Патенты с меткой «транзистором»

Номер патента: 251665

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Лаптев

МПК: H02M 1/08

Метки: транзистором, широтно-импульсного

...на закрытом ранее транзисторе 3. Если знак указанной разности соответствует проводящему 1 состояншо разделительного диода (6 илц 6), то во вторичную цепь трансформатора 4 через диоды 7 илц 8 выпрямителя и резистор 9 поступает сигнал, обеспечивающий появление базового тока через управляющий переход транзц тора 3. Прц этом напряжение на транзисторе уменьшается, что приводит к дополнительному увели теншо базового тока. Происходит лавццообр: зный процесс включения транзистора 3, по окончании которого последний переходит в об: астынасыщения, и к нагрузке 10 прцкладь 1 зается напряжение С/источника питания. таком состоянии транзис момента цасыцтеция серде силптеля 2, когда базовый настолько, что транзистор ейную область, и напряжен т...

Номер патента: 455487

Опубликовано: 30.12.1974

Автор: Стрелкин

МПК: H03K 17/60

Метки: переключающим, транзистором

...соединена с базой переключающего транзистора П. Через развязывающцй диод 12 ,база переключающего трапзпстора соединена с 25 накопптельным конденсатором 7. Нагрузка 13включена в коллекторную цепь переключающего транзистора 11, на,входе которого вклю.,чен защитный диод И.Устройство раоотает следующим ооразом.30 При поступлении на вход 3 положительцо455487 с та в и тел ь В. БрагиТехред Т, Курилко Редактор М. Бычко Корректор О. Тюрин Изд.1966 НИИПИ Государственного к по девам изобр Москва, Ж, Раказ 127 Тираж 811митета Совета Министров СССтеиий и открытий Подписи ушская иаб., д. л. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли. го,входого импульса, и на вход 4 нулевого уровня входного напрякения открывается...

Номер патента: 574845

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Драбович, Комаров, Ярош

МПК: H02P 13/16

Метки: силовым, транзистором

...551 точка В 101 эичпых ООхОток Ы1 Р с 1 псфоэ.12ОРс р 2, через резисторы Й 1 и 1( подклОсышых к базам ) казанных транзисторов. Ко Второй вы- ходноЙ клемме )стропства подслючспа ср д- П 51 Я ТО 1 Ка ВТ 01 ЭИП 1 ЫХ ОО.10 ОХ ТРаиеЭО,ЭасчО- ра 11 Э 1, Г 10 д 1 ь 110 ЧЕПЫХ К КОЛ.;СК 101 ЭНаизисторов 11 и 2,РСДПОГОЧ;ПХ, сто Псчас. Б О:ЭППЫ Х 00 МОТОК Йра 10 рор Ь,аОрир1 оооз, "С 111на чсргсжс точкоь) соогысвусг отрпца, ьпа 5 по 511 энос 1 ь псаэ 5 эс 1 И 5.Э ТО Л 1 С Л )с 1 СКО ГДс 1 1 Ол 5 Р П 0 С 1 Ь П а 11 51 сК С- с 51 Нс Нас 2 Лах В 01 ЭИс 111 ЫХ ООМООХ1 ЭсПС - рорат 01 Эс 1 р 5: ТНКЭКС ОтрЦс 11 С.1 ЬПая Гранзистороткрыт, а транзистор 2 заперт. сжим зашрани ьоссс иНасте 1 выоором ьсличины пагряксш;я на оомотках й, коорос долэ 1 П 10 Оы 1...

