Сверхпроводящий мостик переменной толщины
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 637019
Авторы: Андрацкий, Громаковский
Текст
Союз Советских Социалистических Республик, К о 30.05.7 присоединением заявки2445286/18.25 1 .392 рственным коимтеСССРлац мзобретенммн открытмй9. етень.19 убликовано Дата опубликован сания 29.05.7 Авторызобретен(54) СВЕРХПРОВОДЯЩИ ПЕРЕМЕННОЙ ТОЛК К НЬ нанесеннте расп золидают. Изобретение относится к криогенной элект.ронике и может быть использовано для построения элементов вычислительной техники и приборов СВЧ электроники.Известен сверхпроводящий мостик переменной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных один над другим и разделенных изолирующим слоем, и. металлическую перемычку, осуществляющую слабую связьмежду электродами. Причем если геометрическиеразмеры перемычек достаточно малы, такой мостик проявляет эффект Джозефсона,Однако при такой конструкции невозможнополучение заданных геометрических размеров, а,следовательно, и воспроизводимых электрических параметров мостика,Наиболее близким к изобретению по технической сущности является сверхпроводящий мостикпеременной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных на двух параллельных уровнях, и соединяющую их вертикальную пленочную перемычку. При этом перемычка расположена на вертикальной плоскости ступеньки, соединяющей плоскости берегов. Если размеры перемычки достаточно малы,такой мостнковый переход проявляет эффектДжозефсона. В частности, при действии на пере.мычку перпендикулярного внешнего магнитного поля мостик переключается из сверхпроводящего в нормальное состояние, так же, кактуннельный переход Джозефсона,Но при таком устройстве невозможно долаточно эффективно воздействовать на него магнитным полем тока, проходящего по управляющей полоске, Действительно, из-за того, чтоберега расположены несимметрично относительно перемычки, магнитное поле от управляющего тока будет существенно неоднородным прилюбом расположении управляющей полоски поотношению к перемычке.Цель изобретения - получение заданных параметров мостика,остигается тем, что пленочная перемычоложена на торце изолирующего слоя, ого на нижний электрод, причем в месложения пленочной перемычки торцыующего слоя и верхнего электрода совпаб 37019 Формула изобретения Н оставитель В, КручинкинаТехред Л. Алферова Корректор Е, Лук Редактор Т. Колодцева Заказ 2896/59 Тираж 922 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/5 д, ул. Проектная,На фиг, 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг, 2 - то ке, вид сбоку.Предлагаемый мостик содержит токопроводящие электроды 1, 2 иэ сверхпроводника (бе рега), изолирующий слой 3 между электродами и перемычку 4.Длина мостика определяется толщиной иэо пирующего слоя 3, если торец изоляции совпа. дает с торцом верхнего электрода 1, Толщина мостика определяетсл толщиной перемычки 4. В предлагаемой конструкщп пиапй электрод расположен симметрично относительно перемыч ки. В этом случае магнитное поле тока, прохо. дящего по управляющей шине, расположенной под нижним берегом, наводит экранирующпе сверхпроводящие токи на нижнем и верхнем берегах мостика, Экранпрующив токи создают необходимое для переключения однородное перпендикулярное магнитное поле см. фиг, 2).Необходимое магнитное поле можно создать также пропусканием дополнительного тока через один из берегов мостика перпендикулярно транспортному току. В этом случае, благодаря симметричному расположению нижнего берега относительно перемычки, проходящий по нижне.му берегу дополнительный ток также создает 3однородное и перпендикулярное поле, т.е. улучшаются характеристики мостика,Сверхпроводящий мостик переменной толщины, содержащий два пленочных электрода, расположенных на двух параллельных уровнях, исоединяющую их вертикальную пленочную перемычку, отличающийся тем, что, с целью нофа лучения заданных параметров мостика, пленочная перемычка расположена на торце изолирую.щего слоя, нанесенного на нижний электрод, при.чем в месте расположения пленочной перемычки торцы изолирующего слоя и верхнего элект. фв рода совпадают.
