Ревина

Способ определения электрической гетерогенности поверхности полупроводников и диэлектриков

Номер патента: 1454166

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Клюев, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Топоров

МПК: H01L 21/66

Метки: гетерогенности, диэлектриков, поверхности, полупроводников, электрической

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ГЕТЕРОГЕННОСТИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, основанный на размещении электрода на расстояние d над заряженной поверхностью образца и измерении параметров электрического разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, экспрессности и информативности, используют плоский электрод, имеющий площадь, равную или больше площади образца, помещают образец и электрод в герметичную камеру, в которой изменяют давление до появления разряда между образцом и электродом, регистрируют давление, токи разряда и их направление, определяют напряжение между электродом и образцом, по полученным значениям вычисляют заряд и площадь заряженных участков поверхности, по которой судят об...

Керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 1712340

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Гагина, Кузнецов, Липсон, Ревина, Саков, Симаков, Топоров

МПК: C04B 35/00

Метки: керамический, материал

...составы материала и его, лупроводниковых материалов и может май-. свойства представлены в таблице.ти применение в полупроводниковой:Сопротивление состава прототипа при а электронике, а также при изготовлении:ре- влажности от 0 до 10 составляет 10 - 10 зисторов, варисторов, потенциометров и Ом. см и монотонно уменьшается с ро 4 стом т,п, влажности, достигая величины 10 -10 ОмЦель изобретения - получение матери-. см при влажности 80-1000.алас полупроводниковыми.свойствами;стабильными в широкой области температур от . Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я-150 до+150 С инечувствительнымик-изме- . Керамический материал, содержащий нению влажности. фторид лития, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,Образцы получали следующий абра- с целью...

Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала

Загрузка...

Номер патента: 1631056

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Дорохова, Ревина, Ротенберг, Рябинина

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: конденсаторного, сегнетокерамического, шихта

...помо ики еровкой В таблице аль резиновоишарами в т це сныминой пле че ены с авы шихты чецие 2-4 а 0,4-0,5 ят дополн БК до уде ее 2 м 2/г ч до удельм/г, постельный по -хараканной о р м ис тики ты мате л а и олученных из ука верхностио произво иалов, о б р тени ьной похт то егнеток го мате мельнице рамического кониала, включающая о е ерхности не ГОСУДАРСТНЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(57) Изобретсцие относится к малам радиоэлектронной техники и рдиотехники и может быть использоно в производстве однослойных игослойцых моцолитцых керамических 1 зобретение отцоси радиоэлектронной техники и может быт(51)5 С 04 В 35/46 Н 01 С 4,/12мЫ,ФР 3 2низкочаст отцых конденс атор ов по группе Н 90. Для повышения диэлектрической...

Способ контроля качества поверхности диэлектриков

Загрузка...

Номер патента: 1619012

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Владыкина, Лучников, Ревина, Топоров

МПК: G01B 7/34

Метки: диэлектриков, качества, поверхности

...образом фактически заявлен интегральный способ контроля дефектности поверхности.П р и м е р 1, Определяют качество поверхности плоских стеклянных образцов размером ЗОхЗОх 5 ммз, Различная шероховатость поверхности Стекла придается травлением плавиковой кислотой или абразивной обработкой. Результаты измерений не зависят от способа придания шероховатости. В качестве контртела, о которое происходит трибозаряжение исследуемой поверхности, используется хлопковая вата. Заряжение осуществляют при поступательном перемещении образцов со скоростью 10 смс при нормальной нагрузке 3 гр/см, Величина трибоэаряда измеряется методом вибрирующего конденсатора.Результаты оценки качества поверхности стеклянных образцов предлагаемым способом...

Шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов

Загрузка...

Номер патента: 1583393

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Дорохова, Кускова, Продавцова, Ревина, Ротенберг, Юргенсон

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: конденсаторов, сегнетокерамического, шихта

...спирт в количестве 8 Е) и методом прессования изготавливают образцы в виде дисков 2 гослойных монолитных керамических конденсаторов, Для снижения диэлектрических потерь и повышения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетокерамического материала для конденсаторов содержит дополнительно УОз при следующем соотношении компонентов, мас.Е: ВаТОз 88,00-89,90; СаХг 03 7,50-7,90; ЕпО 1,40 - 1,65; 1 Ы О 0,80-1,40; ЫЬ О 0,30 - 0,60; МпСОэ О, 05-0, 15 и 70О, 05-0, 30. Полученный из указанной шихты материал имеет следующие характеристики: г, , 9000-14000; йЕ/ Е в интервале температур (-60 +8 8-843; еда 0,0021-0,0048.ЪаИ для испытаний. Образцы обжигают в инотервале температур 1320-1380 С, затем наносят...

