Способ определения концентрации примеси и глубины залегания р-п-перехода встроенного канала мдп-транзисторов

Номер патента: 1487755

Опубликовано: 20.04.2008

Автор: Чекунков

МПК: H01L 21/66

Метки: длины, канала, мдп-транзистора

Способ определения длины канала МДП-транзистора путем формирования тестовой структуры на полупроводниковой подложке, включающей области, имитирующие сток-истоковые области, и затвор МДП-транзистора, причем топологическая ширина затвора выбирается равной топологической длине канала МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в подложке второго типа проводимости изготавливают МДП-транзистор с не менее чем шестью сток-истоковыми областями первого типа проводимости и самосовмещенные с затвором высоколегированные области второго типа проводимости, имитирующие сток-истоковые области МДП-транзистора, подают смещение на затвор, достаточное для создания инверсионного слоя,...

Номер патента: 1802910

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Быкова, Галкин, Субботин

МПК: H02M 5/27

Метки: высокой, напряжение, низкой, преобразования, частоты

...в которой рабочие обмотки двух генераторов, входящих в состав турбокомпрессоргенераторов, включены последовательно по схеме рис, 1, Частота переменного тока первого генератора 11 = 1050 Гц, частота второго 12 = 950 Гц, При последовательном соединении обмоток генератора исключается взаимное влияние генераторов друг на друга,Напряжение биений, возникающее в этом случае, описывается следующей фсрмулой:В 1-Ю В 1 - О)20 = 20 п соз2Для получения частоты огибающей равной 50 Гц необходимо иметь разность частот напряжений генераторов равной 100 Гц.Амплитуда напряжения на нагрузке равна удвоенной амплитуде напряжения каждого генератора.Для получения сдвига фаз между огибающими напряжений биений в каждой фазе, равного 120, обмотки генераторов...

Номер патента: 12848

Опубликовано: 31.01.1930

Автор: Енгибарян

МПК: H01F 29/14, H02M 5/12, H02P 13/12

Метки: вторичным, колеблющемся, напряжением, напряжении, первичном, постоянным, предназначенный, работы, трансформатор

...его постоянным током, получаемым от того же источника посредством выпрямителя ХХ.Магнитный шунт 1, увеличивающий первичное рассеяние. назначен ограничивать первичный ток, возрастающий вследствие увеличения насыщения при дополнительном намагничивании постоянным током.В качестве выпрямителя может служить всякое, служащее для этого устройство соответствующей мощности. у которого напряжение со стороны постоянного тока прямо пропорционально напряжению питающего тока. Чтобы предохранить источник постоянного тока от переменного, можно включить дроссельную катушку в цепь дополнительной обмотки. Предлагаемый трансформатор может быть осуществлен для переменного токас любым числом фаз. Предел величинымощности, и которую может быть...

Номер патента: 957115

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Волохин, Нагаец, Никифорова, Погребной, Самарцев, Химиченко

МПК: G01R 13/34

Метки: высокой, напряжение, низкой, преобразования, стробоскопического, частоты

...напряжения, синтезатора 8 преобразованных частот, измерителя 9 частоты первой гармонической составляющей входного сигнала, интерФейса 10 и микропроцессорного блока 1150Блок 7 представляет собой совокупоность регистров, в которые переписываются из блока 11. коды коэффициентов передачи управляемых делителей 4 напряжения, 55Синтезатор 8 включает генераторы напряжений фиксированных частот и по- . стоянной амплитуды, которые могут или работать автономно, или формировать напряжения из напряжений, снимаемых с выходов. фильтров фиксированных частот путем. усиления и масштабирования по амплитуде.Устройство работает следующим образом.По команде из микропроцессорного блока 11 блок 9 измеряет частотупервой гармоники входного сигнала,По...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...