Имамов
Плуг
Номер патента: 1771543
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Арутин, Жикул, Завьялов, Имамов, Юзбашев
МПК: A01B 15/18, A01B 3/00, A01B 49/02 ...
Метки: плуг
...на котором в продольно-вертикальной плоскости установлен черенконыйнож, новым является то, что, дисковь 1 й нажвыполнен гофрированным с поперечным сечением гофр в виде прямоугольного треугольника, большой катет которогорасположен в плоской части дискового ножа и обращен в сторону черенкового ножа,причем угол наклона к поперечна-вертикальной плоскости участков лезвия дискового ножа, обращенных к черенковомуножу, меньше угла наклона его участков лезвия, обращенных в противоположную сторону,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 На фиг,1 изображен плуг, вид сбоку; на фиг,2 - сечение А-.А на фиг.1; на фиг,3 - вид Б на фиг,1Плуг включает дисковый нож 1 и корпус 2, на котором в продольно-вертикальной плоскости Р установлен черенкавый нож 3,...
Способ автоматического регулирования процесса сушки сыпучего материала
Номер патента: 1763831
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Гончаренко, Имамов, Платонов
МПК: F26B 25/22
Метки: процесса, сушки, сыпучего
...обрабатываемый продукт возникает значительное запаздывание в контуре регулирования мощности ИК- излучателей при изменении величины расхода исходного материала, Эта особенность процесса ИК-жарения не учитывается в прототипе, что приводит к значительным колебаниям температуры и влажности выходного материала при изменении производительности ИК жаровни и снижению качества ИК-жарения, В предлагаемом способе мощность ИК-излучателей корректируется по изменении входного потока не ожидая, пока эти изменения проявятся на выходе ИК-жаровни. Таким образом, достигается компенсация запаздывания, то приводит к повышению производительности процесса ИК-жарения и качества готового материала.чздтекзд В способе-прототипе при измерениях влажности...
Пневматический высевающий аппарат
Номер патента: 1741639
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Гусев, Имамов, Осипов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01C 7/04
Метки: аппарат, высевающий, пневматический
...из соотношения где ф - угловая величина дуги вакуумнойкамеры, град;25 2 - общее число присасывающих отверстий в диске, шт;К - целое число, К 2,Анализируя предлагаемое техническоерешение, можно установить, чго при ис 30 пользовании указанных существенных признаков достигается положительный эффект,заключающийся в повышении качества высева семян,На фиг.1 изображен пневматический35 высевающий аппарат вид сбоку; на фиг.2 -сечение А-А на фиг.1; ча фиг.З - сечение Б-Бна фиг.1.Пневматический высевающий аппаратсодержит корпус с семенной камерой (не40 показаны), крышку 1 с дугообразной вакуумной камерой 2 и установленный между нимивысевающий диск 3 с равномерно расположенными по окружности присасывающимиотверстиями 4. Угловая величина 1/...
Пневматический высевающий аппарат
Номер патента: 1727619
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Гусев, Имамов, Осипов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01C 7/04
Метки: аппарат, высевающий, пневматический
...камеры ресиве ром с выходным патрубком, при этом ось последнего парал лельна оси патрубка вакуумной камеры и смещена относительно него. на величину, большую полусуммы диаметров патрубков.На фиг,1 изображен пневматический высевающий аппарат, вид сбоку; на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1.Пневматический высевающий аппарат включает бункер 1, корпус 2 с семенной камерой 3, крышку 4 с вакуумной камерой 5 и установленный между ними высевающий диск 6 с отверстиями 7. На патрубке 8 ваку-. 5 10 умной камеры 5 установлен индивидуальный ресивер 9 с выходным патрубком 10, При этом ось выходного патрубка 10 парал-. лельна оси патрубка вакуумной камеры 8 и смещена относительно него на величину, большую полусуммы диаметров патрубков.Семена из семенного...