Способ получения изатина

Загрузка...

Номер патента: 1479454

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Бурман, Ермакова, Кожушкова, Одарченко, Ревина, Чудакова

МПК: C07D 209/38

Метки: изатина

...веществ0,1%, золы 0,05%,П р и м е р 2. В колбу загружают25 г индиго, 4 мл воды и при размещивянии из капельной воронки 33,4 гсерпой кислоты с такой скоростью,чтобы температура реакционной массыне превьпчаля 35,ОГ.Смесь размешивают 1 ч, добавляют0,25 г (1%) И-метил-.-пирролидоняи 1,3 г нитробензола, размешиваюто2 ч. Затем массу охлаждают до 14 Си порциями в течение 6 ч загружают24,2 г бихооматя калия, размешивают3 ч, Фильтруют, осадок промывают144 г воды до слабокислой среды побумаге конго.К техническому изятину приливают240 мл воды, подогревают до 50 Г идоводят до рН 10,5 4,2 г едкогоонатра, массу нагревают до 75 Г и дают выдержку 1 ч, зятем щелочностьснимают 1,2 г серной кислоты до рН6,8, загружают 2 г активного угля идают выдержку...

Способ получения рентгеновского излучения

Загрузка...

Номер патента: 1149331

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Анисимова, Дерягин, Клюев, Ревина, Топоров, Чиликина

МПК: H01J 35/00

Метки: излучения, рентгеновского

...схема устройства для осуществления способа получения рентгеновского излучения; на фиг. 2 - угловое распределение излучения в плоскости, перпендикулярной линии нарушения контакта ролик-плоское тело.Устройство для осуществления способа получения рентгеновского излучения содержит вращающийся ролик 1, поджатый к плоскому диэлектрическому или изолированному металлическому телу 2. Ролик 1 покрыт мягким ворсом 3. Вращение ролику 1 передается от электромотора (не показан). Все элементы помещены в вакуумную камеру 4.Способ осуществляют следующим образом.При вращении ролика 1 в результате трения скольжения ролика 1 по телу 2 возникает эмиссия электронов с энергиями от нескольких килоэлектронвольт до несколь 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 55 ких...

Шихта для изготовления керамического материала

Загрузка...

Номер патента: 1035015

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Дорохова, Жуковский, Ревина, Сорокина

МПК: C04B 35/468

Метки: керамического, шихта

...В, КЛС ( 2 .Однако крупнокристаллическаяструктура керамики (основной размеркристаллов 8-16 мкм) весьма затрудняет возможность использованиявго в качестве диэлектрика в тонкопленочных монолитных конденсаторахс высокой удельной емкостью.У материала-прототипа такженаблюдается резкая зависимостьдиэлектрической проницаемости оттемператур обжига изделий, причемвысокая Е/Е (порядка 13000) достигается только при температурах обжигаИ 380 С. 65 Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости,уменьшение размера кристаллов и расширение интервала температур обжига.Указанная цель достигается тем,что шихта для изготовления керамического материала, преимущественнодля многослойных конденсаторов, содержащая титанат бария,...

Установка для индукционного нагрева изделий

Загрузка...

Номер патента: 1016375

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Ревина, Рябкин, Тарасов

МПК: C21D 1/42

Метки: индукционного, нагрева

...внутри электромагнитным экраном, снабжена контактами, расположенными с зазором .к экрану и электрически связанными с Экраном. При этом контакты 50 могут быть выполнены в виде деформиФ рующего инструмента или фильеры.На фиг. изображена предлагаемая становка, вертикальный разрез; на фиг.2 - то же, при выполнении контактов в виде обрабатывающего инструмента; на фиг.3 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг,4 - разрез Б-Б на фиг.2; на фиг.5 - предлагаемая установка при выполнении экрана в виде части изделия, -Установка для индукционного нагрева изделий (фиг.1 и 2) содержит многовитковый индуктор 1, у внутренней грани витков которого расположен электромагнитный экран 2, выполненный в виде,например, медной плиты. Экран 2 отделен от витков...