Номер патента: 599319

Опубликовано: 25.03.1978

Автор: Зайцевский

МПК: H02M 1/08

Метки: преобразователя, силовым, транзистором

...силовой ненасьпааюшийся трансформатор 6, к вторичной ф обмотке которогоподключен выходной выпрямитель 7, Междубазой и эмиттером каждого из транзисторов преобразователя подключены соответственно эмиттером и коллектором дополнительные транзисторы 8 и 9 противоположного типа проводимости, соединенные базами через дополнительные резисторы 10 и11 с обшей точкой соответствующей обмотки коммутирующего трансформатора и баэовых резисторов 2 и 3,Процесс выключения каждого из транзисторов 4 и 5 начинается когда сердечниккоммутирующего трансформатора насьпцается.Напряжение на обмотках коммутирующего 20трансформатора становится практически равным нулю, В насьпценном транзисторе начинается процесс, разряда избыточного зарядав базе. В процессе...

Номер патента: 616695

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Васильев, Захаров, Кознев, Малышев

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...источника отпирвющего напра 30жениа через второй резистор - к эмиттеру силового транзистора и через третийдиод - к бвэе вспомогательного транзистора, а еторичнва обмотка источника. звнирвющего напраженианомкпюченв к первому.резисторуНа чертеже показана схема предложенного устройства дла управлениясиловымтранзистором,СЬо содержит силовой транзистор 1, вбазе которого подключены последовательно соединенные диод 2 и вторичная обмотка 3 выходного трвнсформегора 4,источник отцирвющего напряжения 5. Вто.Рой вывод обмотки отпирающего сигнала3 ноцключен к эмиттеру силового транзистора 1 через резистор 6, Вторичнаиобмотка 7 выходного трансформатора 8источника эвпиржощего напряжения Эподключена к базе силового транзистора1 через диод 10....

Номер патента: 630752

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Каменев, Новиков

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

...14 - диод.В ыомент Бремени (, с выхода схемы управления 7 на базу транзисщрапосту. пает,импульс, насыщающий этот транзистор, в результате чего оппираются транзисторы 12 и 13.,После:вьпключения транзи стара б в момент времени (, транзисторы 12 и 13 остаются включенными до момента обремени г когда в,результате увеличения тска через самотку 5 прансформатора 3 напряжение на коллекторе пранзистора 6 станет равным напряиению +Е,.После этого пранзисторы 12 и 13,вы. включаются, и -пок намагничивания трансформатора 3 замьпкается через диод 9 на транзистср 8, насыщенный имлульсом, поступающим в это время с дополнительного выхода схемы управления 7, К обмотке 5 трансформатора 3,в это время прикладывается напряжение, приблизительно равнае Е - Е...

Номер патента: 636802

Опубликовано: 05.12.1978

Автор: Глебов

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

...Трубниковедактор Б. Федотов Техред О.Андрейко Корректор П. Макареви ж 1044ного комзобретекЖ - 35 р Заказ 6968 рР 49 Тир ЦНИИПИ Государстве по делам 113035, МосквПодпискота Совета Ми открытийшская наб.,истров СС Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная напряжение на первичной обмотке 10 трансформатора 9.Вместе с тем в базовую цепь транзистора 1 дополнительно к току обмотки 10 задается ток вторичной обмотки 11 через диод 12. При этом, если число витков обмотки 11 меньше 5 чисЛа витков первичной обмотки 10, ВЕЛИЧИна СУМмаРНОГО ТОКа ДВУХ ОТМОТОК р задаваемого в базу транзистора в начале процесса его отпирания, превышает величину тока базы транзистора Ю в состоЯнии насыЩениЯ тРанзистоРар когда этот ток определяется ЭДС ис точника 6 и...

Номер патента: 664586

Опубликовано: 25.05.1979

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/788

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...для вызывания канальной инжекции.Величина напряжения может быть достаточна для разогревания электроновдб энергии 1 3-3,8 еЧ.При наличии управляющего затворак нему может быть приложен потенциалподожительный посравнению с потенциалом стока,При управлении по способу, согласно изобретению, отрицательный заряд, находящийся до этбго при срав"нйтеЛьно полбжительном потенциалезапомиНающегб затвора, происМодйтэлектрически с помощью канальнбйинжекции. Накопительный затвор палевого транзистора при программированиизаряжается зарядами; которые самифорМируются в полевом транзисторетаким образом, что заряд, благодаряиндукции,-воздействует на ток стокистока тормозящим образом вместо пе-.редающего так, что заряженный накоп 11 т,ельный затвор в...

