Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов

) (Ц Н 01 1 21/33 ИЯ Т АВТОРСКОМУ СВ ТЕЛЬСТВУ 6 шие интегральные схе,В 1.0, с. 49-54. ельство СССР 1/82, 1979.ОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГ. НЗИСТОРОВ, включаремниевую подложку имости маскирующих ческое формирование дание толстого изолиГОСУДАРСТВЕНЮЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР(54)(57) СПОСОБ ИЗГРАЛЬНЫХ МДП-ТРАющий нанесение на кпервого типа проводслоев, фотолитографинитридной маски, соэ Изобретение относится к производс у полупроводниковых приборов, в частнос больших МДП-интегральных схем.Целью изобретения является повышение надежности и процента выхода годных приборов. На фиг, .1 показана структура после нанесения слоя нитрида кремния 1 на кремниевую подложку р-типа проводимости 2, на фиг. 2 - и структура после нанесения фоторезиста 3, локального вытравливания нитрида кремния 1 и частично кремния 2 и проведения ионной инплантации примеси р-типа с образованием локальных областей р -типа 4; на фиг. 3- структура после уделе+ния фоторезиста 3 локального окисления кремния 5 с получением толстого окисла кремния 5 над р+-областями 4 и селективного вытравливания нитрида кремния 1; на фиг, 4 - структура после локального окисле 2рующего слоя окисла кремния, образование тонкого слоя подэатворного диэлектрика, нанесение слоя поликристаллического кремния и фотогравировку по нему и подзатворному диэлектрику, локальную диффузию примеси для образования областей истока и стока второго типа проводимости, нанесение контактного металла и фотогравировку по нему для формирования контактов к истоку, стоку и затвору, о тл и ч а ющ и й с я тем, что; с целью повышения надежности и процента выхода годных приборов, слой подзатворного диэлектрика Формируют через нитридную маску ния материала подложки 2 через нитридную маску 1 с образованием тонкого подзатворного окисла кремния 6, полного удаления нитрида кремния 1 и нанесения поликристаллического кремния 7; на фиг. 5 - струк О тура после фотогравировки по 0 поликристаллическому кремнию 7 и тонко- у му окислу кремния 6; на фиг, 6 - структура после проведения диффузии примеси п-типа, образующих область стока 8 истока 9 и нанесения на поверхность слоя Фосфороси- Од ликатного стекла 10; на фиг, 7 - структура после фотогравировки по фосфоросиликатному стеклу 10, напыления алюминия 11 и фотогравировки по нему для образования контактов к истоку, стоку и затвору.П р и м е р, В качестве исходного материала используют кремниевую подложку ртипа проводимости с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде водяного парэ. В результате вне нитрида кремния образуется слой окисла кремния толщиной порядка 1 мкм, Тонкий окисел, выращенный на нитриде кремния, стравливают в буферном трави- теле. Затем проводят травление нитрида кремния во фреоновой плазме на установке "Плазма 600 Т", используя в качестве маумирующего слоя фоторезист,Подзатворный диэлектрик (окисел кремния) толщиной порядка 1000 А получают термическим окислением кремния в сухом кислороде при температуре 1050 С в течение 110 мин с последующим отжигом в аргоне в течение 10 мин.Контактное окно к поликремнию выполняют стравливанием нитрида кремния на установке "Плазма 600 Т".Поликристаллический слой кремния толщиной 0,4 мкм наносят разложением моносилана в среде водорода при температуре 780 ОС,Поликремниевую разводку формируютфотолитографией с последующим травлением в составе ННОз, СНзСООН, НР, Н 20 и йод,5 В буферном траеителе стравливаютокисел с областей стока и истока и после отмывки осуществляют диффузию фосфора при температуре 970 С в течение 30 мин.При этом создаются области истока и стока 10 п-типа.Слой фосфоросиликатного стекла толщиной 1 мкм наносят пиролитическим разложением моносилана в среде кислорода в присутствии фосфина при температуре 15 500 С. После уплотнения.фосфоросиликатного стекла при температуре 970 С в течение 20 мин производят вытравливание контактных окон в нем.В установке. вакуумного напыления В.20 10/24 наносят слой алюминия толщиной 1,2мкм и проводят его термообработку в арго- не при температуре 450 С.Металлическую разводку формируютфотогравировкой с травлением алюминия в 25 травителе состава Н 2 Р 04:НИОз:СНЗСООН:: Н 20=140:6:30:5.Из изложенного выше видно, что подзатворный диэлектрик не затрагивается ни одной из фотогравировок, т.е. он не содер жит дефектов, накладываемых фотолитографией, Этот диэлектрик, кроме того, не подвергается длительному термическому воздействию, в результате чего он обладает минимальной плотностью поверхностных 35 состояний. Таким образом, данный способпозволяет получить высококачественный диэлектрик и за счет этого не повысить надежность и процент выхода годных приборов.865053 Составитель Г.Угличи Техред М. Моргента Корре Редактор Г.Берсене шен венно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 роиз Заказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при 113035, Москва, Ж, Раущская наб., 4/5