Вяжущее

Загрузка...

Номер патента: 1006412

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Артиш, Гаврилюк, Ревина, Саркисов, Соснякова, Усманова, Халимова, Чемоданов

МПК: C04B 29/02

Метки: вяжущее

...содержанием ин- прочностью в 1,б раза больше по сравгредйеитов является состав, вес.6: 55 нению с известным.ВНИИПИ Заказ 3029/37 Тираж 620 Подписное 75,8 24,2 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 1Изобретение относится к типу вяжущих веществ на основе многоатомных спиртов и может найти применение в строительстве как цветное вяжущее в качестве облицовочного мате риала.Известны вяжущие, содержащие гидроксид кальция и глицерин и имеющие максимальную прочность на сжатие при обычных условиях твердения 1 О 14,5 МПа 1.Наиболее близким по технической сущности. и достигаемому результату к изобретению является вяжущее на основе глицерина, которое содержит 15 ингредиенты при оптимальном соотноше нии в следующем количестве,...

Способ получения водорода

Загрузка...

Номер патента: 807672

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Кротова, Плесков, Ревина

МПК: C25B 1/04

Метки: водорода

...средой и поэтому малоэффективно.20Настоящий способ получения водорода свободен от укаэанных нещэстатков известного . способа, Благодаря использованию источника ионизирующего излучения скорость образования водорода не зависит от времени суток и поСоставитель О. ЗобнннТехред М.Тенер Корректор Г. Решетннк Редактор Н, Аристова Заказ 10534/8 Тираж 686 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд, 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Э , 80767годных условий, высокая энергия кванта излучення снимает ограничения на ширину залре.щенной зоны полупроводника и позволяет успешно испольэовать ши 1 юкоэошнас полупро.водники имеющие высокую химическую стойкость,...

Устройство для соединения подвижных блоков радиоэлектронной аппаратуры

Загрузка...

Номер патента: 932660

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Ревина, Соцков

МПК: H05K 7/12

Метки: аппаратуры, блоков, подвижных, радиоэлектронной, соединения

...ж контактами б вода и узел проводовГ 2,1.Однако из в изготов дополнитедов жгуто относительно друг сдвигаются относига в поперечной плос3 93266провода и узел защиты изолированныхпроводов, последний выполнен в видежестко закрепленной на одном из блоков оси и подпружиненной относительно нее скобы, установленной на осисвоими концами с возможностью поворота, причем изолированные проводажестко закреплены на скобе.На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство, 10Устройство содержит скобу 1, накоторой закреплены изолированные провода 2, соединякщие неподвижныйблок 3 и подвижный блок 4, ось 5 скобы 1 закреплена на неподвижном бло- %ке 3 с помощью опоры 6, скоба 1 под,пружинена пружиной 7 кручения, од- .ним концом закрепленной на оси...

Способ определения сил адгезиичастиц порошка k подложке

Загрузка...

Номер патента: 807157

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Алейникова, Дерягин, Мержанов, Ревина, Топоров

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезиичастиц, подложке, порошка, сил

...30 действию ударнОЙ нагрузки а скорость потока ватбнравт в пределах 0, - 0,3 скорости, необходимой для сдування частиц порошка с поверхности подложки.Способ осуаествляется следующим образом.На .Одну из поверхностей подножки наносят." слой порошка дним нз известных способов.Подложку с иокрьеюием размещают в щел га. эовод таким образом, что поверхность с иокры тием иараплельна нереаленв вежа газа иСоставнтелв В. СвиридовРедактор Г. Кацалап . Техред Т. Маточка Корректор И. Муска подписное Заказ 273/66 Тираж 918ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектвая, 4 3 , 8071 обращена в полоств газовода. На противоположную поверхноств...

Сплав на основе меди

Загрузка...