СмотретьЗаявка
2135852, 30.05.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3162
АНДРАЦКИЙ В. П, ГРОМАКОВСКИЙ В. А
МПК / Метки
МПК: H01L 39/22
Метки: мостик, переменной, сверхпроводящий, толщины
Опубликовано: 25.05.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-637019-sverkhprovodyashhijj-mostik-peremennojj-tolshhiny.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сверхпроводящий мостик переменной толщины</a>
Способ нанесения слоя эрозийностойкого материала переменной толщины на рабочую поверхность реактивного сопла
Номер патента: 148302
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Иванов
МПК: B05B 17/00, B64D 33/04
Метки: нанесения, переменной, поверхность, рабочую, реактивного, слоя, сопла, толщины, эрозийностойкого
...переменной толщины на рабочую поверхность реактивного сопла, например ракетного двигателя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью соответствия толщины наносимого слоя величине эрозийного износа, сопло равномер но вращают относительно продольной оси и наносят слой покрытия при помощи, например газопламенной горелки-распылителя, которой сооб. щают равномерное продольное относительно сопла движение и обеспечивают перемещение головки горелки эквидистантное профилю сопла Составитель описания М. Н Фейгельсон Редактор В. В. Хазова Техред А. А. Камышникооа Корректор В, Андрианов Объем 0,18 изд. л. Цена 4 ког вете Министров СССРГароди. к печ. 6.Иг,Зак, 5558 ЦБТИ Комитета по делам МоскаФормат бум. 70 Х 1081/и Тираж 600изобретений и открытий...
Устройство для измерения толщины магнитных поверхностных слоев
Номер патента: 1057901
Опубликовано: 30.11.1983
Авторы: Лухвич, Мелешко, Рудницкий, Шукевич
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитных, поверхностных, слоев, толщины
...зависит от содержания 35магнитной Фазы в исследуемом металле 12 .Вследствие того, что конструкциямагнита не позволяет регулировать глу-,бину намагниченного слоя, на показания 40прибора при измерениях оказывает влия"ние ферромагнитная основа иэделий.Поэ-тому понижаются чувствительность иосо-бенно точность измерений в тонкихнаправленных слоях и ограничиваетсяобласть применения известного устройства,Цель изобретения - повышение точности измерения.Поставленная цель достигается ф ; 50 тем, что в устройстве для измерения толщины магнитных поверхностныхслоев, содержащем рычаг с уравно" вешенным противовесом постоянным магнитом и спиральную пРужину, пос тоянный магнит выполнен из двухчастей, установленных соосно одна иад другой на регулируемом...
Устройство для измерения толщины магнитных поверхностных слоев
Номер патента: 1206677
Опубликовано: 23.01.1986
Авторы: Лухвич, Рудницкий, Шукевич
МПК: G01N 27/72
Метки: магнитных, поверхностных, слоев, толщины
...4 2 О может служить хром, нанесенный гальваническим путем. Ее толщина выбирается из следующих условий;25 0 усом 2 мм лщину ни Постоянный магни ать ет контролиро покрытий с в е 2-300 мк позвол келевь очностьюолщине с 0,05(сЕПетсисим зон00 в диапсвышение от тклонети силы на акс)ф ( инеиности за ия - толщина а показания шарового сегмента радиу мм- толщи- намаг посто тяж яжения в а оболочки, мм;иченность материаланного магнита, кАм параметро:.ективно итно чесме яниягнитного магнита покрыт ичивание лем. Кр аняет отя, что обеспечива покрытия более од ме того, оболочка т намагородным редохизноса по эксплуат ы немагни овия отст тоянныиции. Нижной обол агнитий прев про дел толщи ран из ус шероховат чки вы влиян ти...
Устройство для измерения толщины магнитных материалов
Номер патента: 123716
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Гуков, Халамейзер
МПК: G01B 7/06
...магнитного поля, проходящего большей частью по магни топроводу МП, в обмотке 1,2 индуктируется э,д.с, е той же частоты.При резонансе во вторичной обмотке Е 2, когда контур представляет собой активное сопротивление, фаза колебаний напряжения е 2 совпадает с фазой колебаний напряжения е Элементами резонансного контура является индуктивность обмотки Е, величину которой можно изменять, внося в воздушный зазор 6 ферромагнитную ленту, и конденсаторы СС 2 и Сз с переменной емкостью, служащей для подстройки контура в резонанс.Колебания с резонансного контура с напряжением е, поступают противофазно на детекторы Д. Одновременно на детекторы синфазно поступает опорное напряжение 4, фаза которого на 90 отличается от фазы напряжения е 2. Это...
Способ измерения поля анизотропии тонких магнитных пленок
Номер патента: 205372
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Август
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких
...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...
Предыдущий патент: Способ переработки алунита
Следующий патент: Полый холодный катод
Случайный патент: Способ получения порошковых материалов из термопластов