Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

(505 Н 01 3 21/385 О Б АНИЕ И юл. М 26ов и А.И.Красножо свидетельство ССС Н 01 1 21/385,1978 ОБ ИЗГОТОВЛЕН УКТУР С ДИЭЛЕ ЦИЕЙ (КСДИ), вкл ного слоя на полу у, фотолитографию го термическог ИЯ КРЕМ- КТРИЧЕючающий проводни, выращио окисла ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(21) 2982405/2 (22) 12.09.80 (46) 15.07.93, Б (72) С.С,Булгак (56) Авторское М 758969, кл. (54) (57) 1. СПО НИЕВЫХ СТ СКОЙ ИЗОЛЯ нанесение оки ковую подложк вание тонко Изобретение относится к электронике, в частности к изготовлению кремниевых структур с диэлектрической изоляцией.Целью изобретения является увеличение выхода годных КСДИ.Поставленная цель достигается тем, что. в способе изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией, включающем нанесение о кис ного слоя на полупроводниковую подложку, фотолитографию, выращивание тонкого термического окисла кремния, воздушную закалку, нанесение слоя золота и диффузию его в кремний, высокотемпературный отжиг в инертной среде, перед выращиванием тонкого термического окисла проводят травление поверхности кремния в матирующем травителе, причем глубину рельефа травления получают в пределах одного порядка с толщиной тонкого термического окисла.В результате нарушения сплошности, возникшие в тонком окисном слое после закалки, распространены по площади кремния, воздушную закалку, нанесение слоя золота и диффузию его в кремний, высокотемпературный отжиг в инертной среде, отл ич а ю щи й с ятем, что, с целью увеличения выхода годных КСДИ,перед выращиванием тонкого термического окисла проводят травление поверхности кремния в матирующем травителе.2. Способ по п, 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что глубину рельефа травления получают в пределах одного порядка с толщиной тонкого термического окисла. вскрытого окна равномерно, в соответствиис проявившимися в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой обработке),или других частиц, обеспечивающих по897058 Ниже приводится пример конкретного изготовления полупроводникового прибора.После осуществления диффузии фосфора для создания эмиттерных областей биполярных тра нэисторов с помощью фотолитографии с использованием ионнохимического травления осуществляют Редактор Г.Берсенева Техред М. Моргентал Корректор И.Шмакова Заказ 2833 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 своей дозе и энергии обраэование этих дефектов.По этим равномерно распределенным порам и трещинам золото приходит в контакт с кремнием на площади, достаточной для образования необходимого количества эвтектики золото-кремний и исключающей образование в окне нескольких единичных и глубоких пирамид выплавления кремния.Испольэование инертной атмосферы обеспечивает сохранение трещин и пор в течение всего процесса диффузии. вскрытие окон в окисном покрытии. Эту операцию проводят стандартным способом, После этого пластины травят в матирующем травителе (НИОз:НР:;СНзСООН 3:1:9 час тей по обьему) в течение 2 мин, После этогопластины окисляют в водяном паре при температуре 1333 К в течение двух мин, а затем быстро извлекают иэ высокотемпературной зоны диффузионной печи. Далее, на "0 рабочие поверхности пластин стандартнымспособом вакуумного напыления наносят слой золота толщиной 200-500 Х, помещают их в диффузионную печь и проводят отжиг в атмосфере аргона при температуре 1333 К в 15 течение 3-5 мин. После диффузии излишкизолота удаляют с поверхности пластины.Использование данного способа обеспечивает по сравнению с существующими способами значительное снижение величи ны брака, возникающего при введении эолота.