Номер патента: 725190

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Драбович, Комаров, Мартынов

МПК: H02P 13/16

Метки: силовым, транзистором

...вторичной обмотки трансформатора 2 подключены через основные 8и 9 и дополнительные 10 и 11 резисторык базам основных 3 и 4 и дополнительных20 5 и 6 трайзисторов, а ее средняя точка подключена к эмиттерам основных 3 и 4 и коллекторам дополнительных 5 и 6 транзисторов и к выходной клемме 12.Устройство работает сле25 зом,Предположим, что началобмоток трансформаторои 1ченным на чертеже точкой)отрицательнаяполярность30 При этом транзисторы 4 и725190 пография, пр. Сапунова,3 .транзисторы 3 и 5 заперты. Режим запирания обеспечивается выбором величины напряжения на вторичной обмотке трансформатора 2, которое должно быть не меньше удвоенной величины напряжения на обмотке трансформатора 1.Через нормально открытый 6 и инверсно открытый 4...

Номер патента: 752657

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Басов, Константинов, Крестьянинов

МПК: H02M 1/08

Метки: транзистором

...к точке соединения резистора 4 транзистора 5 с нелинейным элементом 3. Управляющий вывод дополнительного транзистора 5 подключен к точке соединения нелинейного элемента 3 и управляющео/го транзистора .2. На вход управляющего транзистора подаются разнополярные импульсы от источника управляющих сигналовПаралжльно конденсатору 6 может 25 быть подипочен стабилитрон 7 для стабилизации амплитуды запирающего напряжения на входе транзистора.Принцип работы устройства с полевым и биполярным дополнительным транзистором 30 одинаков и заключается в следующем.При поступлении на вход управляющего транзистора 2 запирающего сигнала от источника управляющих сигналов, этот транзистор закрывается по коллекторной з 5 цепи. При этом но входной цепи...

Номер патента: 791272

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/72

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...около 351 Ч при первой очистке и в пределах одной минуты при двадцатой очистке. Измеренная продолжительность очистки увеличивается от очистки к очистке, Наконец продолжительность очистки превосходит максимально допустимое, произвольно установленное значение, с которого очистка рассматривается как нарушенная и более невозможная. Необходимые для электрической Очистки затраты незначительны. Применение и-канала вместо -канала для запоминающего полевого транзистора необходимо, так как иначе невозможно программирование посредством канальной инжекции и очистка посредством туннельного эффекта Фоулера-Нордхейма.В дальнейшем последующее развитие предлагаемого устройства основывается на новом понимании причин и вспомогательных возможностей...

Номер патента: 860231

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Заверюха, Исмаили, Смирнов

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...элемент, функция которогозаключается в коррекции положительного тока управления силовым ключом взависимости от тока нагрузки силового транзистора.Напряжение база-коллектор силового транзистора (Ок,1) поддерживаетсяпостоянным. В любой момент временидля схем справедливо соотношение55фэ =Од-Окэ,-Обк,в где Ор 4 - напряжение 0 аз а-эмиттер транзистора 14; Од - падение напряжения на диоде 13; .О - напряжение коллектор-эмитсэ втер на насыщенном транзисторе 8,При увеличении тока нагрузки уменьшается величина напряжения О,1 , а так как величины напряжений Оди О э практически постоянны, увеличивается напряжение Об 4 , это приводит к уменьшению сопротивления транзистора 14 и, как следствие, к увеличению тока управления силовым транзистором и...

