Гуга

Номер патента: 1831967

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко

МПК: H01L 33/00

Метки: излучения, параметрами, проводниковых

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий создание в полупроводнике избытка или дефицита концентрации электронно-дырочных пар, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона плавного управления параметрами излучения положительного и отрицательного контраста при обеспечении максимальной эффективности квантового выхода излучения положительного контраста, используют материал с собственной проводимостью и положительным или отрицательным барическим коэффициентом ширины запрещенной зоны, производят его всестороннее сжатие согласно условиюгде P давление сжатия;Pа атмосферное давление;

Номер патента: 1837265

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Гуга, Розумный, Чайкин, Шикалов

МПК: G05D 11/00

Метки: автоматическое, весовым, дозатором, порционным

...между входным 33 и выходным 36 преобразователями.Длительности заданных доз тдоэы и тдозы 2 УСтаНаВЛИВаЮтСЯ ПРЕДВаРИтЕЛЬНО ПУ- тем перемещения преобразователей 38 и 36 вдоль звукопровода 31.Импульс с выхода усилителя считывания 37 поступает на вход триггера 5 и переключает его, после чего его выход станет разрешающим для элемента И 6, Импульс с выхода усилителя считывания 38 поступает на вход триггера 11 и переключает его, по- . сле чего его выходы будут запрещающими для элемента И 6 и разрешающими для элемента И 10. Так как на вторые входы элементов И 6.10 и 13 поступает запрещающий потенциал с выхода элемента Н Е 15, то поэтому первый импульс с выхода усилителя считывания 30 через них не пройдет. В это же время импульс, снижаемый с...

Номер патента: 1516810

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко

МПК: G01L 11/00

Метки: гидростатического, давления

...действии электрического имагнитного полей в пластине возникает 50магнитоконцентрационный эффект (МКЭ),сущность которого заключается в перераспределении концентрации носителейтока по толщине полупроводниковойпластины под действием силы Лоренца. 55При соответствующей ориентации пластины практически все носители тока, генерируемые на поверхности с малой скоростью рекомбинации, а также генерируемые в объеме пластины, достигают поверхности с большей скоростью рекомбинации, где интенсивно рекомбинируют. При этом концентрация носителей тока в объеме и у грани пластины е малой скоростью поверхностной рекомбинации становится значительно ниже равновесной, т,е, достигается режим обеднения или истощения кристалла полупроводника носителями тока...

Номер патента: 966797

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Гуга, Малютенко, Манюшите, Сашук

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, прибор

...вбли-зи освещенной грани, в зависимости отнаправления магнитного поля прижимаются силой Лоренца либо к освещенйойграни с изменяющейся скоростью поверхностной рекомбинации, либо к ее противоположной.Если носители прижимаются к освещенной грани с изменяющейся скоростьюповерхностной рекомбинации, то в полупериод, когда скорость поверхностной рекомбинации уменьшается, носите- фли накапливаются у этой грани, времяжизни их увеличивается и сопротивление прибора падает. В следующий полупериод, когда скорость поверхностнойрекомбинации увеличивается, носители,прижатые к освещаемой гр-ни, рекомбинируют с большей скоростью, т. е,. время жизни их уменьшается и концентрацйя носителей падает - сопротивлениеприбора возрастает. В результате это- фго на...

Номер патента: 826256

Опубликовано: 30.04.1981

Авторы: Грибников, Гуга, Малозовский, Малютенко

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, поля

...того, применение известных дат,чиков ограничено в области низких темпе-,.ратур, твк квк в этих условиях концентрация электронно-лырочных пар становится ниже концентрации примеси, и изменее числа этих пар в магнитном по чика.Цепь изобретения - повышение чувительности датчика,Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитного поня, содержащем полупроводниковую пластину с омическими контактами нв торцах, две противоположные грани которой имеют разнуюскорость поверхностной рекомбинации, полуроводниковая пластина выполнена изпримесного лолупроводникв, подвижностьнеосновных носителей тока в которомбольше подвижности основных носителей,при этом для примесного полупроводникавыполняется следующее соотношение между...