Дисковый рабочий орган
Номер патента: 1727561
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Власов, Гусев, Имамов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01B 23/06
Метки: дисковый, орган, рабочий
...и ширина.гофр на любом расстоянии от центра дискового ножа определяется зависимостьюЬБ Вд Я 0,57 1 5 )0,981,68где ЬБ - коэффициент, выбираемый в зави.симости от агротехническйх требований и равный положительному числу, отличному от 0;Йд - радиус гофрированного дискового ножа;В - расстояние от центра гофрированного дискового ножа до места, для которого определяется ширина гофров Ьп.На чертеже изображен дисковый рабочий орган, поперечное сечение,Дисковый рабочий. орган включает гофрированный дисковый нож 1, установленный посредством оси 2 на раме машины (не показана). Гофрированный дисковый нож 1 имеет рабочую поверхность. состоящую из части А с шириной Ьп на любом расстоянии В и В, начинающуюся на расстоянии от центра Йо....
Воздухораспределитель пневматической сеялки
Номер патента: 1713471
Опубликовано: 23.02.1992
Авторы: Гусев, Имамов, Осипов, Хорунженко, Шинкевич
МПК: A01C 15/04
Метки: воздухораспределитель, пневматической, сеялки
...расходов воздухапри отборе его из аысевающих аппаратов, Составим уравнение количества движения для обьема воздуха, ограниченного 1-м и(1-1)-м сечениями и стенками трубы, в проекции на продольную ее ось: Р 1-1 Р-Р Р- т - 1 п 4- рвРгрГЧ 1 - 1 (1) где Рь Р 1-1 - статическое давление воэд)ха в сечениях 1-, 1-1-1-1 трубы, Па,Чь Ч 1-1 - скорость воздуха в сечениях 1-1, 1-1-1-1 трубы, м/с;х - 1 - касательное напряжение в сечении 1-1- 1-1 трубы Н/м, которое выражается- 1 =4 ЧЪ - 1(2) Х- коэффициент трения воздуха о стенки трубы; р - плотность воздуха, кг/м,зПодставляя это значение т - 1 в уравнение (1) и деля все члены на Е, получают Р - 1 - Р - АРЪ -ОЧ - 1Я- г (3)При равномерном отборе воздуха из высевающих аппаратовЧ Чп Ч = - " 1; Ч- 1...
Заделочно-прикатывающее устройство
Номер патента: 1674717
Опубликовано: 07.09.1991
Авторы: Имамов, Кузнецов, Рузаева, Соколов, Шинкевич, Юзбашев
МПК: A01C 5/04
Метки: заделочно-прикатывающее
...с вы раже ниемобеспечивает соответствие соотношения горизонтальных составляющих сопротивления почвы прутьям катков соотношению их скоростей.Место контакта прутков 9 и 10 обоих катков находится на расстоянии а от фланцев наружного катка 4. В результате оба катка 4 и 5 находятся в устойчивом зацеплении между собой. Попавшиеся внутрь катка 4 большие комки почвы оказываются защемленными между соседними прутками 9 наружного катка 4 и прутком 10 внутреннего катка 5. Таким образом происходит интенсивное крошение больших комков и ссыпание мелких из внутренних пространств обоих катков, устраняется забивание катков 5 10 15 20 25 30 35 диусу и кинематическом параметре интенсивно возрастает, Это приводит к тому, что во время взаимодействия...
Механизм навески рабочих органов
Номер патента: 1613056
Опубликовано: 15.12.1990
Авторы: Гусев, Имамов, Колобовникова, Плаксина
МПК: A01G 13/00
Метки: механизм, навески, органов, рабочих
...пружины сжатия 9 сжимаются, Условие 1((Р,1 Р, - Р,) обеспечивает подъем оси коромысла 11 по пазам 0 поводка 5, Придостижении поводком 5 вертикального положения коромысло 10, вращаясь вокругоси 11, передвигает свой верхний конец назад, а нижний - вперед. Таким образом,механизм подвески, принимая обратное отпредыдущего положение, продолжает двигаться, достигает края пленки и поднимается вверх вокруг оси 4. При следующем перерезании и заделке пленки шток гидроцилиндра 3 двигается обратно.Таким образом, особенность кинематики описанногО механизма подвески позволяет осуществить поперечное передвижение режущего органа, при относительно малых габаритах проделывать технологический процесс равномерным передвижением режущего и копирующего...
Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла
Номер патента: 1599732
Опубликовано: 15.10.1990
Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков
МПК: G01N 23/20
Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных
...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...
