Патенты с меткой «вч-транзисторов»

Номер патента: 900759

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: вч-транзисторов, мощных

...базовый слой 4 ( 0,9 мкм) полученный термической диффузией из эпитаксиального слоя, Для более глубокой подразгонки базового диффузионного слоя используют отжиг в окислительной и нейтральной (азотной) средах при температуре 1373 - 1423 К.Далее фотогравировкой в диэлектрическом слое 5 вскрывают окно 6, через которое загонкой бора из борного ангидрида (В 20 з) при температуре 1323 К с последующей термической обработкой в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода(Т"1223 К) формируют эмиттерную область 7 с маскирующим ее диэлектрическим покрытием двуокиси кремния 8, При этом область эмиттера 7 входит в диффузионный базовый слой 4, полученный диффузией из высоколегированного эпитаксиального слоя 3. Толщину...