Бородзюля

Устройство для измерения емкости мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 995028

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...в общеизвестных моделях для генерационно-рекомбинационных процессов в обедненном слое полупроводника для определения времени жизни носителей заряда. Целью. изобретения является расши" рение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения емкости МДП"структур введены регулируемый источник постоянного эталонно" го напряжения и дифференцирующий вольтметр, причем регулируемый источник постоянного эталонного напряжения включен между выходом компаратора и одним из входов дифференциального усилителя, а дифференцирующий995028 оставитель Н, Чистяковаехред А. Бабинец Корректор В Гу Бутягвйекль а Ъ а Реда дписно каз 634/31 ВНИИПИ Госуд по делам 113035, МоскТираж 708 ственного коми зобретений и оЖ,...

Зондовая головка

Загрузка...

Номер патента: 669430

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Бородзюля, Голубев

МПК: H01L 21/66

Метки: головка, зондовая

...корпус 1 с нанесенным наего контактную часть электроизоляционным слоем 2, на котором расположен металлический зонд 3, соединенный с электроконтактным выводом 4.669430 Формула изобретения Составитель Н, Сменов Техред О. Луговая Корректор М. Пожо Тираж 922 Подписное ЦИ ИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор М. РоговаЗаказ 365 044 На корпусе зонровой гловки расположено ограничительное кольцо 5, выполненное из трббки с внутренней полостью 6, заполненной жидким диэлектриком, например силиконовым маслом.Тонкий слой жидкого диэлектрика смачивает рабочую поверхность зондовой головки, реньшает коэффициент трения...

Зонд для исследования полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 661317

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Бородзюля, Голубев

МПК: G01N 27/02

Метки: зонд, исследования, полупроводников

...определять параметры как объема, так и поверхности полупроводника.На чертеже показан предложенный зонд.В корпусе 1 зонда выполнены канал 2 и полость 3, сообщающиеся. между собой и заполненные жидким металлом-ртутью.Корпус изготовляют из материала, не смачиваемого ртутью, например оргстекла. Со стороны выхода канала на корпус наносится тонкая пленка 4 диэлектрика, например нитроцеллюлозы или двуокиси кремния.661317 формула изобретения Составитель М КТехред О. ЛугоТираж 1089дарственного комитетаизобретений и открытЖ - 35, Раушская набнт, г. Уж город, ул. П венкоКорректор Подписно СССР ап Редактор Т. ОрловскаяЗаказ 2430/39 ЦИНИПИ Гопо делам113035, Москва филиал ППП Па д, 45оетная, 4 На противоположной стороне корпуса крепится контактный...

Устройство для измерения емкости мдп-структур

Загрузка...

Номер патента: 635441

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...Н. Коляда Заказ 2216/3 Подписное Тираж 1080 Изд. Мо 780 Типография, пр, Сапунова, 2 уровень емкости при произвольном заданном напряжении на образце МДП-структуры.Указанная цель достигается тем, что в устройство введены источник напряжения смещения и дифференциальный усилитель, соединенные с компаратором, причем источник напряжения смещения, схема формирования выходного сигнала и устройство индикации соединены параллельно, выход дифференциального усилителя соединен с управляющим, а выход генератора импульсов - с аналоговым входами схемы формирования выходного сигнала.На чертеже дана структурная схема устройства для измерения емкости МДП-структур.Устройство состоит из образца МДП- структуры Смдп, компаратора 1 (мостовая схема),...