Способ электролитического травления фосфида галлия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 632269
Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус
Текст
ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВМДИИЛЬСТВУ Фт ( Союз Советских Социалистических Рестубдик(23) 11 риоритет -ОпубликоваДата опубли сударвтненный ноинт сс(".Р) Авторыизобрет. н ия Ч. ипт,с, 1 А. К;)( рот ). ,., 1;.и Ю. 1 Чропк Новосибирский государственнь)й у )кв физики полупроводников Сибирского 0 ситет и Институт съ пр,)л р Ат- СС( 1)) 3-я Ви ге(54) СПОСО ЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАГ 1 ЕНИФОСФИДА ГАЛЛ 11,1 5 1 1 (ЙрГ 1(потносит 51 к тхпОлОГии 1)ропзво.(с Га ИО, проводиковых х 1 е)тр)1 а.(1в и чо.к(Йыт), ис)нг)ьзсвао при подготовке О;р х пос" иОс(1)ид( ге)лл я посредствоч зл кр(,и Ги 1( с КО 0 тра ,1 пня., ( 1 сп(со( .Г)(.ктр 051 гниского 1 ра В- . и. ИО, , )р 00.13(КО 1,1 (1 гр)алов, на- )П . р К 1(ГЧ)я. В рс):)Л)1)Ь)Х ЭЛЕСтрОЛ ). С) 1 ПЧ СИВ КИ):, ПРИЧПЯЯ ИЗ)ЗЕСГ- ,)цК)0 (1, ( 0.)чожпс получить зер.1,;)Г 1 0-00,)ИО);)ПУ К) 0 РК 0(ТЬ фосфи- Д( ;)ЛЛ 151.113 ЙО.с Й,Изкич к пр;(лагам)ох)у явл 51(.тс 5 по(ОЙ злктролтиескоГ тра В 1- пи 51 (.(1)1 Д( )л,)иЯ, Вкг к)(1)3 ОИ 1 и й тРВВ. е. ппп)1(ч 0)ружц образна рабочей стон)пй, злс к грслпт, подсоедииецик злктр 0- ЛПГу К)10.1), а К ПрОтИВОПОЛСжной СтОрОс образ)В анода и создание )ктска злектролит 1). 11 ри зточ злектролитияескую ячейке .5 И 0 51 к)т 1")ОЫ) ре)створ 01 п.1 аВИКО- сй кислоты.,1)ко при травлении 00 раз 110 эпитг)к - сиальны. структур типа и -и+ р со сторопы пои рх Ости подложки п.типа, совпадак- щей с кр )стллс)грасрическо 5 плоскостьк: 111 . (, )р(гпСкп и( Ожп 0,1001311 С 51 3(. РКГ),100 К(1.Т 3(РХ ПО("1 ГР 1 -6322 9 Фор,уса (зоб)гтсснгг.сг Составитель В. МякиненковТехред О. Луговая Корректор г. ГриценкоТираж 922 ПодписноеЦИ И И П И Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4,5филиал П П П Патент. г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Редактор Т. КолодцеваЗаказ 369452 ш всечу примстру к погожитсг ьном электрогу 3 повс рхностьн) г-об,асти. О поверхности подложки и-типа сс:ЗЛ 3 От Каток элект Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и конццтрации ЭГ( Сс К Т Р 011 0 В 13 110 ЛЛ 0 Ж К С.с 1 Н ) 51 Ж С 1310 С Г Ь ) Г С К 1 РИС кои ПОГ 1 Я )ПО.3 Н( /Сетс 1 ОЧД;31 Я 2 О рзрзис нпя те(тдны.с (язей нд невер., - ности (111гз. хро.тсОо, ускорснцыс в этом п 0,1 эг 1 ск Гн) цы ИРиООРс тсн)1 нсРГИ 10, НСОбХС)ЛИ О,551 ОораЗОВБНИ 51 КвсЗНТОВ СБ(с.тд при вздичОЛнсгвии с вецествоч. С,вегошй н)ток частично шггоидется в (нрдзц с Образовднисм новых носителей зарялд, д и;л ично 3хо,и НсРУжУ, способствУЯ РдстЗорс пик Окиой лс цки нд .;оверх(ости пол- Лж с 13 . ( . 1 0 р и С Т Ь Н р и С К с 3 Н И 51 с, с КТ Н ) 51 И Т с 1 1 с С- Тс 13 сВ.ПЗДН) Г 33 СОО ВС С ТЗИ 3 С ХсКСИЧЗОК и,Отшсти ,к грол гичкн О исе, нрохо 4ля 3 си ц рс Обр;15 и (0,2 -0,3 А сч). ТдК)й ОИТИ)113(П НЫ( Рс(н)1 С(ТБ 1 ТБЧ(Т 13- иболсс погиО х рссЗор нО пр лх кто 5 элк- ТРО.,111(ЧССК )С сК 11 Е;103 Я 1)ОГСК;СГ В р(.ЖИ сс Лпс Ъц С С КО рс 1 В НОВС И 51. 1 с Кн т Оорзом, ОЛНОВрсмн нос ссЛ 1 ис и:51)ЛЗатсльнго электрического л; си нНц и про(ня Б (нрдзце с оптимальным и ком з,цкгроГпТс 1 НОЗОГ ЯС Т СОЗЛБТЬ РС ж И т:5(РКс 31 ЬНОИ полировки при травлении эпитдксиальцых струков) р ЫБР типа и - пф - р со с Ороны поверхнстн полложки с ориентацис и (11 ) А. 1, (:пособ электролитичсско;О травлс Ия ОС(п,с с,1 ЛИ 53, ВКЛК)сЗН)иИ ИРсЗБГСспп иггет огружсния образца рдбочси лороной и электролит, поЛсоеЛине(ие 1. эгс ктроГНЗТ КсТОЛ 3, Д К ПРОтИВОПОГНЖШй СтОРОНС оорд;иа аноЛа и созЛднис нтока электро- ,И ГД, От.Г(с(ааиГСГС 5 тС Ч, Что, С ЦС,ЬН ИОГ- с.Ни 51 3.тксЗльно-Глдлкои ИОБР хин(.Ги, 1 Рсвге 3 е п роЗс),15 т 13 130;ОН растзорс 1 и;ро- ОКИСИ Н а Т Р И 53 ПР И Н Д П Р Я Ж Сс Н Н и С Г И ЭГ С К Р И- чсс кого поля 40 70 Е)гчк и скороеи потока ,цктцлита 3 5 ч,с.Источник Ип 1 орчции, ринятыс БО внимание при эксперти Зс1. с)йннтсйн СЧ. С)брботкг) и здшиТс 3 П(13(сРХ 1 ОСП НОГмиОЗС),иКО 51 Х ПРНборовЧ., Э 3 рги 5, 1070, с. 71 7 Ь2. Травление н,упро 505 нико 5. 1 с р.цл.(;. Е 1. ГоринЧ., Чир, 101 , . +2 233.
СмотретьЗаявка
2455430, 21.02.1977
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО АН СССР
ПИНТУС С. М, КРИВОРОТОВ Е. А, ЛИТВИН А. А, МАРОНЧУК Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/3063
Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического
Опубликовано: 25.06.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-632269-sposob-ehlektroliticheskogo-travleniya-fosfida-galliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электролитического травления фосфида галлия</a>
Предыдущий патент: Импульсная газоразрядная лампа
Следующий патент: Электроплазмолизатор для измельченного растительного сырья
Случайный патент: 154173