Способ определения параметров полупроводников
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,151) 4 Н 01 1, 2 ЕНИЯ;ц,И: ИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКОМ из зависимости (1 ратуру Т при к в нуль, а искомь по формуле Е=1,9 где Ч (см ) Х (см ) ника чае полупрор-типа;времена жиновесных н ь(с), ь) зни неравосителей ния света;коэффициент Больцма(эрг/гр на;энергия основного со ит ия мелк ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ОПИСАНИЕ ИЗОБР(56) Гершензон Е.И. и др. Об энергиисвязи носителя .заряда с нейтральнымпримесным атомом в германии и кремнии. Письма ЖЭТФ, 1971, т.14, в,5,с, 281-283.Авторское свидетельство СССР(54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный наразогреве носителей тока светом приохлаждении образца, измерении термомагнитной ЭДС и определении поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа путемобеспечения определения энергии связи носителя заряда на мелком нейтральном центре, устанавливают интенсивность света 1, удовлетворяющую условию термомагнитную ЭДС измеряют в интЕм Емвале температур 0 01с Т -1 с 1 с=1 (Т) находят темпеоторой С 1 обращается я параметр вычисляют КТконцентрация акцепторной примеси в случае полупроводникаи-типа и донорной -в случае полуйроводника р-типа;концентрация донорнопримеси в случае полупроводника и-типаакцепторной - в слузаряда и донорно-акцепторной пары соответственно; К(см ) - коэффициент погло рального донорного центра ЕА в случае полупроводника п-типа или энергия основного состояния мелкого нейтрального акцепторного центра Е вслучае полупроводника р-тип..3 лупроводника и-типаи акцепторной - в случае полупроводникар-типа; 40 П тгс ГИИПИ Заказ 7828/2 Тираж 721 Подписи Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород ул. Проектная,Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения энергиисвязи носителя заряда на мелком нейтральном центре в полупроводниках,елью изобретения является расширение функциональных возможностейспособа путем обеспечения определения энергии связи носителя зарядана мелком нейтральном центре,10Изобретение поясняется чертежом,где приведены зависимости поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от температуры для двух образцов из СаЛя п-типа проводимости сразличным содержанием примеси,П р и м е р, Энергия связи носителя заряда (электрона) на мелкомнейтральном центре (доноре) определена в кристаллах СаАя п-типа, Быливзяты образцы эпитаксиального материала СаЛя с концентрацией электро 14 -3 -Энови = 510 смип=10 смудовлетворяющих условию25 ИсСд) - концентрация акцепторной примеси в слу 30чае полупроводникап-типа и донорнойв случае полупроводника р-типа;) - концентрация донорнойпримеси в случае по - интенсивность света,освещающего полупроводникс (с), с, (с) - время жизни неравновесных носителей заряда и донорно-акцепторной пары соответственно;с(см 7 - коэффициент поглощения проводника р-типаОбразец помещен в магнитное поле, имеющее напряженность Н = 1 кЭ, освещен светом с энергией квантов 1,59 эВ,В температурном интервале 1,8-80 К,Е что удовлетворяет условию 0 01с Тс) 1 ъ. Ем где Ем (эрг) - энергия основного состояния мелкого нейтрального донора, а в случае полупроводника п-типа,или энергия основного состояния мелкого нейтрального акцепторнбго центра, в случае полупроводника р-типа,(эрг/град) - постоянная Больцмана, была измерена зависимость от температуры ЭДС Нернста-Эттингсгаузена и рассчитана зависимость поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузенаот температуры для двух образцов с различным содержанием мелких донорных центров. Эти зависимости приведены на чертеже и из них видно, что температура, при которой Ц = О, для обоих образцов Т = 3,6+0,1 К,Энергия связи электрона на нейтральном донорном центре, рассчитанная по формуле Е = 1,9 ЕТ , равна 6,0 10 эВ.
СмотретьЗаявка
3739205, 07.05.1984
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А. Ф. ИОФФЕ
ИМАМОВ Э. З, КОЛЧАНОВА Н. М, ЯССИЕВИЧ И. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводников
Опубликовано: 07.02.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1195856-sposob-opredeleniya-parametrov-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров полупроводников</a>
Способ определения оптической энергии ионизации и типа симметрии глубокого примесного центра в полупроводнике
Номер патента: 1114262
Опубликовано: 15.11.1985
МПК: H01L 21/66
Метки: глубокого, ионизации, оптической, полупроводнике, примесного, симметрии, типа, центра, энергии
...носителей тока, создаваемых светом из рассматриваемой области энергии фотона (дырка, электрон). Эти сведения могут быть 0 Далее по формулам (4-8), приведенным ниже, строятся расчетные кривые спектральной зависимости сечений фотоионизации б , учитывающие зону проводимости / д /, зону тяже лых дырок /И 1, /, зону легких дырок/ Ве /, зону спин-орбитального расщепления / б 6 / для каждого типа симметрии /Г 6, Г, Гз /. Сечение фо тока определяют зарядовое состояние исследуемого центра после фотоионизации, экспериментальные зависимости фотопроводимости или коэффициента поглощения сопоставляют с расчетными кривыми, величину оптической энергии иойизации глубокого примесного центра с и тип его симметрии определяют по значениям параметров...
