Лубашевский

Номер патента: 1361753

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Баринов, Васильев, Герберг, Котловский, Лубашевский, Мухо, Николаев, Степанов

МПК: A61B 17/00, A61B 17/11, A61N 2/10 ...

Метки: лечения, стректур, уретры

...шов, закрь 1 васощий просвет. Нить, выходящая из дистального конца, фиксирована ст уцой проведенной через боковую стенку пс жсимального конца, .по ней низведец проксимальный магнит, концы сопоставлены своими боковыми стенками. Операция закончена восстановлением цистостомы, Время операции 2 ч.,30 мин,Ближайший послеоперационный период гладкий. На0 сутки удалена цистостома. Восстановилось нормальное мочеиспускание. На 14 сутки и церез 1,5 месяца после операции на цистоуретрограм мах просвет уретры без наклонности к сужению. При контрольном бужировании свободно проходит буж18 по Шарьеру. Пример 2. Больной М., 13 лет. Диагноз;посттравматццеская стриктура мембранной части уретры, 6 месяцев после травмьь При обследовании выявлена стриктура...

Номер патента: 1419711

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Герцик, Лощилов, Лубашевский, Портенко, Трифонов, Ходырев

МПК: A61N 1/42

Метки: лечения, полипозного, риносинуита

...на область бох стенок гаймона 1 процедуия 9 10 дней..(риякиы;нп раоочей п)в. риоетьк) л бокооп :(ос рлиос ги нося и клкс псеки в области перелиеи стенки гайыс)ровс)й пазу.си на 20 мин, ;) з,)с 5 О,(ру(ой еоропы к такому же месту па 2) мии.,)ту прои( луру выполняла самс 6 льп я СВБ ра(с Б .(пь ( ры и Вечером) Б 1( 1 епислеи. 1)Ог)ьиа 51 ОГмечслс о 6 ез.1 ИБНП(ии ЗфСК Чс)(ИИОГСр(ЗПИИ Ер;.е нс.(е Операции с та)(поБыи в носу. Ни:(ки с побочпык явлиий пе 6 ыги). Лечение )и ревизии,);1 );орио 1.в З-й,)(с иь ) бо)и й прекр;илиеь притупы чинапия, и па 5 6-й (П 1, 1 С 1 с РИ(1РС и И ИООВ(. Л 1с П ИЕ ( 1,1,1 О ЕБ( ")(,(1(Ь1. 11 ри (С ЫО 1 С ПОГ)(. 5 1(ОЕ( 1 1 ). и О и,(ое м 11 О). рп)пи )с). ИиБи : 1 )С ( (К:, СЛ,П ) ЕРе.(ИИН (и)Е Вцз НС)и(с...

Номер патента: 633395

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, логическая, схема

...биполярного транзистора в виде р-и-иструктуры, а нагрузочного униполярного тран.зистора п.канальным. Данный вариант интеграль.ной схемы имеет повышенное быстродействиеблагодаря использованию неинжектирующего перехода в качестве коллектора переключательноготранзистора. Другим важным преимуществом дан.ного варианта является возможность формироващя в базовой области р-типа переключательноготранзистора диодов Шоттки (или иных выпрям 46ляющих диОдОВ), Вьполннощих роль входьхэлектродов.Интегральная схема работает следующим образом. Электроды 1 и 2 подсоединяются к поло 4жительному и "земляному" электродам источника питания, Если, по крайней мере, на одномиз входов 9, 9 или 9" имеет место высокийпотенциал - "1", величиной, больше...

Номер патента: 602056

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...транзисторы имеют каналы 9 и 10 соответственно. 5Инвертор работает следующим образом. К электроду б прикладывается положительное напряжение, величина которого может составлять несколько десятков долей вольта. При этом если электрод б заземлен, то ток источника питания (на чертеже не показан) протекает через сток нагрузочного полевого транзистора к электроду 8. В этом режиме затвор переключательного транзистора находится под потенциалом, 15 равным потенциалу земли и, следовательно, канал 10 переключательного транзистор а перекрыт слоем объемного заряда, При этом переключательный транзистор закрыт для токов по цепи исток 2 - сток 3, 20 Если на электроде б имеется положительный потенциал (или электрод б оборван), то ток...

Номер патента: 241077

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Лубашевский, Фролков

МПК: G01B 5/30

Метки: деформаций, оболочек

...путем измерения координа 20 стей оболочек оптическим и 1 пася тем, что, с целью ц ции оболочек сложных ко а 0 т с позощью пластично деформированной ц дефорх 25 цостей Оболочкипо раз измерения оордпат точек ют деформации.оболочекк поверхном, От.гпчагоя деформа- раций, полуы слепки пенной поверх- результатов ов определярмаци т точ методо змерен нфигу масс прова ности слепк Известные способы измерения деформаций оболочек путем измерения координат точек поверхностей оболочек оптическим методом позволяют определять деформации только оболочек вращения.1 редлагаевый способ отличается тем, что с помощью пластичной массы получают слепки недеформированной и деформцрованной поверхности оболочки и по разности результатов измерения координат точек...

Номер патента: 208057

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Борисов, Лубашевский, Хренова

МПК: H05K 3/06

Метки: гибридных, дорожек, схем, твердых, токоведущих

...тем, что, с целью улучшения качества токоведущих алюминиевых дорожек, 2 О в качестве материала для изготовления маскииспользуют ванадий, а для удаления маски применяют азотную кислоту. Известен способ изготовления токоведущих дорожек твердых и гибридных схем, который заключается в том, что подложку покрывают токопроводящим слоем, например, алюминия, наносят маску фотолитографическим методом, вытравливают пробельные участки и удаляют маску. Однако в процессе удаления маски про. исходит частичное разрушение дорожек.Описываемый способ отличается тем, что для повышения качества дорожек в качестве материала для изготовления масок используют ванадий.После напыления на подложку слоя алюминия толщиной до 2 х 1 к на него вакуумным...

Номер патента: 129259

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бедов, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Петров, Смолянский

МПК: H01L 21/447

Метки: диодов, кремниевых, плоскостных, повышения, пробивного

...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...