Патенты с меткой «накопительным»

Номер патента: 220309

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вишенчук, Львовский, Швецкий

МПК: H03K 17/60

Метки: конденсатором, накопительным

...на диодах 3 и 9 и триоде 1.При отсутствии управляющего напряжения триод 1 заперт падением напряжения на открытом диоде б, через который протекает ток источника отрицательного напряжения. При закрытом триоде 1 окажутся закрытыми диоды 9 и 10, в результате чего конденсатор 8 окажется отключенным от входной схемы, и на выходе В будет такое напряжение, которое было на входе схемы в конце действия стробирующего импульса.Процессы заряда и разряда конденсатора 8до уровня входного сигнала происходят следующим образом. Если входное напряжение большое, а конденсатор 8 разряжен, то при поступлении стробирующего импульса на вход 5 Б конденсатор 8 заряжается током этого импульса через диод 10. При этом диоды б и 3, а также переход база - эмиттер...

Номер патента: 278211

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Варлинский, Ленинградский, Смолов

МПК: G06F 3/05

Метки: конденсатором, накопительным

...предельно возможной для транзисторных схем скоростью.20 Схема диодно-транзисторного устройствадля управления накопительным конденсатором показана на чертеже,Устройство состоит из мостового диодногоключа, выполненного на диодах 1 - 4, и уп равляющего триггера на двух переключателях тока с транзисторами разного типа проводимости 5 - 10. Резисторы 11, 12 и источники напряжений смещения Е и Е определяют величины токов смещения, протекающих через 30 диодный мост в открытом состоянии. Перемен278211 10 по коэффициенту передачи на равенство токов смещения устраняется путем включения в эмиттерпую цепь одного из генераторов тока переменного сопротивления 11,Наличие пусковых транзисторов 6 и 9 обеспечивает независимость точности работы диод- ного...

Номер патента: 664586

Опубликовано: 25.05.1979

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/788

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...для вызывания канальной инжекции.Величина напряжения может быть достаточна для разогревания электроновдб энергии 1 3-3,8 еЧ.При наличии управляющего затворак нему может быть приложен потенциалподожительный посравнению с потенциалом стока,При управлении по способу, согласно изобретению, отрицательный заряд, находящийся до этбго при срав"нйтеЛьно полбжительном потенциалезапомиНающегб затвора, происМодйтэлектрически с помощью канальнбйинжекции. Накопительный затвор палевого транзистора при программированиизаряжается зарядами; которые самифорМируются в полевом транзисторетаким образом, что заряд, благодаряиндукции,-воздействует на ток стокистока тормозящим образом вместо пе-.редающего так, что заряженный накоп 11 т,ельный затвор в...

Номер патента: 791272

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Бернвард

МПК: H01L 29/72

Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором

...около 351 Ч при первой очистке и в пределах одной минуты при двадцатой очистке. Измеренная продолжительность очистки увеличивается от очистки к очистке, Наконец продолжительность очистки превосходит максимально допустимое, произвольно установленное значение, с которого очистка рассматривается как нарушенная и более невозможная. Необходимые для электрической Очистки затраты незначительны. Применение и-канала вместо -канала для запоминающего полевого транзистора необходимо, так как иначе невозможно программирование посредством канальной инжекции и очистка посредством туннельного эффекта Фоулера-Нордхейма.В дальнейшем последующее развитие предлагаемого устройства основывается на новом понимании причин и вспомогательных возможностей...