Способ монтажа кристаллов на основания
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)4 Н 58 МИТЕТ СССИй И ОТКРЫТ ГОСУДАРСТВЕННЫ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЩГР". 1 Ь" ИСА ВТОРСКОМУ С ЛЬСТ ви рка вй аппа 2088-3.1 4)( ОС АЛЛОВ в ос СЬ(5 57)1,СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТНА НОВАНИЯ, включающий наг нования, совмещение его с кристаллом, нагружение соединяемых элементов и их соединение с продольно-поперечным перемещением по границе соединения, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества и сокращения длительности присоединения, одному из соединяемых элементов сообщают вращательное движение вокруг его оси со скоростью 1-100 об/с,2, Способ по п.1, о т л и ч а ющ и й с я . тем, что направление вращения. изменяют в процессе присоединения с частотой 1-500 Гц865071 Составитель А. ВисковскийТехред И.Попович Корректор С. Шекмар Редактор С. Титова Заказ 7742/1 Тираж 698. Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в процессе монтажа полупроводниковых приборов и интегральных схем.Известен способ монтажа кристал лов, включающий следующие операции:нагрев основания,совмещение .основания с кристалГлом;нагружение соединяемых элементов с заданным усилием,присоединение при помощи припоя или автоматического соединения.Этот способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения,Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.Цель изобретения - повышение качества и сокращение .длительности подсоединения. 35Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на основания, включающем нагрев основания, совмещение его с кристаллом, погружение соединяемых элементов с 40 заданным усилием и их соединение спродольно-поперечным перемещением погранице соединения, одному из соединяемых элементов сообщают вращательное движение вокруг его оси со скоростью 1-100 об/с, а также тем, чтонаправление вращения изменяют в процессе присоединения с частотой от 1до 50 Гц.На чертеже показано предлагаемоеустройство.Присоединение полупроводниковыхкристаллов 1 производится сварочныминструментом 2 к золоченой поверхности основания микросхем 3. Основание микросхем 3 нагревается до температуры 400+10 С. Кристаллы 1 погружают с усилием от 0,3 до 3,0 Н взависимости от их размеров, Одновременно с нагружением сварочный инструмент совершает колебательное перемещение на величину 0,2-0,5 мм счастотой 100 Гц и вращение со скоростью 1-100 об/сИспытания показали, что сборкаполупроводниковых приборов предложенным способом по сравнению с известными повышает качество и прочность присоединения, уменьшает оммическое сопротивление и длительностьприсоединения,Например, присоединение полупроводниковых кристаллов из кремния размерами 4"4 мм к металлическим пленкам из золота на оптимальных режимахобеспечивает уменьшение времени присоединения в 2,5 раза, повышениепрочности присоединения на 10-153 иуменьшение переходного электросопротивления на 13-187,
СмотретьЗаявка
2928437, 11.04.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6495
БОЛЬШАКОВ Ю. В, ЗЕНЬКОВИЧ В. А, МИСТЕЙКО Я. Н, СЕГАЛ В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/58
Метки: кристаллов, монтажа, основания
Опубликовано: 30.01.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-865071-sposob-montazha-kristallov-na-osnovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ монтажа кристаллов на основания</a>
Предыдущий патент: Автомат присоединения выводов
Следующий патент: Способ измерения влажности материалов
Случайный патент: Способ восстановления органических соединений, содержащих оксиили кеюгр. уппы