Способ получения кристаллов полупроводниковых структур

СОЮЗ СОВЕТСКИХСО ЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИРЕСПУБЛИК 1050)5 Н 01 1, 21/7 ИЗОБРЕТЕНИЯ ОПИ аюащиттвляютФторх клюГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(Б 4) Ь 7) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР,включающий операции Формирования элементов структуры в полупроводниковойподложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактныхокон к элементам структуры, Формирования металлизированной разводки, на"несения защитного диэлектрическогопокрытия и маскирующего покрытия,травления разделительных канавок и Изобретение относится к микроэлек тронике и полупроводниковой технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов.Известен способ получения кристал лов полупроводниковых структур, вклю чающий операции Формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных окон к элементам структуры, создания металлизированной разводки, Формирования разделительных канавок, нанесения защитной диэлектрической пленки и вскрытия окон в ней.При этом ребра и грани кристалла покрыты защитным диэлектрическим сло ем, предохраняющим полупроводниковую структуру в целом от токов утечки при возможном контакте кристалла с внутренними проволочными выводами,окон под контакты к металлизированнойразводке, разделения подложки накристаллы, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения способа,вскрытие контактных окон и травлениеразделительных канавок осуществляютодновременно и непрерывно в травителеиндиФФерентном к металлизированнойразводке.2, Способ по п 1, о т л и чщ и й с я тем, что травление зного покрытия и подложки осущесплазмохимическим травлением восодержащих газах, индиФФерентнцметаллизированной разводке из аминия или его сплавов,Недостатком способа является наличие дополнительной ФотолитограФии для вскрытия областей под разделительные канавки, усложняющей и удлиняющей технологический процесс иэготов- - ф ления полупроводниковой структуры, С) а также сложность процесса Фотолито- (Я граФии,по разделительным канавкам С) глубиной 5 мкм. 4 ьНаиболее близким техническим реве- с, нием является способ получения крис- (р таллов полупроводниковых структур, включающий операции Формирования элементов структурц в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием, вскрытия контактных окон к элементам структуры Формирования металлизированной разводки, нанесения защитного диэлектрического покрытия и маскирующего покрытия, травления разделительных канавок и окон3 105075под контакты к металлизированной раз- сл ."слои , окна в маскирующем слое8водке, разделения подложки на крис- над контактными площадками, окна 9Не ост тв маскирующем слое над разделитель"едостатком этого способа являет- ными канавками окна 10ся сложность опе а ии с5 канавками, окна к контактоперации совмещенной Фо- ным площадкам металлизированной азтолитограФии ис нка нр у а контактных окон водки, окна 11 над разделительнымиа ои разк металлизации и разделительных кана- .канавками, разделительные канавки 12вок по защитном пок ыту покрытию, поскольку и,область зависания защитного иФоторезистивный маски ий сл "рующ " ои име электрического слоя над разделителього диет разную толщину над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25 Па.рический защитный слой подтравливает" нием м нся и эФФективность маскирования тем После этого на зсамым снижается,осле этого на защитное покрытиенаносят слой Фоторезиста фПтолЦелью изобретения является упро- щиной 2 мкм Пщение способа.щинои . мкм. осле вскрытия в мас"П.а. 25 кирующем слое 7 Фотореэиста окон 8оставленная цель достигается над алюминиевыми контактными площадтем, что в способе получения кристаллов полупроводниковых структуками и оконнад областями аз еэ б раздевключающем операции Формирования эле- нов ер, ления подложки на кристаллы п ово яр одяте- одновременное плазмохимическое трав"е во торсодержащих газах заментов структуры в полупроводниковой 30 ление Фподложке с маскирующим их диэлектри- щитного окисла в этих окнах.ческим покрытием, вскрытия контактных П 8окон к элементам структуры Фри этом в окнах т вормиро- до скрытия пове хнра ление идетвания металлизированн "р ости алюминиевоимо а нои разводки, контактной площади, на которой трав"нанесения защитного диэлектрического 5 ление останавлпокрытия и маскирующего пок ытияа авливается за счет ина авл чет индиФР Ферентности алюминия к воздействиютравления разделительных канавок и Фторсодержащей плазмы.окон под контакты к металлизирован- Вюокнах 9 после вскрытия поверхнои разводке, разделения подложки на ности к емниев "кристаллы вт кремниевои подложки непрерывл , вскрытие контактных окон 40 но продолжаюи травление разделительных канавок глубины ит травление кремния одины, превышающей глубину эалега"осуществляют одновременно и непрерыв" ния активнноо в травителе, индиФФерентном к ме- обычн 5-15я активных элементов структурыУталлизированной разводке, травлениео ычно - мкм. Плазмохимическоее травление осуществляют в хла онезащитного покрытия и подложки осуще 218ствляют плазмохимическим травление45 или смеси 5 элегаза и 5 л56 кислово Фторсодержащих газах ин иФФм рода на установке ио на у инди е- пример "плазма-планерн при авлениирентных к металлиэированной разво ке 66"260 а я е 5 На Фиг.1 изображена полупроводни,7 кВт, при этомковая подложка с металлиза ией нк т, при этом достигают скоростиФиг.2 изображена полупроводниковаяо слоя двуокисиподложка с разделительными канавкамикремния 1,2-2,7 нм/с и полик ристаллического кремния подложки 1227 нм/с,На чертежах приняты следующие обо- Устранение воззначения: полупроводниковастранение возможных замыканийковая подлож- при контакте и ов551 ие , элемен- кристалла оты интегральных стр кт 3р ла осуществляют путем созда"ы структур 3, контакт- ния зоны изоляции тела к истаные окна 4, металлизированная развод- . в ви е облатела кристаллавиде области зависанияыи слои , маскирующий диэлектрического покрытия с ребраКорректор И.смак ед М,Иоргента Редакто ене Заказ 2834 ТиражВНИИПИ Государственного комитета по113035, Москва, ЖПодписноеиям и открытиям при ГКНТая наб д, 4/5 брет Рауш ул, Гагарина, 101г"П нт" г, иэводственно-издательскии комбинат Пате т 6на азделительной канав- технологию получения кристаллов полу- кристалла над разделительной канавпроводниковых сниковых структур цто приводит кой без специальнои операц Уных полупролитограФии по глубокому рельефу раз- к увеличению выхода год ыВодникОВых приборов. делительных канавок. Это упрощает7