H01L 21/3065 — плазменное травление; ионное травление

Номер патента: 1088589

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гущин, Долгополов, Иванов, Медведев, Сологуб, Хоббихожин

МПК: H01L 21/3065

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых

...и путем изменения его расхода устанавливают рабоее давление в диапазоне 6,7-133 Па. После этого через время С так как происходит значительное разбавление (5 Х) рабочей смеси в реакторе. Это приводит к тому, что внекоторых технологических процессах,при использовании в качестве балластного газа - азота при его содержаниив плазмообразующей смеси )5 Х происходит дополнительная деструкция фоторезистивной маски энергией, выделяемой при дезактивации возбужденных мо Чф РС К фиещеЯ Ргде К - коэффициент (1 сКс 5)у Чобъем реактора, л; Я - расход газа,л/с; Р - рабочее давление, торр;Р, - нормальное атмосферное давление,возбуждают ВЧ разряд и проводятпроцесс плазмохимической обработки.Подача газа-разбавителя на выходеиз реактора позволяет...

Номер патента: 1527201

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Журкин, Киселев, Сергеев

МПК: C03C 23/00, H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, поверхности, травления

...обго слоя Ь от времени остей СЙТе, где крипо обычной методике,работки деталей, изготовленных из электрических материалов, и может быть использовано вэлектронике, С целью м пучком ио в, в которыи оток электронов, причем в тупенчато до достижени а на каждой ступени с у ними, равной времен Время травления сок2 ил. емя обработки понерхпоследовательно повторя- по обработке поверхности я требуемой величины1527201 Следовательно, предложенный способ позноляет повысить эффектинность обработки,Формула и э о б р е т е н и я Л,яка 0,5,4 0,2 16 й,пин 6 12 6 2 Ф фи Фив. Составитель Г,Буронцеваактор В.Данко Техред П,Сердюкова Ксрректор Т,Мале аказ 7474/31 Тираж 4 НИИПИ Государственного комитета по113035 Москва, ЖПодписное обретениям и...

Номер патента: 1297665

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Осинов, Стратиенко

МПК: H01L 21/3065

Метки: кремния, нитрида, селективного, травления

...относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления полу проводниковых приборов.Целью изобретения является исключение подтрава нитрида кремния на обратной стороне пластины за счет снижения рабочего давления,П р и м е р. Селективное травление нитрида кремния проводят на тестовых пластинах в условиях серийного производства, На кремниевые пластинье КДБО с ориентацией 100 вреакторе пониженного давления осажодают нитрид кремния толщиной 50 ОА,затем при помощи Фотолитографии Формируеот рисунок из Фоторезиста, после Данный способ позволяет получатьв заявляемом диапазоне состава реа".гентов скорость травления нитридакремния от 350 А/миндо 650 А/мин,при этом селективность соответственно равна 9:1 и 6-.1.При...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...