Способ автоматического регулирования процесса сушки сыпучего материала
Номер патента: 1576820
Опубликовано: 07.07.1990
Авторы: Артыков, Гнездилов, Гончаренко, Имамов, Маматкулов
МПК: F26B 25/22
Метки: процесса, сушки, сыпучего
...11 ости транспортировки продукта по заданной толгцине слоя транспортируемого продукта. исполнительный механизм 7 регу,ирования скорости транспортировки продукта, датчик 8 влажности готового продукта, блок 9 сравнения и регулятор 1 О мощности ИК-ламп,Способ автоматического регулирования Процесса сушки сыпучих материалов осуцествляется следующим образом,Сигнал о текущем значении расхода готового продукта, полученный с датчика 2, поступает на регулятор 4 расхода исходного продукта, где сравнивается с заданным значением расхода готового продукта производительности сушилки 1. Сигнал о рассогласовании подается на исполнительный механизм 3 расхода исходного продукта, который в зависимости от знака и величины рассогласования изменяет величину...
Способ автоматического управления процессом прессования в шнековом прессе и устройство для его осуществления
Номер патента: 1574476
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Гнездилов, Гончаренко, Имамов, Медведев
МПК: B30B 9/12
Метки: прессе, прессования, процессом, шнековом
...- величина положительная, то подачу материала уменьшают, и наоборот Изменение величины подачи исходного материала происхо" дит до тех пор, пока рассогласование не станет равным нулю, т.е. пока текущее значение тока нагрузки приводного электродвигателя не станет равным заданному. Одновременно по дру76 6 коррекции соединен с другим входомвторого блока сравнения, причем выхо 5 1 з 744 гому каналу регулирования сигналы о текущих значениях расхода и масличности исходного материала, получаемые с датчиков 9 и 1 О, поступают на вычислитель 11,где определяется заданное значение количества прессового масла с учетом значений этих сигналов, а так,же заданного значения масличности жмыха (датчик состояния жмыха не показан). Сигнал о заданном...
Динамометрический диск
Номер патента: 1571444
Опубликовано: 15.06.1990
Авторы: Имамов, Любушко, Мишин, Юзбашев
МПК: G01L 5/16
Метки: динамометрический, диск
...части рабочей кромки дисковогорабочего органа 1, условием30Ьц,( Оф 51 фДанное техническое решение предусматривает измерение сил, действующих на отдельно взятый элемент приобязательном равенстве толщин дискового ножа и силоизмерительного элемента на протяжении стыков их тел,т,е, подвижный элемент устанавливается таким образом, чтобы лезвие и рабочая поверхность указанного элемен 40та и дискового рабочего органа являлись продолжением один другого.Динамометрический диск работаетследующим образом,В процессе движения дискового ра 45 бочего органа 1 в почве на подвижный элемент 2 действуют силы взаимодействия его с почвой. Силоизмерительное звено 3 деформируется под действием составляющих сил по направлениямвыбранных координатных осей...
Сошник
Номер патента: 1565388
Опубликовано: 23.05.1990
Авторы: Божор, Имамов, Любушко, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01C 7/20
Метки: сошник
...7. Вдоль рабочей зоны установлены направляющие 9, имеющие пазы для многозвенной гибкой связи 3, для пальцев 4 и для штоков 8. Одним концом гибкий элемент огибает натяжную звездочку и закрепляется неподвиж но, а второй конец свободный. На смежном участке пальцы 4 и подпружиненные гибкие элементы 6 образуют между собой листоотделительные ячейки 1 О. При этом величина листоотделительной ячейки меньше диаметра обрабатываемого стебля. В результате чего листоотделительные ячейки постоянно упруго обхватывают стебель растения в процессе отделения листьев от стебля.На табакоуборочной машине устройство расположено таким образом, что участки а и б находятся в разных уровнях, при этом захват растений происходит с участка а. Листоотделительное...