Способ определения концентрации и знака зарядов активных центров на поверхности катализатора
Номер патента: 575550
Опубликовано: 05.10.1977
МПК: G01N 25/00
Метки: активных, зарядов, знака, катализатора, концентрации, поверхности, центров
...позвопяет сократить время анализадо 5-10 мин при той же точности опредепения. 50 На;чертеже показана блок-схема для определенияконцентрации активных центров на поверхности катализатора, содержашая печь 1 с устройством, обеспечивающим пос 55 тоянную скорость нагрева, источник 2 питания печи, фотоэпектронный умножитепь 3 с источником 4 его питания, гапьванометр 5, Исследуемый катализатор 6 устанавпивают между печью 1 и фЭУ 3,П р и м е р. Берут исследуемый катапизатор, например ппенку окиси алюминия размером 1 х 2 см, и отжигают при темлературе500 С. Затем катализатор депят. на две равОные по площади части, одну из которых обрабывают в 1 н растворе ацетата натрия, адругую оставпяют необработанной. Образецдепят на две части с целью...
Устройство для определения типа проводимости полупроводников
Номер патента: 1085390
Опубликовано: 30.09.1986
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводников, проводимости, типа
...потенциалов между зондами от удельного сопротивления исследованных полупроводников КЭФ и КДБ,Устройство для определения типа проводимости (фиг. 1) состоит из двух обкладок 1 конденсатора, между которыми помещена исследуемая пластина 2 полупроводника, изолированная от них диэлектрическими пленками 3. Свободная поверхность пластины полупроводника длиною Ь находится вне обкладок конденсатора. На ней установлены два металлических зонда 4, подсоединенные к вольтметру 5 постоянного напряжения, а конденсатор подключен к высокочастотному генератору 6.Переменное электрическое поле наводится конденсатором в локальной обЛасти полупроводника. Оно вызывает колебательное движение свободных носителей заряда и ионов примеси, Так как последние...
Устройство для определения типа проводимости полупроводников
Номер патента: 561157
Опубликовано: 05.06.1977
Авторы: Завалин, Иващенко, Максимов, Потыкевич
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводников, проводимости, типа
...практически невозможно.Известно устройство для определениятипа проводимости полупроводников, содержащее источник питания, регистрирующий прибор, электроды для подклю енияисследуемого образца, истэчник магнитного поля 12,Принцип действия устройства основанна определении а,д.с. Холла,едостатком известного устройства561157 ПНИИПИ 7 .в: 1557 Л 51 Тирои 1101 Пониионовонниии пгппвтвнт г, уиаоров ун провитнвн 4 симостти от типа его проводимости и от пэнлярнэсти напряжения поляризации.На чертеже изображечо предлагаемоеустройство.Устройство содержит пластину 1 изсегнетозчектрического материал ,иала на противоположные грани которой нанесеныМект 1 эодьт поляризации 2, подключенныек источнику питания 3, контакт 4, измертите 1 ть...
Способ измерения вероятности передачи энергии возбуждения в донорно-акцепторных системах
Номер патента: 742770
Опубликовано: 25.06.1980
Авторы: Кузнецова, Малашкевич
МПК: G01N 21/02
Метки: вероятности, возбуждения, донорно-акцепторных, передачи, системах, энергии
...вероятности передачи энергии, соответствующее этой скорости, т. е. в основу этого способа положено исследование кинетики изменения заселенности комбинирующих уровней.Определение вероятности передачи энергии по изменению заселенности нижнего комбинирующего уровня, т. е, основного состояния акцептора, позволяет распространить этот способ практически на все донорно-акцепторные соединения, имеющие полосы поглощения в спектральной области генерации существующих лазеров с широким контуром усиления.П р и м е р. При определении вероятности передачи энергии для классической донорно-акцепторной пары; органическая молекула-редкоземельный ион в теноилтрифторацетонате европия (акцептор имеет ряд узких полос поглощения в спектральной области...
Предыдущий патент: Флюс
Следующий патент: Зубодолбежный станок
Случайный патент: Опорно-сцепное устройство для тягача с активным полуприцепом