Двухоперационный тиристор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
В"пател:и;" теничесналб"олиоте Союз Советских Социалистических Республик61) Дополнительное к авт. саид 293512/26-2 аявлено 030 3.69,с присоединением заявки Щ 188006 26-2 осударствеииый комитет ссср по дедам изобретений и открытий(72) Авторы изобрете И. В. Грехов и И. А. Линийчу аявитель на фи Иоф ена 4 ) ДВУХОПЕРАЦИОННЫР 11 ИРИСТОГ вып тей си, к и цию тра 2 Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых переключающих приборов.Известны двухоперационные тиристоры, содержащие планарный,эмиттер со слоем высокой концентрация у поверхности и базу со слоем повышенной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода,а также электроды к эмиттерам и ко второй базе. Од 1 нако известные тиристоры отличаются низким значением выключаемого тока Лигач,пониженными частотными свойствами, высоким остаточным напряжением Ощу и дре Для улучшения электрофизических параметров в предлагаемом тиристоре планарный эмиттерный слой, через1который осуществляется управление,олнен из двух однотипных обласс различной коНцентрацией примепричем область, примыкающаяереходу, имеет меньшую конценпримеси по всей поверхности перехода, а широкая база содержит слой с повышенной концентрацией примеси переменной величины, при этом градиент концентрации направлен в сторону примыкающего к нему эмитте- ра технический институт и Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключаеый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов р-л-р ф пг), приАвыполнении. Условия, "р-о.р ф.ра также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направлен к анодному эьиттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины р.п.р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в широкой базе.Структура может быть реализована при помощи ряда. последовательных диффузий или посредством эпитаксильного наращивания.Предлагаемая конструкция двухоперационного.тиристора по сравнению с известными конструкциями имеет45742лучшие значения таких параметров как выключаемый анодный ток, время включения и выключения и остаточное напряжение.Формула изобретенияДвухоперационный тиристор Р-п-,р-птипа, содержащий планарный змиттер со слоем высокой концентрации у поверхности и базу со слоем повышен ной концентрации примеси у анодного эмиттерного перехода, а такЖе элек 14троды к змиттерам и ко второй базе, отличающийся тем, что с целью повышения выключаемого тока и улучшения частотных характеристик, содержащийся в базе слой по вышенной концентрации примеси выполнен с переменной концентрацией, градиент которой направлен в сторону . примыкающего к нему змиттера, а упомянутый планарный змиттер выпол нен так, что слой с высокой концентрацией примеси отделен от базы однотипным с Ним слоем с меньшей концентрацией.р Р Заказ 3253/51 Тираж 922 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035 Москва ЖРа шская наб. д. 4 5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель О, ФедюкинаРедакктор Л. Письман Тех е Н. Андрейчук Ко екто К. Папп
СмотретьЗаявка
1293512, 03.01.1969
ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ
ГРЕХОВ И. В, ЛИНИЙЧУК И. А
МПК / Метки
МПК: H01L 29/00
Метки: двухоперационный, тиристор
Опубликовано: 05.06.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-457421-dvukhoperacionnyjj-tiristor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Двухоперационный тиристор</a>
Устройство для определения концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 658507
Опубликовано: 25.04.1979
Автор: Нахмансон
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей
...В - коэффициент пропорциональ-, ности, а Ч - напряжение образца, Для 14 ДП структур эти формулы также могут быть использованы, поскольку диэлектрик .чисто 1 формально (с некоторой траисФормацией толщины в соответствии с разницей диэлектрических постоянных) может быть отнесен к области пространственного заряда. устройство для измерения концентрации примесей работает следующим образом. Высо кочастотн ый сиги ал ча. готы 1, от генератора 1 через мо. дулятор 2 и усилитель 3 попадает на мост 4, и, пройдя через образец 5, выделяется на малом токосъемном сопротивлении 7. С помощью емкости 6 можно скомпенсировать ток, текущий через паразитную и краевую емкость С , так что сигнал на выходе моста будет пропорционален только емкости 1...