Комбинированный рабочий орган для обрезки и заделки пленочного покрытия
Номер патента: 1561898
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Гусев, Имамов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01G 13/02, A01G 5/00
Метки: заделки, комбинированный, обрезки, орган, пленочного, покрытия, рабочий
...пленки, что снижает ее сопротивление. Во время заглубленияочередного сектора рабочей поверхности перекатывающегося дискового ножа 4 его .гладкая сторона прижимаетпленку к по дь, затягивает ее по55стенке борозды ца ее дно. Лопатки 5,нарушая связь части пленки г со стенкой борозди по аЬ, прн выходе цз.нее вырезают почну по аб и нерон трапецеидальные отверстия 8 на боковой поверхности дискового ножа 4 засыпают пленку к почвой, а пленкуперемещают на йоверхность. Устройство рабочей поверхности дискового ножа обуславливает прочную заделку пленки ки вынос пленкина дневную поверхность с минимальйыми энергозатратами. Гофрированная рабочая поверхность катка 6, увеличивая площадь контакта пленки с почвой, препятствуют перемешецию перфораций...
Сошник
Номер патента: 1561865
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Божор, Имамов, Любушко, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01C 7/20
Метки: сошник
...по семяпроводу5 и заделывающему органу 6,Так позволя и качес ож роцессат времожения ностиподачи ающих о а и и Сошник, включающий, раму с шарнирнзакрепленным поводком, корпус, органдля заделки семян, семяпровод.и механизм регулировки положения семяпровода, отличающийся тем,что, с целью повышения.производительности и качества посева, механизмрегулировки положения семяпровода выполнен в виде гибкой тяги, закрепленной на раме на одной вертикали с шарниром поводка, и шкива, ось которогосмонтирована на боковой грани корпуссошника, при этом шкив и семяпроводсвязаны при помощи рычага, жестко эакрепленного на боковой поверхностишкива, и шатуна, шарнирно связанногос рычагом и закрепленного на семяпроводе, подвижно размещенном внутри копуса...
Комбинированный рабочий орган
Номер патента: 1429955
Опубликовано: 15.10.1988
Авторы: Имамов, Любушко, Мишин, Муцынов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01B 49/06, A01C 7/20
Метки: комбинированный, орган, рабочий
...щельпод углом Ч и перерезает растительные остатки. При работе рабочихорганов, в частности на прямом посеве, почва характеризуется повьппеннойтвердостью и значительной степеньюзасоренности растительными остаткамиповерхности почвы, При этом условиеперерезания растительных остатковвыполнЯетсЯ защемлением, т.е. Ов ( 40с 2 ч , где М, - угол защемления, у- наименьший из углов трения, Г увеличением угла Цугол защемления о диска 1 уменьшаетсяпх(фиг,1), а н диске 2 с увеличениемиугла Ч о угол защемпения е(,уве -личивается, Гофрированная поверхностьувеличивает угловую скорость диска1, что улучшает условие перерезаниярастительных остатков. Диск 1 остав-ляет за собой борозду по контуруАВСРК. Диск заделывающего устройстна, упираясь на поверхность...
Дисковый рабочий орган
Номер патента: 1428240
Опубликовано: 07.10.1988
Авторы: Имамов, Любушко, Муцынов, Хорунженко, Юзбашев
МПК: A01C 7/20
Метки: дисковый, орган, рабочий
...на фиг. 3 - увелиценное изображение части гофрированного лиска с геометрическими параметрами гофра,Дисковый рабочий орган состоит из диска 1 с гофрами Б, который с помощью стойки 2 крепится к раме 3 машины. К раме также крепится устройство 4 для заделки семян.Дисковый рабочий орган работает следующим образом.При,1 вижеции мдгцицы по полю дискпод действием силы тяжести мац 1 ины заглуб ляется в почву ца глубину й, т. е. на высоту рабочей части диска по его вертикальной оси г 1. Образованная им борозда обеспечивает устойчивый ход по глубине устройства 4 для заделки семян. Гофрированный дискцрц движении в почве входит с цей в зацепление. При этом в фазе вхождения гофр Б в почву оци заполня 1 отся почвой.С целгио достижения максимального...
Способ определения плотности жидких сред и устройство для его осуществления
Номер патента: 1390529
Опубликовано: 23.04.1988
Авторы: Запаров, Имамов, Каримов, Лысых, Петренко
МПК: G01N 9/24
Метки: жидких, плотности, сред
...11 разность двух произведений (в предыдущем цикле ре- . гулирования и в текущем) поступает на вход двухуровневого компаратора 13, где определяется знак этой разности. Если значение разности положи 30 тельно и превышает уровень положитель ного опорного напряжения вырабатываемого источником 14 опорного напряжения, то запускается одновибратор 15 и разрешается включение электронного ключа 17, обеспечивающего питание 3 привода 6, Одновибратор 15 задает время, в течение которого к обмоткам привода 6 подается напряжение и тем самым производится перемещение источника 2 с помощью редуктора 5, Если 40 разность отрицательна и больше уровня отрицательного опорного напряжения от источника 14 опорного напряжения, то запустится другой...
