Способ определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРИМЕСНЫХ НЕКОМПЕНСИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, заключающийся в освещении образца опорным и сигнальным модулированным по фазе пучками света, формирующими интерференционную картину на образце, регистрации зависимости амплитуды тока I 
g на частоте модуляции от пространственной частоты К, отличающийся тем, что, с целью одновременного определения средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок L1D, L2D и отношения 
1/2 электронной и дырочной фотопроводимостей полупроводников с биполярной фотопроводимостью, фазовую модуляцию сигнального пучка света осуществляют с частотой, отвечающей соотношению:
0,1 мин ( 
-e1 или -h1)> >10 -1di ,
искомые средние диффузионные длины определяют из выражений
а отношение электронной и дырочной фотопроводимостей
где K=2 
-1
L шаг интерференционной картины;
te, h средние времена жизни фотогенерированных электронов и дырок;di время диэлектрической релаксации освещенного полупроводника;
К0 значение пространственной частоты, при которой амплитуда тока проходит через "0" и при этом меняет знак;
K1 и K2 значения пространственной частоты, при которых 
максимальна.
Описание
Цель изобретения одновременное определение средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок DD1, DD2 и отношения
1/2электронной и дырочной фотопроводимостей полупроводниковой с биполярной фотопроводимостью.На фиг. 1 приведена оптическая схема устройства для реализации способа; на фиг. 2 зависимости амплитуды первой гармоники тока Ig
через образец от пространственной частоты -1.Устройство для реализации способа содержит источник когерентного излучения (лазер) 1, светоделительную пластинку 2, зеркала 3, элемент 4, осуществляющий фазовую модуляцию сигнального пучка света, фотопроводник 5, нагрузочное сопротивление 6 и селективный усилитель 7.
П р и м е р. Экспериментальная проверка способа выполнена на примере полуизолирующего GaAs-Cr n-типа, имеющего размеры 2х10х1 мм3. Обработка поверхности образца после полировки состоит в травлении его в смеси азотной и соляной кислот, взятых в соотношении 1:1 в течение 3 мин с последующей промывкой в дистиллированной воде. Контакты на боковые грани образца наносят пастой на основе мелкодисперсного серебра. Измерения проводят на длине волны
излучения и мощности Рогелий-неонового лазера ЛГ-126 ( 1,15 мкм, Ро 3 мВт и 0,63 мкм, Ро 1 мВт).Фазовая модуляция осуществляется подачей на мембрану телефонной головки ТЛ-4 с прикрепленным к ней зеркалом синусоидального напряжения с частотой f 1 кГц. Выходной электрический сигнал на частоте f 1 кГц, возникающий за счет нестационарной фотоЭДС, регистрируется стандартным селективным усилителем У2-8. Экспериментальная зависимость Ig
от пространственной частоты -1. (см. фиг.2, кривая А) является характерной для полупроводников с биполярной фотопроводимостью, где шаг интерференционных полос на образце. Для уточнения знака носителя используется кристалл Bi12SiO20, для которого при освещении излучением с 0,63 мкм характерен электронный механизм нестационарной фотоЭДС. В результате установлено, что в полуизолирующем GaAs: Cr при освещении его излучением с длиной волны 0,63 мкм (см. фиг.2, кривая Б) в исследуемом диапазоне пространственных частот работает дырочный механизм.Определяют величину
o-1 пространственной частоты, при которой Ig 0, по кривой А на фиг.2.Величина Ко 2
o-1 2 
10 мм-1 63 мм-1.Значения К1 и К2 определяют по формуле 2
-1 для значений 1-1 и 2-1 соответствующих максимумам на кривых А и Б. По полученным значениям вычисляют средние диффузионные длины по формулам:L1D=K
L2D= K
и отношение 1/2 электронной и дырочной фотопроводимостей по формуле:1/2= 
Вычисленные значения равны LD1 5 мкм. LD2 15 мкм,
1/2 4.Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников. Целью изобретения является одновременное определение средних диффузионных длин фотоиндуцированных электронов и дырок и отношения электронной и дырочной фотопроводимостей полупроводников с биполярной фотопроводимостью. Образец облучают опорным и сигнальным модулированным по фазе с частотой
пучком света. При этом на поверхности образца формируется интерференционная картина. Регистрируют индуцированный в образце ток на частоте w в зависимости от пространственной частоты интерференции к. Частоту w выбирают в пределах: 0,1 мин ( -e1 или -n1) > > 10 di, где e, n средние времена жизни электронов и дырок соответственно; di время диэлектрической релаксации освещенного полупроводника. Средние диффузионные длины электронов и дырок, а также отношение электронной и дырочной фотопроводимостей определяют расчетным путем. 2 ил. Рисунки
Заявка
4362221/25, 13.01.1988
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Петров М. П, Степанов С. И, Трофимов Г. С, Соколов И. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: некомпенсированных, параметров, полупроводников, примесных, фотоэлектрических
Опубликовано: 27.08.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1545866-sposob-opredeleniya-fotoehlektricheskikh-parametrov-primesnykh-nekompensirovannykh-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения фотоэлектрических параметров примесных некомпенсированных полупроводников</a>
Устройство для автоматического определения зависимости частоты свч генератора с электронной настройкой от величины управляющего напряжения
Номер патента: 141518
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Троицкий
МПК: G01R 23/16
Метки: величины, генератора, зависимости, настройкой, свч, управляющего, частоты, электронной
...электронно-лучевой трубки 6 подклочены к источнику 10 управляющего напряжения генератора 1, используемому для получения горизонтальной развертки электронно-лучевой трубки 6.При постоянстве частоты генератора 1 на экране трубки 6 будет видна яркая светящаяся точка, положение которой будет зависеть от частоты генератора 1. При изменении частоты генератора на экране ин ликаторной электронно-лучевой трубки будет видна кривая, состоящаяПредмет изобретения Устройство для автоматического определения зависимости частоты СВЧ генератора с электронной настройкой от величины управляьощего напряжения, содержащее электронно-лучевую трубку, о т л и ч а ю ш ее с я тем, что, с целью повышения точности измерения, расширения рабочего диапазона частот...