Номер патента: 866742

Опубликовано: 23.09.1981

Автор: Новиков

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

...через диод 7 с ныводом электронного ключа 8, управляющий вход которого соединея с дополнительным выходом блока 9 управления. Второи вы 40 вод электронного ключа 8 соединен с шиной дополнительного источника питания +Е )Кроме того, имеются ограничительный резистор 10, диод 11, дополнитель ные диоды 12, 13 и конденсатор 14.Одноименные выводы обмоток трансформатора 3 обозначены точками.В момент времени йо с выхода блока 9 управления на базу транзистора 6 50 поступает импульс, насыщающий этот транзистор. Одновременно импульс, поступающий с дополнительного выхода блока 9 управления на управляющий вход ключа 8, отпирает этот ключ, Кон в 55 денсатор 14 быстро заряжается через диод 13 и резистор 10. После запирания в момент временитранзистора 6...

Номер патента: 928557

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Афанасенко, Назаров, Самылов, Солодовников

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...поясняяеременнйми диаграммами напряжений(фиг. 2).В режиме открывания напряжениеоткрывающего .источника 1, имеющееформу однополярных прямоугольных импульсов переменной длительности (диаграмма О ) посредством трансформаторов 5 преобразуется в два напряжения, одно из которых, появляющеесяна вторичной обмотке 17 трансформатора 5 (диаграмма 3 ) прикладываетсячерез резистор 15 к переходу базаэмиттер транзистора 13 и открываетэтот транзистор в момент действияимпульса на выходе открывающего источника 1. Другое напряжение, появляющееся на вторичной обмотке 7 (диаграмма 2 ) через последовательнуюцепь, составленную из транЗистора 3513 и диода 11 прикладывается к выходным клеммам 9 и 10 (положительныеимпульсы на диаграмме Ж), Диод...

Номер патента: 945878

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Вальтер, Вилли

МПК: G08B 17/12

Метки: двойным, ионизационного, моп, пожароизвещателя, полевым, схема, типа, транзистором, электрическая

...истока 9 работаеткак преобразователь полного сопротивления. На выходе преобразователя пол- .ного сопротивления подключена триггерная схема 11 аварийной сигнализации,благодаря чему обеспечивается надежная работа ионизационного пожароизвещателя, На том же выходе через соединительную клемму 5 одновременно можетбыть. подключен неинвертирующий входоперационного усилителя 12. Втораясистема двойного полевого транзистора типа ИОП 8 работает с сопротивлением 10 как истоковый повторитель,Этот исток соединяется через соединительную клемму б с инвертирующимвходом, а затвор - через соединительную клемму 4 с выходом операционного усилителя 12, Зто совместное вклю,чение может быть использовано как составная часть электроники ионизацион...

Номер патента: 951589

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Заверюха, Матвеев, Михаэлян, Смирнов

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...пятого транзисторного ключа 15, соединен с коллектором шестого ключа 18, база которого через резистор 19 соединена с базой первого ключа 4.Устройство для управления силовым транзистором работает следующим образом.Транзисторные ключи 4 и 8, резисторы 6 и 10 образуют схему бистабильного ключа в цепи положительного тока управления, который может находиться либо во включенном состоянии (транзисторы находятся в режиме насыщения), либо в выключенном (транзисторы находятся в режиме отсечки). Ключ в цепи отрицательного тока управления выполнен аналогично.При подаче на резистор 12 отрицательного импульса от генератора 14 транзисторный ключ 9 открывается и по цепи положительной обратной связи открывает транзисторный ключ 5, причем процесс...

Номер патента: 955414

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Драбович, Пономарев, Шевченко, Юрченко

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, транзистором

...запирающего сигнала.На фиг. 1 дана принципиальная схема транзисторау на фиг. 2 - временныедиаграммы последовательности операций по предлагаемому способу; нафиг; 3 - схема реализации управления 15 транзистором.В момент времени с источником,тока формируется оптирающий сигнал(1 с) и подается на переход базаэмнттер транзистора. Транзистор изобласти отсечки переходит в областьнасыщения. Область насыщения характеризуется малым падением напряжения на транзисторе.и, следовательно,малыми потерями мощности в транзисторе. В момент времени с , предшествуюший запиранию транзистора, источник тока формирует дополнительныйсигнал, который подается на переходколлектор - база. Запирающий импульстока .(1 ись),.проходящий через перехоцколлектор - база,...

