Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИХЕСПУБЛИК Н 01 . 21/3 ЕНИ ЕТ ИОНОВ, ОТЛ ПОВЫШЕНИ травление ионов про водорода и фтористого лярном пот с целью оцесса, тельных ористого ержание молекуМИЧЕСКОГО И НИТРИДА содержащих ОСУДАРСТВЕНОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗО ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54 К 57) СПОСОБ ИОННО-ХТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИКРЕМНИЯ в потоке фто Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем.Целью изобретения является повышение технологичности процесса,Поставленная цель достигается тем, что в способе ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния в потоке фторсодержащих ионов. травление ведут в потоке положительных ионов продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода, при этом содержание фтористого водорода в исходном молекулярном потоке составляет 5-98,5 обьемных,В способе исключается образование каких-либо твердых фаз и выпадание их в осадок. Тем самым, повышается технологичность процесса травления двуокиси и нитрида кремния.Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображена схема получения потока положительных ионов продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода.Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния включает в себя следующие этапы. ичающийся тем,что я технологичности пр ведут в потоке положи дуктов диссоциации фт водорода, при этом сод водорода в исходном оке составляет 5 - 98,5 Определенное количество паров 1 фтористого водорода с содержанием воды0,1 мас.%, необходимое для непрерывного проведения процесса травления двуокиси или нитрида кремния на кремнии помещают в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося на диэлектрике положительного заряда потока ионов 10, дополнительно создают поток электронов 13, эмиттированных с нити нака 867233ливания 14. Поток ионов 10 направляют на подложку 15 со слоем двуокиси или нитрида кремния 16 и маской 17. Продукты 18 реакций взаимодействия откачиваются.Примеры конкретного осуществления способа на усовершенствованной установке типа УРМ 3.279.053 приведены в таблице.При этом обеспечивается достаточная стойкость фоторезистивной маски, характеризуемая отношением собственной скорости травления и скорости травления термического 902 0,72:1-1,1:1 и к 3 эйли 1,1;1-2:1, а также регулируется соотношение скоростей травления кремния и двуокиси кремния от 1;1,2 до 1:12 и кремния и нитрида кремния от 1:1,05 до 1;4,5,Применение предлагаемого способаионнохимического травления в производстве МДП СБИС с использованием фото- и электроннореэистов позволит получать эле менты рисунка размером0,5-1,0 мкм собеспечением чистоты вскрытия окон в окисле кремния толщиной 0,5-1,0 мкм на кремнии и нитрида кремния до 0,3 мкм через фоторезистивную маску толщиной 0,6- 10 0 8 мкм.Применение изобретения дает значительный технико-экономический эффект за счет повышения выхода годных приборов иэ-за улучшения качества фотолитографиче ского рисунка высокого разрешения /0,51,0 мкм/, улучшения культуры труда.867233 6 16 17 рректор И,Шмако Редактор Г,Берсенева оргентал хред Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, улХагарина, 101 Заказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5