Полупроводниковый прибор

Номер патента: 1265950

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Вершинин, Дворчик, Реуцкий, Троицкий

МПК: H02M 11/00, H02M 7/44

Метки: полупроводниковый, рода

...на 90 эл,град.),в схеме (фиг,З) возникает трехфазныйток, Трехфазные колебания могут бытьпоручены как при согласном, так ивстречном включении витков Й,и И атакже при наличии трех обмоток возбуждения в каждой Фазе. Ток (напряжение) ограничивается на заданномуровне за счет .нелинейности Холловского типа.Необходимые для компенсации реактивной мощности витки Ц при большихпараметрах Холла существенно меньше,чем основные витки Ц. Таким образом,в магнитном поле удается запастина 2-3 порядка больше энергии в единице объема, чем в электрическомполе, т.е. дополнительный нес магнитной системы оказывается существвенно меньше, чем вес конденсаторов,необходимых для компенсации реактивной мощности,и,2. Преобразователь по п, 1, о т"л и ч...

Номер патента: 136440

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Веденеев

МПК: H02M 1/04

Метки: импульсов, модулятор, полупроводниковых, усилителей, ширины

...на кремниевых стабилитронах СТ, и СТ 2, питающегося через сопротивление Р, от напряжения переменного тока объекта регулирования, и интегрирующей РС-цепочки, содержащей активное сопротивление Р и конденсатор С. Для управления величиной постоянной составляющей выходного напряжения пилообразной формы часть сопротивления Р интегрирующей цепочки шунтируется через диод О, который позволяет получить разные постоянные времени заряда и разряда конденсатора С.Если движок сопротивления тт, установлен в среднем положени 1, то на конденсаторе С возникает двухстороннее пилообразное напряжение. При передвижении движка вправо от среднего положения (показано на чертеже сплошными линиями) заряд конденсатора происходит быстрее, чем разряд, и...

Номер патента: 1381646

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Бахнов, Блант, Добров, Коляндр, Лабковский, Левитан, Петрик, Элькин

МПК: H02H 7/10

Метки: вентилях, полупроводниковых

...тиристоры 1.1, 1.2-1.п.Этому состоянию силовой схемы соответствует логический сигнал "1" напервых выходах измерителей тока 5,1,5.2-5.п и 6и логический сигнал "0"на вторых выходах указанных измерителей тока, а также логический сигнал "1" на зажиме 9,Это означает наличие сигнала "1"на первых выходах управляемых ключей7.1, 7.2-7.п и 8, а также на выходеэлемента И-НЕ 11 и наличие сигнала"0" на вторых выходах управляемыхключей, а также на выходе элементаИ-НЕ 10. На выходах обоих элементовИ 12 и 13 присутствует сигнал "0",соответствующий прохождению тока через все параллельные тиристоры,Допустим, что ток по схеме вообще не проходит. Этому состоянию силовой схемы соответствует "0" на обоих выходах датчиков 5,1, 5.2-5и и 6 наличия тока, на обоих...

Номер патента: 366423

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26

Метки: нестабильности, обратных, переходов, полупроводниковых, токов

...с испытуемым полупроводниковым прибором образует управляемый делитель напряжения,Устройство работает следующим образом.С приходом импульса Пуск триггер 2 и счетчик 5 устанавливаются в такое состояние, прои котором ключи 7 - 12 закорачивают сопротивления 18 - 18, а триггер разрешает поступать импульсам с выхода генератора 4 через ключ д на счетный вход счетчика б. Счетчи 1 к, управляя ключами 7 - 12, увеличивает ступеньками сопротивление делителя; прои этом увеличивается ступеньками и напряжение Ь, снимаемое со средней точеки делителя, которое подается на вход схемы 1 сравнения:Редактор А. Батыгин Корректор А, Степанова Заказ 432/14 Изд. Лгз 114 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете...

Номер патента: 1417128

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Егиазарян, Зомерфрайнд, Рубин, Стафеев, Чубаров

МПК: H02H 7/10, H02M 1/00

Метки: датчик, магнитоуправляемый, полупроводниковый

...9 защиты. Магнитотран. эисторы 7 и 8 пвмещены в магнитное поле катушки 10 индуктивности источни 25 ка 11 поля, подключенной к регулируемому источнику 12 питания.Датчик работает следующим образом.При отсутствии управляющего тока от источника в катушке 10 индукция магнитного поля равна нулю. Падение напряжения на магнито-транзисторах 7 и 8 минимально и равно ГГр, Напряжение в диагонали моста 4 (между точками А и Б) равно35 1 ГДВПдГГВ 1 К 2 Цр где К - сопротивление резистора 1;- ток, протекающий через Ки практически равный току 4 Онагрузки 3,.Потенциал точки А выше потенциала точки В.Исполнительный орган 9, вход которого подключен к точкам А и В,надеж но заперт, Например, к точке А подключен катод тиристора, а к точке В - его...