Способ изготовления вч транзисторных структур

мирование маскирующего го покрытия с последую эмиттерного окна и форми ной базовой и эмиттерной одноитожеокно,отлича что, с целью улучшения свойств транзисторных с вскрытия эмиттерного окн травливание примесного сл щее диэлектрическое покры после получения базового и термическую разгонку котор вытравливания. активной базовой 10 и эмиттерной 11 областями, покрытых маскирующим диэлектрическим покрытием 12; на фиг. 4 - транзисторная структура со вскрытыми контактными окнами и металлизацией 13 и 14 к эмиттерной базовой областям.Способ осуществляют в следующем порядке, На кремниевую высоколегированную подложку 1 и-типа проводимости с удельным сопротивлениемр 0,01 Ом см осаждают эпитаксиальным наращиванием высокоомный слой 2 того же типа проводимости с удельным сопротивлением 2 Ом см и толщиной 11 мкм. Термическим окислением в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода проводят выращивание маскирующего диэлектрического покрытия 3 двуокиси кремния толщиной 0,6 мкм при температуре 1150 С, Фотогравировкой в выращенном окисле кремния 3 вскрывают окно 4 и через него диффузией бора из борного ангидрида ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЧ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий получение базового примесного слоя противоположного подложке типа проводимости и его термическую раагонку, форИзобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных 8 Ч транзисторов и больших интегральных схем на биполярных транзисторах,Целью изобретения является улучшение усилительных свойств транзисторных структур.На фиг. 1 изображена высоколегированная полупроводниковая подложка 1 с высокоомным эпитаксиальным слоем 2, маскирующее диэлектрическое покрытие 3 со вскрытым окном 4, через которое сформирован базовый примесный слой 5 противоположного подложке типа и роводимости; на фиг. 2 - полупроводниковая подложка 1 с маскирующим диэлектрическим покрытием 6, вскрытым эмиттерным окном 7, вытравленной областью 8 и разогнанным термически базовым примесным слоем 9; на фиг. 3 - подложка 1 со сформированными диэлектрическощим вскрытием рование актив- областей через ющийся тем, усилительных труктур, после а проводят выоя, а маскируютие формируют римесного слоя, ого ведут после40 45 В 20 з формируют базовый примесный слой 5 противоположного подложке типа проводимости, Предварительную диффузию (загонку) бора производят в вакууме при температуре 940 С в течение 30 мин до получения поверхностного сопротивления 70 Ом/0 с глубиной залегания диффузионного слоя 0,35 мкм.Далее при температуре 150 С, чтобы глубина залегания диффузионного слоя не изменялись, в плазме ВЧ разряда разложением моносилана 8 Н 4 в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с эмиттерного окна в травителе на основе фтористоводородной кислоты и воды последовательно, либо одновременно из общего источника, формируют активную базовую 10 и эмиттерную 11 области. Базовую область формируют диффузией бора иэ В 20 з с последующей его разгонкой в нейтральной азотной среде. Поскольку вторая стадия разгонки ведется в нейтральной среде и поверхностная концентрация (й) легирующей примеси бора в значительно меньшей степени подвержена обеднению по сравнению с разгонкой в окислительной среде, сохраняется уровень поверхностного легирования типового диффузионного транзистора йз "4 10 см с глубиной залегания диффузионного слоя,5 мкм, Эмиттерную об 5 10 15 20 25 30 35 ласть 11 формируют диффузией фосфора из РОСз при температуре 1000 С до Вафа 1 10 см через то же эмиттерное окно 7, что и активную базовую область 10, В результате диффузии фосфора в окислительной кислородной среде на поверхности окна образуется маскирующее диэлектрическое покрытие 12 из фосфорно-силикатного стекла. Далее вскрывают фотолитографией контактные окна к эмиттерной 11 и базовой 9 областям, напыляют алюминий толщиной1,5 мкм и последующей фотогравировкой формируют их металлизацию 13 и 14.По сравнению со структурой, полученной известным способом-прототипом, транзисторная структура, полученная данным способом, имеет эффективную площадь эмиттера большую на величину боковой. диффузии контактного базового слоя в сторону эмиттера. При глубине залегания диффузионного слоя -4 мкм сужение площади эмиттера при использовании способа-прототипа определяется боковой диффуэией 2,8 мкм по всему периметру эмиттера. В предложенном же способе развитие боковой диффузии ограничено вытравленной областью 8 большей глубины залегания базового примесного слоя 5, Для мощных ВЧ транзисторных структур и для больших интегральных схем на биполярных транзисторах размеры эмиттера уменьшают до нескольких микрон, причем, с использованием данного способа геометрические потери могут быть сведены к минимуму. Лучшие усилительные свойства транзисторных структур, полученных описываемым способом, обеспечиваются большей эффективностью эмиттера, достигаемой за счет увеличения эффективной площади эмиттера над тонкой центральной частью активной базовой области. Данный способ особенно эффективен при создании транзисторных структур, работающих на высоких частотах и при больших плотностях эмиттерного тока в условиях возрастающего эффекта концентрации тока по периметру эмиттера,867224 Фиг Составитель П,Петров Техред М. Моргентал едактор Г.Берсе Андрушенко Корректор Заказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5 роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101