Устройство для измерения концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 924634
Опубликовано: 30.04.1982
Автор: Усик
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей
...6они смешиваются на нелинейной емкости образца и на малом реактивном сопротивлении блока 23 выделяется наЯпряжение Ч- М " - ф М Х (5)Сгде 1 = Г- Г,Й - концентрация примесей. 5 9246на сигнал проводимости, т.е. на выходе его регистрируют сигнал, пропорциональный проводимости С испытуемого полупроводника 6. Сигнал,пропорциональный емкости С полупроподника 6, поступает с детектора 10на вход усилителя 11 постоянноготока, на второй вход которого поступает опорный сигнал с задатчика 26, Разностный сигнал усиливает 1 оусилитель 11 и через ВС-фильтр 12подает его на вход усилителя 3,Обозначим амплитудные значениянапряжения сигнала на выходе усилителя 4 через Ч, на выходе синхронного детектора 10 - Ч , на выходесинхронного детектора 13 - Ч...
Устройство для определения концентрации примесей в полупроводниковых образцах
Номер патента: 1128202
Опубликовано: 07.12.1984
Автор: Усик
МПК: G01R 31/26
Метки: концентрации, образцах, полупроводниковых, примесей
...усиления регулируемых40 усилителей 2 и 8,.Расстояние Х от металлическогоконтакта связано с емкостью С обедненного слоя полупроводника Форму-лой Х = АС , где А - некоторый коэф 45 Фициент пропорциональности.Устройство работает следующимобразом.1128202 тора 21 через Ос ношением 4Они связаны соотО= С=Х д(2) 55 3Высокочастотный сигнал с частотой от генератора 1 через регулируе мый усилитель 2, фильтр 3, где происходит подавление частоты 2 возникающей в усилителе 2, поступает на вход повторителя 4.С дополнительного выхода фильтра 3 противофазный сигнал поступает через конденсатор 22 на вход повторителя 16. Чисто гармонический сигнал с часто О той Г с выхода фильтра 3 через повторитель 4 поступает на испытываемый образец...
Способ определения концентрации примесей
Номер патента: 890228
Опубликовано: 15.12.1981
МПК: G01N 27/72
Метки: концентрации, примесей
...магнитное поле. Сигнал с датчика 1 поступает на измеритель мощности шума Холла 1, с которого полученное значение посту" пает в блок вычитания - сравнения 5, В блок 5 поступают также сигналы, запрашиваемые из блока памяти 6.В эталонной среде сигнал с датчика 1 характеризуется некоторой мощностью шума Холла О . Гсли теперь2.датчик внести в анализируемую среду, то мощность шума Холла его изменится и станет равнойб . После обнаружения примеси блок вычитания - сравнения 5 запрашивает блок памяти 6 и сравнивает полученную из блока 6 функциональную зависимость мощности шума Холла от напряженности магнитного по" ля с Функциональной зависимостью разности б; Д от напряженности магнит 2 2ного поля Н, При совпадении одной из семейства кривых,...
Устройство для контроля концентрации примесей в промывных ваннах
Номер патента: 1001023
Опубликовано: 28.02.1983
Авторы: Захарчук, Ильинков, Маркин, Олифер, Ошмянский
МПК: G05D 11/08
Метки: ваннах, концентрации, примесей, промывных
...к второму входу блока 10 сравнения.Устройство работает следующим об-. разом.При поступлении подвески с деталями в промывную ванну 1 с задатчика 8 коэфФициента переноса электролита и эадатчика 9 площади деталей на подвеске в вычислительный блок 6 вводятся соответственно значения коэффициента переноса К и площади деталей б . В вычислительномблоке б производится вычисление концентрации примесей С в промывной ванне.Изменение концентрации примесей о промывной ванне происходит эа счет пе./реноса подвеской электролита из предшествующей ванны и за счет добавления в ванну промывной воды,Количество ц примесей, занесенных из предшествующей ванны, вычисляет" ся по Формуле= Я К С, (1) где СОВ - концентрация электролита вванне, предшествующей...
Предыдущий патент: Вулканизующаяся композиция для обрезинивания текстильных материалов
Следующий патент: Способ очистки газа от сероводорода
Случайный патент: Устройство для управления жидкокристаллическими модуляторами