Номер патента: 633300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Белоусов, Викторов, Волошко, Гутов, Кондрашева, Круковский, Лазарев, Никифоров, Николаев, Ревина, Розенберг, Рязанов, Шабанов

МПК: C22C 9/06

Метки: меди, основе, сплав

...вес. в: В таблице приведены составы известного (1) и предлагаемого (2-5) сплава и свойства полуфабрикатов опробованных составов сплавов в термообработанном состоянии (закалка-старение).6 ЗЗЗОО Прололжсни таблепеье Содержание, вес,% Спл ав Эеее кт ропроводо меди НВ,кгс/ммосфор никел гане 148,22 0,48 134 0,95 132 0,15 0 63 стально Формула изобретени йи й н о н ат Составитель Л, Шевелева Техред И, Асталош Корректо едактор Л. Письма азарова Наказ 3700/5 2 Тираж 726ЦНИИПИ Государственного копо делам изобретений и113035, Москвае Ж" 35 Рауее Подписноемитета СССРоткрытийская наб., д, 4/5 Филиал ППП 1Паяент, г,ужгород, ул . Проектная, 4 П р и м е ч а н и е: Медь Из опробованных состанов сплавовполучены полуфабрикаты по следующей 15схеме:...

Сплав на основе меди

Загрузка...

Номер патента: 456019

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Бадян, Королевский, Лазарев, Никифоров, Николаев, Погосян, Пружинин, Ревина, Розенберг, Романова, Сергеев, Слиозберг

МПК: C22C 9/06

Метки: меди, основе, сплав

...после холодии и термомеханической обращие: относ ове ме рмату одов с чав на ни ос ктр сп лю, кг/мг/мм/ммение, %от меди 19 Твердо Предел Предел Относи Электр ть по Брине. прочности, к текучести, к ельное удлин проводность 65 20 1 - 50,4 - 1,25,05 - 0,5Остально ий О/ гО из предлагаемог аза выше стойкост сплава,Стоикость электродо сплава более чем в два электродов из пзвестпог ный сплав отличается от известг в нем кобальта, что повышает ность, пластичность;и экоплуаойства сплава. Предложеного:наличвтеьлектропроводационные св ный сплав имеет следующий хптав, %: Предложенмический сосНикельКремнийХромКобальтМедь 0,1 - 5,0 0,05 - 2,0 0,1 - 1,5 0,1 - 5,0 Остальное.чающий н ися тем, водности, 1 х свойст ты при сл кель, что, с плав, он...

Сплав на основе меди

Загрузка...

Номер патента: 328191

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вод, Государственный, Емель, Николаев, Обработки, Проектный, Ревина, Розенберг, Романова, Сплавов, Юрьев

МПК: C22C 9/06

Метки: меди, основе, сплав

...Совете Министров СССРАвторыизобретения А. К. Николаев, Н, И, Ревина, В. М. Розенберг, Т. А, Водяная,А. В. Емельянова, И. Г. Романова и Ю, Г. Юрьев Государственный научно-исследовательский и проектный институт сплавов и обработки цветных металловЗаявитель СПЛАВ НА ОСНОВЕ МЕДИ С целью повышения механических свойств в 5 сплав вводятся ниобий и никель при следующем соотношении, %; Относительное удлинение,оф Относительное сужение,о о Предел Температура испытании, С и рочности,кг аллодсвойств, в него введены ниобий следующем соотношении компо 0,1 - 1,50,05 - 1,50,05 - 1,5основа Изобретение касается цветной металлургии, Известны сплавы на основе меди, содержащие хром. Электропроводность сплава составляет 50%от меди при комнатной температуре...

149194

Загрузка...

Номер патента: 149194

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бреховских, Верещинский, Гришина, Зеленцова, Ревина

МПК: C03C 3/068, C03C 3/095

Метки: 149194

...стекло оглнчается от известных тем, что в его состав вводят двуокись церия в количестве от 0,8 до 1% от общего веса стекла, а оно содержит, % вес: 510, 35 - 45, В:О 0,0 - 10, 5, Л 1 О, 6 - 10, ВаО 45 - 65, СаО 0 - 0,6 и СеО. 0,8 - 1,0.Такой состав стекла позволяет предотвращать возникновение и нем заметных концентраций парамагнитцых центров при воздействии ионизирующего излучения.Предлагаемое стекло предназначено для изготовления ампул, пригодных для измерения спектров электронного пар амагнитного резонанса веществ непосредственно во время их облучения,Проведение в ампулах из обычного стекла измерений изменений, происходящих в различных веществах при воздействии на них ионизирующих излучений, осложняется тем, что в самых...