Способ определения электрической гетерогенности поверхности полупроводников и диэлектриков
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об электрической гетерогенности поверхности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в герметичной камере увеличивают, если образец был заряжен в вакууме.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в герметичной камере уменьшают, если образец был заряжен при атмосферном давлении.
Описание
Цель изобретения повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности.
На фиг. 1 и 2 приведены зависимости разрядного тока I и давления Р в герметичной камере от времени откачки

П р и м е р 1. Измерение электрической гетерогенности поверхности кристалла LiF, заряженного отрицательной короной в атмосферных условиях.
Кристалл размером 1х1х0,5 см (площадь исследуемой поверхности 1 см2) размещали на держателе в герметичной камере. Измерительный электрод (зонд) площадью 1 см2 располагали параллельно поверхности кристалла на расстоянии 1 мм от нее. Затем давление в камере постепенно снижали путем откачки воздуха форвакуумным насосом. В процессе откачки наблюдались электрические разряды пробои промежутка между поверхностями заряженного кристалла и зонда. Регистрацию разрядных токов осуществляли с помощью самописца с постоянной


Si=

Qi=Ipi


Ui разность потенциалов между поверхностью образца и электродом;

d расстояние между поверхностями образца и электрода;
Ео электрическая постоянная;
Е диэлектрическая проницаемость воздуха;
Ipi ток разряда. производят расчет Si, Qi, Результаты расчетов приведены в табл. 1.
Из приведенных в таблице результатов следует, что даже при специальном униполярном заряжении поверхность кристалла LiF оказывается заряженной неоднородно, что отражает существующую физическую гетерогенность поверхности.
П р и м е р 2. Измерение электрической гетерогенности поверхности свежего скола монокристалла LiF, приобретающего электрический заряд в момент прохождения трещины при сколе.
Исследовали образцы LiF, расколотые по плоскости (100) в атмосферных условиях. Последовательность операций такая же, как в примере 1. Запись токов разряда приведена на фиг. 2. Результаты расчетов представлены в табл. 2.
Из табл. 2 и фиг. 2 видно, что заряд отдельных участков свежего скола монокристалла LiF не только отличается по абсолютной величине, но и по знаку.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков. Цель повышение разрешающей способности, экспрессности и информативности. Над поверхностью образца размещают на фиксированном расстоянии электрод. Образец и электрод помещают в герметичную камеру, в которой изменяют давление. При некотором давлении происходит электрический разряд между заряженным участком образца и электродом. Регистрируют ток разряда и давление, по которым определяют площадь заряженных участков и их заряд. 2 з. п. ф-лы, 2 ил. 2 табл.
Рисунки
Заявка
4228453/25, 13.04.1987
Институт физической химии АН СССР
Саков Д. М, Липсон А. Г, Клюев В. А, Кузнецов В. А, Топоров Ю. П, Ревина Е. С
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической
Опубликовано: 20.08.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1454166-sposob-opredeleniya-ehlektricheskojj-geterogennosti-poverkhnosti-poluprovodnikov-i-diehlektrikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения электрической гетерогенности поверхности полупроводников и диэлектриков</a>
Предыдущий патент: Способ получения изогнутых сотовых панелей
Следующий патент: Устройство для исследования термальных вод в скважинах
Случайный патент: Преобразователь аналог-цифра