H01L 29/93 — диоды с регулируемой емкостью, например варакторы

Номер патента: 367490

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Заика, Коваль, Костюк

МПК: H01L 29/93

Метки: емкостный, триод

...ью на, в поаевскойлолу- щенный я приповерхностнои обратно смещенный Изооретение относится к оводниковой электроники ипользовано в широком классести, в схемах параметрическокостного усиления, в многоусттах ит.д,Известные управляемые,полупроводниковые емкости являются двухполюсными системами, что затрудняет построение схем из-за необходимости разделения входа и выхода, а также развязки цепей по переменному и постоянному току.Цель изобретения - обеспечение возможности управления входной емкостью напряжением, не зависящим от входного. Это достигается сочетанием взаимодействующих структуры металл - диэлектрик - полупроводник и р - и- перехода.Принцип работы нелинейной поверхностной емкости заключается в том, что измерением...

Номер патента: 853708

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Колешко, Ходин

МПК: H01L 29/93

Метки: мдп-варикап

...редкоземельных металлов, образующий с полупроводником выпрямляющий кон кт с инверсным слоем.На чертеже показан предложенный МДП-варикап.,Он содержит полупроводник 1 р-типа проводимости, электрод 2, диэлектрический слой (например Е г 0) 3 и металлический электрод 4, обр щие полевой электрод, дополните электрод 5, выполненный,наприме из эрбия сульфида европия.Дополнительный электрод 5 выполняют на основе редкоземельных металлов (чистых редкоземельных металлов или сплава редкоземельных металлов или соединения редкоземельных метал853708 Составитель Т. ВороженцеваРедактор Л. Утехина Техред С, Мигунова Корректор М. Демчик Заказ 5684/28 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035,...

Номер патента: 1559993

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/93

Метки: диод, полупроводниковый, туннельно-пролетный

ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД с резонансно-туннельной инжекцией носителей заряда, содержащий со стороны эмиттерного контакта двухбарьерную квантовую гетероструктуру с двумя барьерными слоями широкозонного полупроводника толщиной b1, b2 и расположенным между ними слоем узкозонного полупроводника толщиной а, образующим квантовую потенциальную яму с дискретным спектром поперечных составляющих энергии и импульса электронов, а также пролетный участок толщиной W, выполненной из узкозонного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения отрицательного сопротивления, КПД и полезной мощности диода в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн, толщины полупроводниковых слоев а, b1 и...