Криостат
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 669433
Автор: Борзов
Текст
Союз Советских Социалистических Реслублии/24-07 61) Дополнительное к авт. Свпд-вх 22) Заявлено 06.09.77 21) 252017 7 ); Л",К. 1-, 11 ЙГ 1;, 3,)2 явки М с присоединением23) Приоритет осударственнын комете СССР оо делам нзооретеннйОпубликовано 25.06.79. Ьюлл Дата опубликования описация 53) УДК 621 38(54) КРИОСТАТ Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано прп конструировании сверхпроводящих магнитных спстеч.Известен криостат, в корпусе котороп) размещена магнитная система, экран пз сверхпроводящего материала, гслисвая ечкость и тепловой экран 1.Недостатком конструкции такого криостата является то, что экран из сверхпроводящего материала для умецыпения внешних полей, создаваемых магнитной системой, размещен внутри гелиевой емкости. Это увеличивает объем гелиевой емкости и снижает надежность, так как в случае перехода магнитной системь из свсрхпроводяце О в К)рчдльное состояние вы (еляется тепловая энергия испаряется больцое количество жидкого гелия и повышается давлсцпс в криостате, которое может привести к аварии.Цель изобретения - сокрдцецпс ооъечд гелиевой емкости и повышение 5 дг(ежцоси криостата.Это достигается тем, что экран из сверхпроводящего материала размещен между тепловым экраном и гелиевой емкостью и соединен с последней тепловыми х)ост)ми,являю(цимися одцоврсмсц)н) и ) 3,1;чп крс 1- ления экрана цз свсрхпр(водящ 1 О ч;)г(рпдла.На чсртсжс п зоб);1 ж(ц к 1) пос Г 1 Г, и )(1- дог)ы)в 11 р 13 рс 3. В к 1)11 остдтс эк);11 1 1. сверхпроводяпего матсрцдлд почсцьдст(я вце гелпсвой ечкостц 2, д именно н в)куух). ном пространстве 3 между гслиевой емко(тью и тепловым экраном 4. Охлдждсцпс экрдцд из сверхпроводящего материала осу(цсствляется от основной гелиевой емкости 2 по тепловыч мостам 5, которые выполняют также фуцкццк) опор, крепя(цих экран.Процесс экрдцпрованпя Осх шсствлястся следую)цпм Обрдзоч. В здхоложсцноч состо я ц и и м (1 Г ц и т н) 51 с и с те х 1 1 6 и э и р д н я ВГ 1 я к) тся св(.рпровод 51 п(пчп. Прп пол 1)с ток 1 в ОбхОткх мдпитцои .цстсчы 1)О.)р;)так)цс( ч д Г 11111(к 11,1( Р;1 51 1 Я 1;1 в 111 т н кп)- ндх токи, интор 1 с кох)1,. 1 сп 1) к) г 1) ).Гч 1 ссс 5 п(ия и ц(. пропуск 11 от пх 31 пр(хцх)ы экр 1 ц 1, Т. С. Б ЦСР)ООЧ(С ПРОСТР(НСТВО ХГциГЦО 1 систсчы.В прсдложс)цнн конструкции криостдт; ГЕЛ П(В 1 51 (. КОСТ 1 П ХЦ.(Т зц(1 Ч ПТС 31 ЬЦО Х 1 СН Ь - пп и Об с)1 по (. р 1 вцсцпк) с Обчцы)( рдзх 1() Составвитель 3. ГТехред О. ЛуговаяТираж 922 икКор Под тор Е. Паапсное едакто аказ 3/44ЦНИИП СССРй И Государственного комитета делам изобретений и откры осква, Ж - 35, Раушская наПатент, . Ужгород, ул. 113035,илиал П Пщ цвел осцовцых и экрацпрук)щпх оочоток.Вакуумное же прстрацство крио;тата ущличиватся, что ооесцепвет к),ее 7 литеи- цое сохранение вакуума, т. е. лучшей тец.и- изоляции, при одцоч и точ же иатекации аза а вакуум для сравниваемых коцструк 1ццй. Жесткость конструкции гелиевого сосуда увеличивается за счет тепловых мостов и экрацов из листового сверхпроводящего материала, которые с)оразуют короочатую конструкцию вокруг гелиевого сосуда. В целом эти мероприятия повышают цадежцость криостата.4 МХФ Эху, фОРЯУ,20 11500707 ЕН 152:., 3 к Криостат, в корпусе которого размещена .щинитная система, экран из сверхпроводя- ,ф 1,ц 10 х атери 1,121, ге.иБа 5 х к)Г 11 тц,о. ВОЙ ЭКРЦ, 07511 ИЮШ 1111 Я Т.М, 111,ЛЬК) окрацецця огьсча геивой ечкги и ц- вышецц 51 пад.Жцости кроста 121. эрц из сверхпроводящего материала разчцц между тепловым экраном и глпвй емкостью и соедицец с и)следцей тц,овчи мостами, являющимися одцовремеццо и уз 71;1- ми крепления экрана из свсрхпровляпег материала. 1 о Источники информации, прццятыс во вцпмание при экспертизе
СмотретьЗаявка
2520179, 06.09.1977
ВОЙСКОВАЯ ЧАСТЬ 27177
БОРЗОВ ГЕРАЛЬД ГЕОРГИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 39/02
Метки: криостат
Опубликовано: 25.06.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-669433-kriostat.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Криостат</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления цепочек термоэлементов
Следующий патент: Заливочная мастика для герметизации аккумуляторных батарей
Случайный патент: Способ получения 2, 5-бис-(1 -аминоантрахинонил-2 )-1, 3, 4 оксадиазола