Номер патента: 970588

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Киселев, Найвельт, Фильцер

МПК: H02M 1/08

Метки: блока, каскад, мощным, переключательным, предоконечный, транзистором

...подключен анод диода 11, а к коллектору - анод диода 12. Катоды диодов 11 и 12 че реэ резистор 13 соединены с клеммой для подключения источника управляющего напряжения, Коллектор транзистора 14 соединен с базами транзисторов 2 и 3, а эмиттер - с клеммой для подключения минусового вывода второго источника питания. Между базой транзистора 14 и входом устройства последовательно включены резистор 16 и конденсатор 1. Между базой и эмитером транзистора 14 подключен резйс тор 17 утечки. Коллектор транзистора 1 подключен к внешней нагрузке.На схему предоконечного каскада по отношенжо к эмиттеру транзистора 1 подается два низковольтных напряже 60 ния питания +Е и -Е. В режиме ожидания все транзисторы схемы, кроме транзистора 3, закрыты. На базе...

Номер патента: 978290

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Заверюха, Матвеев, Михаэлян, Смирнов

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...транзистора 2, первый диод 3, транзисторные ключи 4 и 5 ограничительные резисторы 6 и 7, вспо могательные транзисторные ключи 8 и 9, ограничительные резисторы 10 и 11, резистор 12, клеммы для подключения генераторов 13 и 14 импульсов, аналоговый элемент, выполненный на транзисторе 15, резисторе 16 и диоде 17, базовый резистор 18 и транзисторный ключ 19.Устройство работает следующим образом.Предположим, что все ключи заперты, При подаче на резистор 12 отрицательнога импульса от генерато" 8290 4ра 14 транзисторный ключ 9 открывается и по цепи положительной обратной связи открывает транзисторныйключ 5, причем процесс насыщениятранзисторов носит регенеративныйхарактер После окончания действияимпульса запуска транзисторые ключи5 и 9...

Номер патента: 1065992

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Авдзейко, Добрускин, Шурыгин

МПК: H02M 1/08

Метки: транзистором

...изменяется длительность импульсов, Формирующихзапирание транзистора. Сравнениенапряжения эмиттер-коллектор с син -хронизирующим напряжением осуществляется только по Фазе, поэтому изменение величины напряжения источника питания не влияет на процесс переключения транзистора,На Фиг,1 приведена блок-схемаустройства, реализующего предлагаеьы 3 способ управления транзистором;на Фиг 2 - временные диаграммы, поясняющие принцип Формирования сигналовуправления транзистором.Устройство для управления транзистором содержит задающий генератор 1,усилитель 2 мощности синхронизируюшпх импульсов с выходной обмоткой 3датчик 4 выходного напряжения транзистора, сравнивающий элемент 5, Формирователь б Форсирующих импульсовс выходными обмотками 7 и 8,...

Номер патента: 1181100

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Ильин, Михальченко

МПК: H02M 7/538

Метки: переключающим, транзистором

...3 формируется второй дополнительный отпирающий сигнал18 (, Фиг. 1) отрицательной полярности, протекающий по база-коллекторному переходу включающегося транзис тора 1, который становится равным нулю в момент временипосле выхо 2да транзистора в режим глубокого насыщЕния Ток 19 базы (1 , фиг. 1) транзистора 1 на это время увеличивается. Процесс включения форсируется за счет уменьшения тока коллектора на величину тока 1 , что иллюстрируется временными диаграммами 20 и 21 (пунктиром показаны ток нагрузки и падение напряжения на включающемся транзисторе 1 при отсутствии дополнительного сигнала 18).Процесс выключения происходит следующим образом.В момент, предшествующий запиранию транзистора 1, сформированный источником 3 тока, первый...

