал для нелинейной оптики, содержащий серебро, галлий и серу, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования из инфракрасной области спектра в видимую, он дополнительно содержит германий в соответствии с химической формулой AgGaGeS4.

Номер патента: 1839799

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Троценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, включающий его синтез путем взаимодействия элементов при нагреве в горизонтально расположенной ампуле и последующую вертикальную направленную кристаллизацию в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптической однородности кристаллов, уменьшения в них трещин и двойников, при синтезе к элементам добавляют индий в количестве 0,04-5 вес.%.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе элементы берут в стехиометрическом соотношении, соответствующем формуле AgGaS2.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе к элементам добавляют избыток AgS2 по отношению к стехиометрии.

Номер патента: 1839800

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Каплунник, Матвеев, Победимская, Троценко, Тюлюпа, Шевырдяева

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейный

Нелинейный монокристаллический материал, содержащий серебро, галлий и селен, отличающийся тем, что, с целью увеличения двупреломления и снижения коэффициента поглощения в области спектрального пропускания, он дополнительно содержит германий в количестве, удовлетворяющем химической формуле AgxGaxGe1-x Se2, где 0,167 x 0,37.

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана