Патенты опубликованные 15.07.1993

Номер патента: 847724

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 31/16

Метки: камеру, окисления, подачи, термического

...газа установлен перед испарителем.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е с я тем, что на дополнительном трубопроводе установлен расходомер. аботает следующим обр Устроиство р Э- зом.При подаче сухого газа клапан подачи 6 увлажненного газа закрыт. Клапан 7 подачи сухого газа и клапан 12 открыты. Газ от источника 1 через расходомер 2 по трубопроводам 3 и 5 поступает в камеру смешивания 10 и камеру 14 термического окисления.Часть газового потока по трубопроводу 9 поступает в испаритель 8, откуда газ вместе с водяными парами по трубопроводу 11 через клапан 12 и расходомер 13 выходит в атмосферу, Количество газа, поданного в камеру 14 термического окисления, определяют по попаданиям расходомеров 2 и 13.При подаче увлажненного...

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Номер патента: 795311

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дыбовская, Косенко

МПК: H01L 21/02

Метки: структур, транзисторных

...подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01...

Номер патента: 795369

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Грахов, Гришин, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...матер ку коэффициентом маг магнитострикционного тороидальная обмотка вающей одновременно и кожух, а крепежный стороны выходного ко онного элемента;795369 7 Составитель Б,Баеведактор Г.Берсенева Техред М. Моргентал Корректор М,Андрушенко Заказ 2833 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж, Раушская наб.,4/5 издательский комбинат "Патент". г, Ужгооол. чл.Гдгдоин 10 Производст втулки магнитопровода выполнены из магнитострикционного материала с тем, же по знаку коэффициентом магнитострикции, что и у магнитострикционного элемента, а крепежный узел укреплен у внутренней ци линдрической поверхности втулки;С целью повышения точности, замыкающий кожух и магнитострикционный элемент...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 1190871

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых, транспортировки

...пазы 9, по шагуи размерам соответствующие пазам втрубках, 0 одной стороны штоки 8 подпружинены пружинами 10, а с другойстороны своими торцевыми поверхностями контактируют с эксцентриками 11,жестко сидящими на поворотной оси 12и имеющими ручку 13. Эксцентрики .11 2 Ои пружины 1 О служат рля фиксации. иосвобождения полупроводниковых подложек 14 и защитных экранов (или другихполупроворниковых подложен) 15.Один из штоков 8 имеет продолжение 25в виде втулки 16, проходящей черезстойку 1, на которой, жестко закреплена планка 17, которая другим своимконцом соединена с нижним подвижнымстержнем 5, илеющил возможность пере мещаться в соосных отверстиях в стой"ках 1.Пазы 6 в неподвижном стержне 4 выполнены так, что при взгляде (наблю"дателя) на...

Номер патента: 1132645

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Баринов, Булгаков, Глухов, Липовой, Макаров

МПК: F27B 9/20

Метки: длинномерных, термообработки

...длинномерных изделий работает следующимобразом,Крупногабаритное, длинномерное,горизонтально расположенное на реброиэделие 3 плита, панель), установленное в скобы 11, навешивается накрюки 10, закрепленные на свободныхконцах гибких связей 9, которые через обводные блоки связаны с барабанами 12. Приводные валы 13 и 14 сустановленными на них барабанами 12,вращаясь, наматывают на них гибкиесвязи 9 и, тем самым, поднимают изделие 3 в нагревательную печь 1. Приподъеме искривленного на ребро изделия 3, имеющего саблевидную Форму,более нагруженные гибкие связи 9,воздействуя через обводные блоки 0на свободно провисающие блоки 6 механизма равномерного распределениянагрузки, перераспределяют ее междугибкими связями 9, предотвращая...

Номер патента: 1132686

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: бис, мдп, многопороговых

...и определение их токов стока,на затворы обоих транзисторов подаютодинаковое напряжение и одновременноизменяют его до момента равенстватоков стока транзисторов, а годность)1 ЛП БИС определяют путем сравненияполученных значений тока стока инапряжения затвора с номинальнымизначениями, при этом параметры транзисторов тестовой ячейки выбираютиз соотношения:"д 11 П ) ) 0(),где 1 11 - пороговое напряжениепервого и второготранзисторов соответственно;- крутизна первого ивторого транзисторовсоответственно.1 Ь чертеже изображены переходныехарактеристики двух МДП-транзисторов с различной крутизной: с индуцированным каналом (поз.1) и встооенным кзналом (поз,2) д-типа в ркремнии, показанные с учетом технологического разброса пороговогонапряжения...

Номер патента: 1132772

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Лепп

МПК: H02M 7/515

Метки: инвертор, последовательный

...выходного напрянения инвертора в режиме холостого хода, найиг 3 ж - временная диаграмма выходного тока инвертора в режиме короткого замыкания,Последовательный инвертор (йиг.1)содержит четное число ячеек 1, 2 состоящих из тиристоров 3, ч и первичныхобмоток 5, 6, дросселей 7, 8, зашунтировэнных конденсаторами 9, 10, диоды ргкуперэции 11, 12, соединенныепопарно согласно-последовательно, общая точка соединения диодов 11, 12,подключена к одному выводу первичнойобмотки трэнсшорматорэ 13, второйвывод который соединен со среднейточкой двух последовательно-,согласно соединенных источников питания1 ч и 15 Пругие выводы источниковпитания 1, и 15, диодов рекуперации11, 12 и конденсаторов 9, 1.0 соединены между собойВ устройстве содержатся по...

Номер патента: 799397

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бузина, Полуэктова, Шигорин

МПК: B32B 27/38, C09D 163/02, C09D 5/08 ...

Метки: защитное, покрытие

...слоя характеризуется следу"ющим составом, мас.%;50%-ный раствор эпоксидно-диановой10 смолы ЭДв толуоле 28,0;20-ный раствор хлорсульфированногополиэтилена (ХСПЭ) марки "Ж" в толуоле исольвенте, смешанных в соотношении 1:170,015 Гальк молотый1 сорт 9,8Отвердитель -продукт ЭС - К Алюминиевая20 пудра ПАП5,0Свинцовый глет 1,0Во втором смешанном слое соотношение в композиции эпоксидиановой смолыЭДи хлорсульфированного полиэтилена25 составляет 1:2 (по сухому остатку). Композиция характеризуется следующим составом,мас о 5070-ный раствор смолыЭД - 20 в толуоле30 20-ный раствор ХСПЗв толуоле и сольвенте,смешанных в соотношении 1:1 80,0Тальк молотый 1 сорт 4,035 Алюминиевая пудраПАП Свинцовый глетОтвердитель -продукт ЭС-К1,4840 В третьем...

Номер патента: 1373231

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дудиков, Сосницкий

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...среде с расходами газовых потоков: фосфор н качест73231 3 13ве раэбавителя - 290 л/ч, кислород "50 л/ч, азот и качестие носителя15 л/ч с температурой поддержаниядиффуэанта 18 С,Одновременно с диффузионной загонкой фосфора и эмиттер осуществляютдиффузию фосфора в окисел и образование ФСС как над первичным и базовым окислом, так и над эмиттернойобластью толщиной 0,12-0,18 мкм. Затем наносят маскирующее покрытие,например фоторезист ФП 388 толщинойй 0,6 мкм, и через фотошаблон с использованием проекционной печати осуществляют фотокопию с топологическимрисунком, позволяющим удалить проявителем (0,6 Е КОН) фоторезист с высоколегированных областей эмиттера и сприлегающих к ним участков шириной0,18-1,2 мкм.Удаление высоколегированного...

Номер патента: 854241

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Кравченко, Кусимов, Олещук, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01S 3/086

Метки: автоматической, зеркал, лазера, резонатора, юстировки

...включения 5. С помощью приводов 8 осуществляется наклон и поворот зеркал 2,На графиках фиг, 2 и фиг. 3 показаны; 9 - кривая зависимости мощности выходного излучения Рвых от углов раэъюстировки а 1,й 2 по двум ортогональным осям; 10 - проекция плоскости уровня устойчивой генерации лазера на плоскости Рвых 0 а 2; 11 - проекция пересечения плоскости уровня устойчивой генерации и кривой зависимости мощности выходного излучения - угловая зона устойчивой генерации лазера, 12 - эона максимальных углов разъюстировки в процессе работы лазера; 13 - возможная траектория изменения углов наклона зеркал резонатора при работе блока сканиро.вания;А - исходная точка начала сканирова. ния;В - точка окончания сканирования; Ог - размер угловой эоны...