Дисковый рабочий орган
Номер патента: 1389706
Опубликовано: 23.04.1988
Авторы: Гусев, Имамов, Муцынов, Плащевский, Хорунженко
МПК: A01C 7/20
Метки: дисковый, орган, рабочий
...машиностроению, в частности к дисковым рабочим органам.Цель изобретения - повышение эффективности работы дискового рабочего органа и умеьшение тягового сопротивления.На фиг, 1 изображен дисковый рабочий орган, вид сбоку; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1.Дисковый рабочий орган содержит гофрированный диск 1 с шириной кромки Б, равной О, который установлен на несущей раме (не показана) посредством поводка 2. На гофрированном диске 1 прикреплены реборды 3 и 4 суммарной ширины С.Дисковый рабочий орган работает следующим образом.При движении гофрированный диск 1 входит в зацепление с почвой. При этом кромка Б дискапрорезает борозду шириной Р. Выполнение поперечного сечения гофр диска 1 в виде треугольника 20 уменьшает площадь поверхности...
Способ определения параметров полупроводников
Номер патента: 1195856
Опубликовано: 07.02.1987
Авторы: Имамов, Колчанова, Яссиевич
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводников
...центра Е вслучае полупроводника р-тип..3 лупроводника и-типаи акцепторной - в случае полупроводникар-типа; 40 П тгс ГИИПИ Заказ 7828/2 Тираж 721 Подписи Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород ул. Проектная,Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения энергиисвязи носителя заряда на мелком нейтральном центре в полупроводниках,елью изобретения является расширение функциональных возможностейспособа путем обеспечения определения энергии связи носителя зарядана мелком нейтральном центре,10Изобретение поясняется чертежом,где приведены зависимости поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от температуры для двух образцов из СаЛя п-типа проводимости сразличным содержанием примеси,П р и...
Рентгенодифракционный способ исследования структурных нарушений в тонких приповерхностных слоях кристаллов
Номер патента: 1257482
Опубликовано: 15.09.1986
Авторы: Афанасьев, Завьялова, Имамов, Ломов, Пашаев, Федюкин, Хашимов
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, кристаллов, нарушений, приповерхностных, рентгенодифракционный, слоях, структурных, тонких
...де тектора 6 со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения. В рассмат риваемой геометрии дифракции возникает связь между углом отворота 6 ис следуемого кристалла от точного угла Брэгга и углом выхода ф дифрагированного пучка с поверхностью кристал 2: ф=ф, -В, д =ф(В = О). Отсюда следует, что изменение угла 6 55 на несколько десятков секунд приводит к изменению угла Ф на несколько градусов. Такие изменения ф могут быть зафиксированы при помощи щели, установленной перед детектором в плоскости, перпендикулярной плоскости отражения, и видимой с поверхносо ти кристалла под углом 0,1-0,2 . На стандартных дифрактометрах это может быть осуществлено без значительных потерь в интенсивности при размерах...
Рентгенографический способ выявления дефектов структуры кристаллов
Номер патента: 1226209
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Афанасьев, Имамов, Пашаев, Половинкина
МПК: G01N 23/20
Метки: выявления, дефектов, кристаллов, рентгенографический, структуры
...1). Падающий пучок от острофокусного источника коллимируется горизонтальной Я и вертикальной Я-гщелями. Вследствие конечного размера вертикальной щели 5, и малогоугла падения 9 на кристалле засвечивается полоска дВ , длина которойопрецеляется размером щели Е. ивеличиной угла падения , , а ширина полоски АВ определяется размеромгоризонтальной щели Е , Дифрагиро 1 О ванный пучок выходит с ВходнОЙ поверхности кристалла и фиксируетсяна фотопленке в виде штриха АВ( фиг. 2), Таким образом, по предлагаемому способу рентгеновской типографии реализуется брэгговская дифракция от лауэвских плоскостей,отклоненных на малый угол от нормалик поверхности кристалла.При дифракционном отражении рентщ геновских лучей в стандартной брэгговской дифракции...
Ферромагнитный делитель частоты в три раза
Номер патента: 1179495
Опубликовано: 15.09.1985
Авторы: Ибрагимов, Имамов, Каримов, Турдыев, Худайкулов
МПК: H02M 5/16
Метки: делитель, раза, три, ферромагнитный, частоты
...три феррорезонансных контура, Обмотка реле 11 напряжения подключена к нейтральным точкам 6 и 10, а его замыкающий контакт 12 подключен к одной из вторичных обмоток 13 трансформаторов 1-3. Обмотки 5 подмагничивания через диод 14 подключены 95 2к источнику входного однофазногопеременного тока.ферромагнитный делитель частоты втри раза работает следующим образом.При подключении делителя частотык источнику однофаэного переменноготока получают питание обмотки 5 подмагничивания, в результате чего ввыходных феррорезонансных контурахмягко возбуждаются СГК второго порядка, несимметричные по амплитудам ифаэовым сдвигам (фиг, 2). При этомнапряжение 0оказывается доста 1точным для срабатывания реле 11 напряжения, а в феррорезонансный контур...
Устройство для исследования структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов
Номер патента: 1173278
Опубликовано: 15.08.1985
Авторы: Афанасьев, Имамов, Ле, Мухамеджанов, Челенков, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: исследования, монокристаллов, приповерхностных, слоев, совершенства, структурного, тонких
...вторичной эмиссии ввиде газопроточной камеры, в которойрасположены держатель образца иэлектрод, держатель образца выполненв виде установленной на валу рамки,на которой расположен электрод, приэтом часть вала выведена из газопроточной камеры и снабжена устройствомдля его вращения,На фиг.1 схематически изображенопредлагаемое устройство, на фиг,2 -детектор вторичных излучений. Устройство содержит источник излучения 1, коллиматорные щели 2, кристалл-монохроматор 3, детектор вторичной эмиссии 4, установленный на гониометрической головке главного гониометра 5, и детекторы прошедшего б и дифрагированного 7 излучений.Детектор вторичной эмиссии (фиг,2) представляет собой цилиндрическую камеру 8 с крышкой 9, внутри которой расположена рамка...
Способ определения структурных характеристик монокристаллов
Номер патента: 1133519
Опубликовано: 07.01.1985
Авторы: Афанасьев, Бугров, Имамов, Маслов, Пашаев, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристаллов, структурных, характеристик
...глубиной выхода электронов 0,2-0,3 мкм, с точностью до4 -10 5, характерной для вторичныхпроцессов,На фиг.1 представлено устройствОдля осуществления предлагаемогоспособа; на фиг.2 - схема; поясняющая эксперимент.Устройство содержит источник 1рентгеновскогоизлучения, кристаллмонохромагор 2, исследуемый, кристалл3, гониометр 4, счетчики 5 и 6 рентгеновского излучения, детектор 7электронов ВЭУ, ось гониометра 8.Способ реализуется следующимобразом. Рентгеновское излучение из источника 1 падает на кристалл-монохроматор 2, находящийся в положении, удовлетворяющем условию дифракции в геометрии Брэгга. Монохроматиэированное и коллимированное излучениефпадает под малым углом 1-5 на исследуемый кристалл 3, сориентированный в положение,...
Способ определения структурных характеристик тонких приповерхностных слоев монокристаллов
Номер патента: 1103126
Опубликовано: 15.07.1984
Авторы: Александров, Афанасьев, Головин, Имамов, Миренский, Степанов, Шилин
МПК: G01N 23/20
Метки: монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных, тонких, характеристик
...пучком рентгеновского излучения, выводят в положение, соответствующее дифракционному отражению в условиях полного внешнего отражения, путем поворота исследуемого кристалла и изме-, ряют интенсивность дифрагированного излучения, по которому судят о структурных характеристиках, пучок коллимируют только перпендикулярно плоскос. ти дифракции и интенсивность дифрагированного излучения в плоскости дифракции измеряют при неподвижном крис. талле в зависимости от угла выхода дифрагированного излучения с поверхностью кристалла.Кроме того, для различных углов выхода к поверхности кристалла измеряют зависимость интенсивности зеркальной компоненты от угла падения. На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа,Схема...