Номер патента: 1193762

Опубликовано: 23.11.1985

Автор: Безгачин

МПК: H02M 1/00

Метки: силовым, транзистором

...поступающего на базу транзистора 6 с вторичной обмотки трансформатора 3, на выходной клемме 4 Формируется напряжение положительной полярности. Транзистор 5 в это время работает в инверсном режиме и ток через него незначителен. В это же время на коллектор транзистора 8 и эмиттер транзистора 7 поступает отрицательное напряжение от вторичной обмотки трансформатора 1. На эмиттер транзистора 8 и коллектор транзистора 7 подается положительное напряжение вторичной обмотки трансформатора 1 через открытый транзистор 6, Для того, чтобы транзисторы 7 и 8 находились в запертом состоянии, при отсутствии резисторов 10 необходимо, чтобы напряжение половины вторичной обмотки трансформатора 3 было не меньше, чем напряжение двух вторичных...

Номер патента: 1243075

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Дегтярев, Мордвинов

МПК: H02M 7/537

Метки: варианты, его, силовым, транзистором

...13 открыт. К моменту времени С 2 конденсатор 16 всегда заряжен, В момент времени Снапряжение на обмотках 10 и 15 меняет полярность (плюс на концах обмоток), и формируется запирающий импульс напряжения (тока) на переходе база-эмиттер силового транзистора, Импульс обратного напряжения в интервале времени Сз-С формируется за счет суммирования напряженийобмоток 10 и 11. Предлагаемое устройство для управления силовым транзистором применяется в основном для управления инверторами. В случае управления регуляторами напряжения требуется импульс на включение силовым транзистором формировать в интервале времени С 1 -С, СЭ - С, С-С 6, Поэтому в этом случае необходимо организовать два устройства, выходы которых объединены и подключены к...

Номер патента: 1261103

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Башкиров, Уваров

МПК: H03K 17/60

Метки: силовым, транзистором

...7 находятся в открытом состоянии, 55Диод 8 закрыт, и ток по вторичной обмотке первого трансформатора 3 непротекает. Напряжение вторичной обмотки второго трансформатора 4 отрицательной полярности через диод 7прикладывается к база-эмиттерному переходу силового транзистора 1,На втором этапе работы устройстваменяется полярность напряжения навторичной обмотке второго трансформатора 4, Диод 7 переходит в закрытоесостояние. Ток вторичной обмотки второго трансформатора 4 замыкается поцепи: первый вывод вторичной обмоткитрансформатора 4, резистор 9, переходколлектор-эмиттер транзистора 2, переход база-эмиттер транзистора 1,второй вывод вторичной обмотки трансформатора 4. Диод 8 остается закрытым, и вторичная обмотка первоготрансформатора 3 не...

Номер патента: 1262669

Опубликовано: 07.10.1986

Автор: Ловчиков

МПК: H02M 7/5395

Метки: мощным, транзистором

...транзистора снижается, и в момент равенства базового и коллекторного потенциалов мощного транзистора диод 8 смещается в прямом направлении, включая цепь авторегулирования базового тока. Это приводит к тому, что в схеме устанавливается состояние равновесия при котором канал обратной связи по напряжению коллектор-база 4 ограничивается на безопасном уровне, Частотные свойства Д 3 определяют время выключения Т 1, Д 3 работает в низковольтной цепи и поэтому является быстродействующим. 1 ил,2транзистора 1 дифференциальным усилителем 4 воздействует через диод8 на вход управления величиной базо, вого тока транзистора 1, поддержи 5 вая близким к нулю указанное напряжение,Это гарантирует отсутствие накопления избыточных носителей в базе мощного...

Номер патента: 1277313

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Славинский

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...- эмиттер транзистора 2, подключенный через второй диод 10 к коллектору транзистора 6, база которогочерез третий диод 11 подключена кисточнику управляющего напряжения 12.Устройство работает следующим образом,В режиме ожидания транзистор 6открыт вследствие создаваемого смещения на его базе источником 5 питания через резистор 7. На базахтранзисторов 1 и 2 поддерживается отрицательное запирающее напряжение,которое поступает с источника 8 питания через резистор 9, диод 10 иоткрытый транзистор 6, При поступлении от источника 12 переднего фронта управляющего импульса отрицательной полярности транзистор 6 закрывается, так как смещение на его базестановится недостаточным для его отпираний. Величина напряжения входного импульса, при котором...

