Способ изготовления мультискана

СОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСК РЕСПУБЛИК, (51 ЕН ния контактов. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ АВТОРСКОМУ С 8 ИДБТЕЛЬСТВУ(56) Патент Великобритании У 1313167, кл. Н 1 К, опублик. 1969,Авторское свидетельство СССР У 652829, кл. Н 01 1 31/04, 1980. (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИУЛЬТИСКАНА, включающий создание изолирующих областей в кремниевой пластине п(р)-типа проводимости, вскрытие, 1285545 А 1 дна изолирующих областей, формирование областей р(п)-типа проводимости,создание резистивных областей,объединяющих (р)п-области в изолированных карманах, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения разрешающей способности мультисканаи выхода годных после создания изолирующих областей, с противоположнойстороны пластины удаляют слой материала, не вскрывая дно изолирующихобластей, осуществляют формированиер(п) и резистивных областей путемдиффузии примеси на глубину, перекрывающую дно изолирующих областей,а вскрытие дна изолирующих областейосуществляют локально после нанесе 1285545Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления кремниевых фоточувствительных преобразователей - мультисканов. 5Цель изобретения - повышение разрешающей способности мультискана и выхода годных после создания изолирующих областей.На чертеже изображена структурная 0 схема мультискана.Мультискан содержит диэлектрическую подложку 1, изолирующие области 2, изолирующий слой 3, участки дискретного базового слоя 4, токо- отводящий слой 5, делительные слои б и 7, контакты 8 - 10.П р и м е р В качестве исходного материала выбирают и-Бд с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. Пластины ориентируют в плоскости (110), их исходная толщина составляет 600 мкм. Пластины рельефно вертикально протравливают в участках изолирующих областей на глубину 8 мкм, Расположением изолирующих областей 2 закладывается шаг элементарных ячеек (10 мкм). Рельеф окисляют, наращивают слой окисла толщиной 1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при 1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу, Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4 О дно реперных областей.Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный 45 заряд на поверхности 10 см и плотмность поверхностных состояний 10 смэВ. Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные б и 7 слои, 11 роводят диффузию бора на глубину 4 мкм с тем, чтобы граница диффузионной области располагалась на 2 мкм глубже, чем дно изолирующих областей 2. Таким образом, границы р-и-переходов выходят к слою окисла, покрывающему рельеф изолирующих областей 2. Далее наносят по всей поверхности слой алюминия, фотогравировкой оставляют слои металла только в местах расположения контактов к токоотводящему слою 8 и к делительным слоям 9 и 10.В соответствии с заданной формой мультискана, а именно с его длиной 18 мм и шириной 270 мкм, осуществляют локальное вскрытие дна изолирующих областей 2. Для этого между токо- отводящим слоем 5 и обоими делитель- ными слоями 6 и 7 вытравливают канавки на глубину 4 мкм, Задана ширина апертуры мультискана - его фотоприемной площадки - 250 мкм, причем на делительные и токоотводящий слои при-. ходится 210 мкм, на и-базовый слой 20 х 2=40 мкм. Ширину канавок выбирают по 10 мкм с тем, чтобы гарантировать удаление и-базового слоя 4 по всей длине мультискана вдоль слоев 5 - 7. Таким образом достигается электрическая изоляция элементарных ячеек в карманах; разрешающая способность мультискана, тем самым, поднимается до величины, лимитируемой размерами элементарной ячейки. Получен шаг структуры 10 мкм, т.е. достигнуто разрешение 100 лин/мм при 1 ООЕ-ной модуляции видеосигнала. Действительно формируется отдельный сигнал от каждой,элементарной ячейки; при сканировании структуры лучом света с диаметром 1,5 мкм на изолирующих областях, ширина которых колеблется в пределах, 1-2 мкм, происходит полное экранирование. Электрические завязки между элементарными ячейками менее О, 17.Таким образом, имеет место повыше ние разрешающей способности по сравнению с известным в 3 раза,1 с.85545 оставитель Э.Фаттаховекред,Л.Олейник . . 1 орр Самборская актор А.Шишки Заказ У 532/ сноеСР н н Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Прое Тираж 698 ВНИИПИ Государстве по делам изобре 113035, Москва, Ж По комитета и открыт ушская н