Рентгеновский спектрометр для исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 898302
Опубликовано: 15.01.1982
Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Шилин, Якимов
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного
...содержит стационарный источник рентгеновского излучения 1, первый кристаллмонохроматор 2, установленный в поворотном держателе 3, второй кристалл-монохроматор 4, установленный в поворотном держателе 5, который расположен на поворотной платформе 6, Исследуемый монокристалл 7 установлен в поворотном держателе 8, когорый расположен на второй поворотной платформе 9, Оси поворотов платформ б и 9 совпадают с осью поворотадержателя 3 первого кристалла-монохроматора 2, Дифрагированное исследуемым монокристаллом 7 излучение регистрируют детектором 10, который установлен с возможностью поворота относительно оси поворота держателя 8 исследуемого монокристалла 7 В спектрометр могут быть введены дополнительные детекторы для целейнастроики...
Рентгеновский спектрометр для исследования структурного совершенства монокристаллов
Номер патента: 894502
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Имамов, Ковальчук, Миренский, Суходольский, Шилин
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристаллов, рентгеновский, совершенства, спектрометр, структурного
...на собственном поворотном держа" теле 13, установленном на держателе 8.Все держатели 3, 5, 8, 13 снабжены, как это принято в дифрактометричес- фо кой аппаратуре, средствами юстировки кристаллов путем их перемещения в двух взаимно перпендикулярных направлениях, как зто, например, реализовано в известном устройстве, 65 Спектрометр работает следующим образом.Рентгеновский пучок от стационарного источника 1 падает на первый кристалл-монохроматор 2, установленный в отражающее положение, например, с помощью детектора (не показан), Отраженный от кристалла-монохроматора 2 рентгеновский пучок падает на воторой кристалл-монохроматор 4,установленный параллельно монохроматору 2 с помощью поворотной платформы 6 и поворотного держателя 5. При этом...
Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла и трехкристалльный рентгеновский спектрометр для осуществления способа
Номер патента: 894501
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Афанасьев, Болдырев, Завьялова, Имамов, Ковальчук, Лобанович
МПК: G01N 23/207
Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, рентгеновский, слоя, спектрометр, способа, трехкристалльный
...от друга на 180Ба чертеже показана схема спектрометра. Способ осуществляется следующим образом.На первом этапе реализации первые два кристалла являются монохромато-. рами, а третий кристалл исследуемый. В этом случае получают трехкристальные собственные кривые отражения, не искаженные инструментальной ошибкой. При съемке нарушенного слоя кривая дифракционного отражения содержит хвосты, интенсивность ко" торых складывается, в общем случае,из интенсивности динамического рассеяния и интенсивности диффузного рассеяния на дефектах в нарушенном слое. Затем измеряют кривую дифракционного отражения от идеального кристалла, используя, например, об"ратную ненарушенную сторону исследуемого монокристалла.Затем, на втором этапе, исследуемый...
Способ исследования структурного совершенства поверхностного слоя монокристалла
Номер патента: 894500
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Александров, Афанасьев, Болдырев, Имамов, Ковальчук, Лобанович, Фалеев
МПК: G01N 23/207
Метки: исследования, монокристалла, поверхностного, слоя, совершенства, структурного
...с энергией25 кэВ при дозах 3,110 см- и6,210"ф см . Измерения производились на трехкристальном спектрометре при использовании СцК,- излучения и симметричного отражения типа (Ш),На Фиг.б показана серия спектровкремния облученного ионами бора сдозой 3,1 10" см-, а на фиг.7представлены хвосты двухкристальной кривой отражения от этого кристалла, причем пунктиром показанакривая отражения до облучения. Изфиг,7 видно, что при углах, меньшихбрегговского, появляется дополнительная область днфракции, тогда какс другой стороны кривая отраженияпрактически совпадает с кривой от"ражения ненарушенного кристалла.Этот факт находит четкое выражениев трехкрнстальных кривых, полученных предлагаемым способом, При по"вороте кристалла в сторону большихуглов...