Сайдашев

Номер патента: 2001140

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Белышев, Кружков, Кудимов, Кукушкин, Лапшин, Рудницкий, Сайдашев, Сидоров

МПК: C22C 1/02

Метки: cu-ti, fe-co-ni-al, выплавки, магнитного, содержащего, сплава

...- высота тигля. см,а охлаждение проводят в интервале температур 1300-800"С со скоростью не ниже 80 град/мин.Перегрев до температуры 1500-1550 Си выдержка расплава в перегретом состоянии в течение времени, которое определяется из формулы, необходимы для удаления из расплава неметаллических включений, которые понижают магнитные свойства, "0 Охлаждение расплава при разливке наслитки в интервале температур 1300-800 С проводят со скоростью не ниже 80 град/мин. Данная скорость охлаждения необходима для устранения образования в 15 сплаве у-фазы, которая упрочняет сплав изатрудняет разделку слитков на необходимые размеры кусков шихты, При более медленных скоростях охлаждения в сплаве успевает образоваться у -фаза и разделка 20 слитков...

Номер патента: 1285207

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Беркутов, Воробьева, Еронен, Рабинович, Сайдашев

МПК: F16L 55/00

Метки: патрубок, приемный

...всасывающих устройств для забора жидкости из резервуаров.Цель изобретения - расширение области применения путем уменьшения радиальных размеров.На фиг. 1 показан приемный патрубок, общий вид; на фиг. 2 - вид А на фиг, 1; на фиг. 3 - приемный патрубок размещенный в опорожняемой емкости.Приемный патрубок содержит входной участок 1 и установленный на патрубке экран. Экран выполнен в виде щитков 2 с упорами 3 и цилиндрическими шарнирами 4, соединяющими щитки 2 с входным участком 1, причем поперечный размер щитка 2 в месте расположения упора 3 равен внешнему радиусу приемного патрубка. Патрубок установлен в емкости 5 через отверстие 6 (фиг. 3).Устройство работает следующим образом. 2 О Приемный патрубок устанавливают в вертикальном...

Номер патента: 606475

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вул, Петросян, Сайдашев, Шмарцев

МПК: H01L 31/08, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...полупроводника (например п-типа), помещеннойв магнитное поле, со стороны широкозонной области на контактах, располо 5 женных в плоскости, перпендикулярнойнаправлению изменения ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитнаяЭДС,Использование в качестве фотогальваномагнитного датчика пластиныполупроводника с переменной ширинойзапрещенной зоны расширяет функциональные возможности датчика, поскольку в этом случае амплитуда и знак фотомагнитной ЭДС зависят от длины волны падающего света,Действительно, при варизоннойструктуре датчика свет разных частотпоглощается в разных точках полупроводниковой пластины. Так, например,свет с энергией фотонов Ь), 3 Ео(Е, - максимальная ширина запрещенной зоны полупроводниковой пластиныу передней,...

Номер патента: 1173305

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Анисимов, Богатов, Малов, Портной, Сайдашев, Сирый, Чернобельский, Шумила

МПК: G01N 29/04

Метки: дисков, качества, линия, методом, неразрушающим, поточная

...с редуктором 12 поворота, На редукторе 12 поворота также закреплена шкала 34. На редукторе 19 подъема шарнирно установлен Флажок-замыкатель 48 и электромагнит 49 тормоза 50 привода 22. На редукторе 12 установлен электромагнит 5 тор моза 52 привода 1 З.С уборочным транс45 . На Фиг, 6 показана схема контроля .контролируемого диска 57 одновременз 1173портером 6 кинематически связаны рольганги 53 укладки и механизм 54 укладки, приводы 31 кинематически соединены со вторичными питателями 55.Позицией 56 обозначены контейнерыдля укладывания проконтролированныхизделий, позицией 57 -контролируе.мые диски.Поточная линия контроля качествадисков неразрушающим методом работа О1ет следующим образом,Перед началом контроля линиянастраивается на...

Номер патента: 472601

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Добрякова, Сайдашев, Шик, Шмарцев

МПК: H01L 29/20

Метки: оптоэлектронная, пара

...связан с необходимостью преодоления энергетическогобарьера высотой 9, и, следовательно,Оиреяеияеося иосооиииой времеви Й сир(ф8 сиду этого проводимость образца,определяемая концентрацией электроновв массе образца, ниэкоомной даже приЗЛщациокарной подсветке, будет медпенно(в случае У О КТ) репаксировагь с характерным временем Г . Величине Сопределяегся только параметрами ИО -перехода и может быть сделана поэтому достаточно большой в соответствии с величиной т.е. выбором концентрации,Чктипом пегирующей примеси ипи гемпературой.Для попучения эпеменга, реагирующего на действие света неограниченноечисло раэ, использовано излучение с глубиной проникновения больше толщины обраэца и с достагочн малой экспозициЕйе 50Для создания образца...

Номер патента: 508687

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Вул, Сайдашев, Тищенко, Шик, Шмарцев

МПК: G01K 7/14

Метки: вчастоту, температуры

...33 и контактов 34, 35,Преобразователь работает следующим образом,На границе и+-слоев 32 и и-слоев 33 двухслойной структуры чувствительного элемента2 о возникает и+а-переход, Освещение )г+-слояприводит к изменению концентрации электронов гг+-слое, а следовательно к измене ппо сопротивления и+-слоя.Бремя т установления равновесн состоя 30 пия электронов, а следовательно корость508687 Составитель В, Куликов Текред Г. Андреева едактор Т, Рыбалов Корректор Л, Орлов аказ 1951/2 Изд.1347 Тираж 790 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СС по делам изобретении и открытий 113035, Москва, )К, Раушская наб., д, 4/5одписно ография, пр. Сапунова, 2 изменения сопротивления, экспоненциально зависит от температуры(где То - , 1.О"...