Способ подготовки образцов для электронно-графических и электронно-микроскопических исследований
Номер патента: 1800337
Опубликовано: 07.03.1993
Автор: Бобченок
МПК: G01N 1/28, G01N 23/22
Метки: исследований, образцов, подготовки, электронно-графических, электронно-микроскопических
...до концентрации К = 1026 м-з, 45 На рабочую сторону образцов наносили слой титана толщиной 100 нм. Утонение образца проводили с. помощью травителя СР, представляющего собой смесь плавиковой, азотной и уксусной кислот в 50 соотношении 3:5:3. Травление образца проводили а устройстве, показанном на чертеже. Образец 4 помещали на отверстии, расположенном,на дне фторопластового стакана 2, снабженном кольцевым высту пом трапецеидального сечения, обеспечивающем плотное, без зазоров прилегание образца, Снизу образец прижимали шайбой 10 с помощью пружинного прижимного устройства 6. Фторопластовый стакан 2 с размещенным образцом 4 опускали в стакан 11, который помещали в корпус 7 с подсветкой, Стакан 11 подсоединяли к стеклянной емкости 3...
Электронная пушка с клинообразным потоком электронов
Номер патента: 451145
Опубликовано: 25.11.1974
Авторы: Бибиков, Козина, Симачев, Тренева
МПК: H01J 23/06
Метки: клинообразным, потоком, пушка, электронная, электронов
...имеющим прямоугольное отверстиеа, определяющее размеры, электронного потока, фокусируюшего электрода 3, выполненного в виде одной детали сложной формы, и анода 4.Фокусируюший электрод 3 имеет цилиндрическую часть 5 на уровне катода 1и образован сочетанием . цилиндрических 6 и прямоугольных 7 пластин в области формирования клинообразного потокаэлектронов, соединенных с диафрагмой 8,имеющей прямоугольное отверстие б, приэтом прямоугольные пластины 7 установлены на равных расстояниях от постоянныхпо ширине гриней электронного потока(границы потока показаны на фиг, 1 пунк.тиром).Катод 1 электронной пушки (см. фиг.2) содержит подогреватель 9 и имеегплоскую элщттерную поверхность в,Чтобы такая конструкция пушки создавало клинообразный поток...
Способ коррекции искажений электронного пучка приемной электронно-лучевой трубки
Номер патента: 1142906
Опубликовано: 28.02.1985
Авторы: Горелик, Касавченко
МПК: H04N 5/68
Метки: искажений, коррекции, приемной, пучка, трубки, электронно-лучевой, электронного
...испытательную таблицучасти светового потока в электриче ."ский сигнал, последовательное выделение сигналов от каждой меткииспытательной таблицы в виде импульсов длительностьюрсформированных от трех штрихов,расположенных в каждой метке соответственно под углом 45, 90 и в . 45к направлению перемещения электронного пучка, и формирование тока 3подфокусировки и токов 3 и 3 коррекции астигматизма, после выделениясигнала от каждой метки испытательнойтаблицы изменяют значение тока 3.оподфокусиравки до достижения равенства длительностей Р., с , сз импульсов, сформированных от штрихов .метки, после чего последовательнымизменением тока 3 коррекции астигматизма и тока Э коррекции астигма 2тизма добиваются минимального значения длительности...
Способ определения частоты пространственной сетки химических связей полимера
Номер патента: 1308866
Опубликовано: 07.05.1987
МПК: G01N 3/08
Метки: полимера, пространственной, связей, сетки, химических, частоты
...стеклования адгезионно связанного полимера. По температуре стеклования в соответствии с зависимостью Т = т(Е) (фиг.2) определяют Е ,8866 2течение 2 ч на алюминиевой (1) имедной (2) подложках.П р и м е р 1Эпоксидно-аминныйлак на основе эпоксидного олигомераЭ, отверждаемого гексаметилендиамином (ГМДА) В табл.1 представлены результаты определения Мс покрытий, полученных при различном соотношении Э(ГМДА), режиме отвержде ния 120 С 2 ч. Е определяют при120 С, ьМс определяют как разностьМс свободного полимера и Мс мег полимера, адгезионно связанного с металлической подложкой.15 физико-механические и защитныесвойства эпоксидных покрытий приведены в табл.2.П р и м е р 2. Влияние режимов гоотверждения клея ВКна частоту сетки и...