Номер патента: 1380309

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Грищук, Жариков, Колесников

МПК: C30B 25/08

Метки: камеры, продувки

...10, 25Суммарная плоцадь поперечного се-.чения отверстий 5 в крьппке 4 равнаили меньше площади цоперечцого сечения ныходцого отврс:тпя 3 патрубка 1,Расстояние между оверс.тлями 5 и 30между ццми и степкой камеры 6 це более у г 1 оенцого диаметра отверстия 5,11 а чертеже стрелками показано направленце газовых потоков,Устройство работае. следующим об 35разом.В промежутках между технологическими процессами в камеру 6 вставляютустройство. Через патрубокподаютпоток обеспылелцогс газа под избыточиыи дан 1 енцеи.1 е 1 ез пятрубок 7 и камеру 6 та 1 сже пода,от сбеспелецный газ,Стенки камеры 6 нагревают с помощьюнагревателя 10 Поток газа, ныходящп 1 из отверстий 5, обдувает стенкио45камеры цод углом 35-80 что обеспечивает...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Исаев, Кастрюлев, Шамардин

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 571088

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Кузнецов, Легин, Шигорин, Юрна

МПК: C08L 63/00, C09D 163/02

Метки: покрытия, пола, состав

...и й с я тем, что, с целью повышения дезактивируемости покрытия, состав в качестве кремнийорганического модификатора содержит полиметилсилазан, в качестве наполнителя - порошок поливинилхлорида и дополнительно меламиноформальдегидную смолу при следующем соотношении компонентов, мас,; высокомолекулярная эпоксидная смола - 270 - 36,2; меламиноформальдегидная смола - 0,5-0;7; йолиметилсилазан - 0,2 - 1,3; пластификатор - 2,7-3,6; олигодивинилизопренуретандиэпоксид - 3,6-27,0; аминофенольный отвердитель - 3,7-5,5; порошок поливинилхлорида - 10,8 - 14,5; раствори- тель - остальное. меламиноформальдегидная смола полиметилсилазан пластификатор олигодивинилизопре ретандиэпоксид аминофенольный отвердительпорошок поливинилхло ридарастворительВ...

Номер патента: 809999

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Зеленкин, Лазарев, Литвинюк, Любцев, Мартыновских, Матюков, Панов, Попов, Чечетин, Щацилло

МПК: G21C 19/34

Метки: оболочек, сборок, тепловыделяющих, удаления

...урану 235 и расположено по алине ТВС тремя зонами, следующими одна за другой. В средней ча 10 15 20 40 45 50 ния. Воэможность более точного 55 25 30 35 сти ТВС расположено высокообогащенное по урану 235 топливо, которое образует активную зону, а по концам экранные части, состоящие в основном из двуокиси урана 238. Для повышения экономичности последующей переработки топлива необходимо более полно разделить высокообогащенное топливо ТВС и топливо экранных зон, Это достигается при расплавлении оболочвк ТВС в плоскости, перпендикулярной про дольной оси ТВС,При нарушении этого условия вблизи границы раздела двух зон (высокообогащенной и экранной) будет происходить одновременное падение топлива различных зон в один приемник, что приведет к...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 1505358

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Еремич, Жариков, Колесников, Сосницкий

МПК: H01L 21/82

Метки: полупроводниковых, структур

...взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа...

Номер патента: 865053

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/335

Метки: интегральных, мдп-транзисторов

...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 952066

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Кусимов, Олещук, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01S 3/086

Метки: газового, зеркал, лазера, резонатора, юстировки

...газовых лазеров, работающих, например, вавтономном режиме,1 елью изобретения является обеспецение предварительной грубой)юстировки зеркал резонатора газово"го лазера при углах рлзъюстировки,больших углового диапазона устойцивой генерации лляерл, бея использования дополнительных излуцлющих устройств,Поставленная цель достигается тем,цто в способе юстировки зеркал резонатора газового лазера, включающемпредварительную юстировку и точнуююстировку по максимуму выходной мощности генерируемого излуцения, предварительную юстировку производят путем сканирования зеркала резонаторав двух взаимно перпендикулярных плоскостях с шагом сканирования, меньшимширины углового диапазона устойчивойгенерации лазера, Ло появления генерации,Нл цертеже, для...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Номер патента: 813860

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Косоплеткин, Красножон, Шарапов

