Патенты с меткой «линейно-поляризованного»

Номер патента: 671634

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Медведкин, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, линейно-поляризованного

...с направлением Е, параллельным плоскости падения луча, чем волна с Е, перпендикулярным плоскости падения.Установлено, что концентрация генерированных в изотропном материале носителей заряда в результате анизотропии поглощения оказывается зависящей от линейной поляризации падающей волны. По этой причине фотоответ, наведенный электромагнитным излучением в изотропном однородном материале либо в барьерной структуре на его основе позволяет непосредственно анализировать ЛПИ, поскольку фотоответ пропорционален концентрации генерированных в материале носителей заряда.На фиг. 1 показано расположение фотоприемника по отношению к падающему излучению; на фиг. 2 - азимутальное распределение фотоответа (фотонапряжения, фототока) фотоприемника при...

Номер патента: 812112

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Медведкин, Руд, Ундалов

МПК: H01L 31/04

Метки: анализатор, излучения, линейно-поляризованного

...опти.- ческие оси которых лежат а плоскости гетерограницы, указанные оси параллельны между собой, причем коэффициент несоответствия параметра. ихкристаллических решеток в направле-.нии оси не более 1 ГТакое выполнение. обеспецивает поляризационную фотоцувствительность в широкой области спектра, определяемой шириной запрещенной зоны веществ слоя и подложки.1 оскольку использованные полупроводники обладают анизотропией оптических переходов, то. анализатор чувствителен к линейной поляризации, излучения в широком спектральном диапазоне, который также .определяется шириной запрещенной зоны анизотропного слоя и анизотропной подложки. Ориентация слоя в направлении оптической оси подложки необходима для выполнения соответствия правил отбора...

Номер патента: 980574

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдурахимов, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, линейно-поляризованного, фотоанализатор

...ориентации оптическая ась с лежит в плоскости пластины. Фотоанализатор выполнен из полупроводника с нелинейной люкс-амперной характеристикой. для сильнопоглощаемого излучения Ес люкс-амперная характеристика суперлинейная, а для слабопоглощаемого Е 1 с - сублинейная.55 При освещении фотоанализатора пучком линейно-поляризованного излучения по нормали к плоскости (100) с ростом концентрации генерированных 0 носителей заряда И возникающий в результате поглощения сильнопоглощаемого излучения Е с фототок Фц заявляемого устройства увеличивается суперлинейно, в то время как при поглошении слабопоглощаемого излучения 5 1 с фототок 1, заявляемого устройства увеличивается сублинейно, т.е. более медленно. Для известного же фотоанализатора в областях...

Номер патента: 1009234

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Воробьев, Потылицын, Розум

МПК: G21K 1/06, H05H 9/00

Метки: гамма-излучения, источник, линейно-поляризованного

...достигаетсятем, что в известном источнике линейно-поляризованного пучка-излучения, включающем источник пучка ре-лятивистских электронов и монокрис таллический радиатор, радиатор выполнен из монокристалла, структуракоторого имеет сдвоенные атомные це"почки, ориентированного так, чтоугол 0 между направлением сдвоенных 45 атомных цепочек.и осью пучка электронов лежит в пределах 0 4 0где 1, - критический угол каналирования,На чертеже дана функциональная 50 схема предложенного источника.Пучок релятивистских электроноввылетает из источника 1. На оси пучка установлена система коллиматоров2, формирукщая квазипараллельный 55 пучок электронов с угловой расходи"мостью меньше критического угла каналирования3 10где Е - атомный номер кристалла;о 1...