Номер патента: 1403272

Опубликовано: 15.06.1988

Автор: Авдзейко

МПК: H02M 1/08

Метки: транзистором

...напряжение 19, но так как транзистор 13 остается закрытым, это напряжение не влияет на режим работы силового транзистора 14.В момент времени 1, меняется напряжение на обмотках усилителя 3 мощности. К базе транзистора 12 прикладывается запирающее напряжение и он выключается. Транзистор 13 под действием этого напряжения открывается. Напряжение обмотки 11 в запирающей полярности прикладывается к переходу база - эмиттер силового транзистора 14 и он начинает закрываться. Напряжение обмотки 10 дополнительно уменьшает время выключения за счет смещения перехода база - коллектор в активную область,В момент времени 1 силовой транзистор 14 закрывается, с датчика 15 состояния транзистора на вход элементаначинает поступать 1. Формирователь...

Номер патента: 1467688

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Ключников, Мизев

МПК: H02M 1/08

Метки: импульса, силовым, транзистором, формирования

...14. Междуотрицательным полюсом выпрямителя 9и средней точкой вторичной обмоткитрансформатора 3 включен конденсатор 15. Положительный полюс выпрямителя 9 подключен к базе транзистора 1и - р -п-типа, эмиттер которого подключен к средней точке вторичной обмотки трансформатора 3.Устройство работает следующим об"разом,Напряжение управления Пзаданнойдлительности (О-С,) (Фиг. 2 а) путемлогического сложения на элементах И 5 4 Ои 6 с напряжением генератора 7 07(Фиг,2 с). На отрезке С- образуютсяпаузы. Напряжение Б, подается навход выпрямителя 9, Диоды 11 и 13формируют положительный импульс У 1(Фиг. 2 Й), подаваемый на базу силово"го транзистора 1, Диоды 10 и 12 формируют на конденсаторе отрицательноенапряжение Б(фиг. 2 е), возрастающее .на...

Номер патента: 1480048

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Мельников

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...- не превышающих(0,3 - 0,5). ном 3 бэ транзистора 1.не превышает 0,8-1,0 В и при обеспечении полного разряда кднденсатора 4при запуске, например, кратковременным замыканием клемм ключа 8 вольтоограничительный элемент 6 может бытьпредставлен всего одним диодом, а сэмиттером .транзистора 1 и диодом 5связана нся вторичная обмотка.При использовании (см. фиг, 2)транзистора 1 в предельных по токурежимах (напряжение Бдостигает2 - 2,5 В) и при разряде конденсатора 4, например, с помощью триггерного ключа 8, когда остаточное напряжение может составлять 0,5-0,7 В, ми -нимальное напряжение на элементе 6будет уже составлять 2-3 В, что иобуславливает выполнение его на трехчетырех диодах или низковольтномстабилитроне, при этом для ограничения...

Номер патента: 1511826

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Криштафович, Лебедев, Салько

МПК: H02M 1/08, H02M 7/538

Метки: переключающим, силовым, транзистором

...последовательность операций выполняют и в течение нахождения транзистора в открытом состоянии (промежутки времени С- СЗ).Предлагаемый способ позволяет снизить мощность потерь в цепях управления, поскольку в течение времени между подзарядами входной емкости указанные цепи могут быть отключены или переведены в непроводящее состояние, а отношение периода йодзаряда к длительности подзаряда составляет в полевых транзисторах очень большую величину.Устройство для реализации способа (фиг.2) состоит из переключающего полевого транзистора 1, двух управляющих транзисторов 2 и 3 с разным,типом проводимости, активно-индуктивного сопротивления нагрузки 4 и шунтирующего нагрузку диода 5, Устройство подключено к источнику питания Е и источникам...