МПК: B04B 5/02

Метки: вязких, жидкостей, лабораторная, фильтрации, центрифуга

...фильтрующая перегородка 5 для отделения легкой фазы. Дно каждой пробирки снабжено клапаном 6 для отвода тяжелого осадка,Центрифуга работает следующим образом.При остановленной цеки заполняют центрифуг Ы, 813860 А 1 что, с целью улучшения качества разделения фаз, в каждой пробирке установлен над предполагаемой свободной поверхностью разделяемой пробы жидкости поршень с центральным отверстием, в котором укреплена фильтрующая перегородка для отделения легкой фазы, при этом поршень установлен с возможностью перемещения под действием центробежной силы,2. Центрифуга по и, 1, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что дно каждой пробирки снабжено клапаном для отвода тяжелого осадка. м на свободную поверхность массы устанавливают пор льтрующей...

Номер патента: 1047354

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Краснер, Кусимов, Смоленков, Тлявлин, Шешегов

МПК: H01S 3/086

Метки: зеркал, лазера, резонатора, юстировки

...выполнении следующихусловий: Ь) (6) 15 Аа з -а (8) где а - координаты ячейки Фотоматрицы, соответствующей положению луча, совпадающего сгеометрической осью резонатора,Процесс юстировки зеркала 3 заканчивается при выполнении следующих условий 55 А макс10Вмаксгде Я - заданная точность системы,определяемая шагом фотоматрицы и конструкцией резонатора.В этом случае с выхода 29 вычислительного устройства 9 поступает сигнал на вход 30 блока синхронизации 8, С выхода 20 блока синхронизации 8 поступает сигнал на вход 31 блока коммутации 10, переключающий блок коммутации 10 в такое положение, при котором выход 21 вычислительного устройства 9 оказывается соединенным с исполнительным элементом 13 зеркала 3. С выхода 18 блока синхронизации 8...

Номер патента: 633383

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ефимов, Кротов, Лизунов

МПК: B25J 5/00, G21C 19/10

Метки: манипулятора, механизм, останова, перегрузочного, точного

...виде пластины, установленной на оси, закрепленной на направляющей, и подпружиненной относительно направляющей, а узел связи рычагов и их выступы расположены по разные стороны от опоры рычагов,Электромагнита 1, пружины 2, которая все время стремится выдвинуть шток 3 в крайнее нижнее положение, Г-образного рычага 4, шарнирно связанного с вилкой 5, двух взаимно-связанных узлом связи 6 качающихся рычагов 7 с выступами 8, соответствующими профилю впадин 9 упоров 10, в которые они западают,Упор 10 шарнирно установлен на оси 11, закрепленной на направляющей 12, Там же закреплен палец 13, проходящий с зазором через упор 10. Палец 13 позволяет ограничить поворот упора 10 вокруг оси 11.Кроме того упоры подпружинены относительно направляющей 12...

Номер патента: 900759

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: вч-транзисторов, мощных

...базовый слой 4 ( 0,9 мкм) полученный термической диффузией из эпитаксиального слоя, Для более глубокой подразгонки базового диффузионного слоя используют отжиг в окислительной и нейтральной (азотной) средах при температуре 1373 - 1423 К.Далее фотогравировкой в диэлектрическом слое 5 вскрывают окно 6, через которое загонкой бора из борного ангидрида (В 20 з) при температуре 1323 К с последующей термической обработкой в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода(Т"1223 К) формируют эмиттерную область 7 с маскирующим ее диэлектрическим покрытием двуокиси кремния 8, При этом область эмиттера 7 входит в диффузионный базовый слой 4, полученный диффузией из высоколегированного эпитаксиального слоя 3. Толщину...

Номер патента: 1099745

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Краснер, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: G02B 5/10

Метки: зеркало, кривизной, регулируемой

...имеющего борму ярма и регугируемый источник постоянного токаупругая отражающая пластина выполненаия токопроводящегс материала прямсугольной бормы, двумя своими сторонами жестко закреплена через изоля .торы на полюсах магнита, а две друГие ее стороны снабжены токоподвог=:,ми, соединеиньоли с регулируемым источником постоянного тока.Кроме того, токоподвод может бытьвыполнен ия пластического материалаи закреплен по всей длине боковыхсторон отражающей пластиныКроме того, токоподводы могут вы- д)полняться из материала с элек-.ропро.водностью большей, чем электропроводность упругой отражающей ппас гины,Изобретение поясняется чертежомна котором изображена блок-схема зер-.-,кала с регулируемой кривизной,Зеркало содернит упругую отражающую...