Устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур

СОЮЗ СОВЕТСКИСОЦИАЛИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК 88662 й 1/ 01 21/ У ПИ НИЯ ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(72) В 8"2 83. Бюл Агафоно зов, А. 32С, А. Бондарь, Ермакова РСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР М ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ АНИЕ ИЗО Д, 3. Гарбу Н.и Л,В. Лебедева(56) 1. Н;Ю.Давидюк Разработка и исследование полупроводниковых источников света и их применение в системах накачки твердотельных ОКГ. Кандидатская,диссертация, Л., 198, с, 46.2. Авторское свидетельство СССР . И 557701, кл. Н 01 1. 21/66, 14.01,6 (прототип).(54)(57) 1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛОМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ИЗЛУЧАОЦИХ ПОЛУ" ПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, содержащее источник питания, соединенный с зон дом и плоским омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный с измерительным блоком, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачиого и электропроводящего материала, нанесенного на одну из поверхностей оптически прозрачной пластины,противоположная поверхность которой размещена на калиброванном фотоприемнике.2. Устройство по и, 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.8866Изобретение относится к полупроводниковой технике,в частности к устройствам для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых . структур, предназначенных для изготовления светодиодов и лазеров.Известно устройство для измерения абсолютных значений внешнего квантового выхода излучающих полупроводнико вых структур пропусканием через них постоянного тока в прямом направлении, содержащее источник питания,фотьприемник и подключающие контакты 13, 5Недостатками такого устройства являются низкая точность измерений и необходимость изготовления образцов с омическими контактами,что представляет собой трудоемкий процесс, 20Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому устройству является устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода из 45 лучающих полупроводниковых структур,содержащем источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный, с измерительным блоком, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачного и электропроводящего материала, нанесенного на одну из поверхностей оптически прозрачной пластины, противополож 55ВНИИПИ Заказ 8094/3 23 .2ная поверхность которой размещена на калиброванном фотоприемнике,а в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.На чертеже изображена принципиальная схема устройства.Устройство содержит зонд 1, излучающую полупроводниковую структуру 2, плоский оптически прозрачный омический контакт 3, оптически прозрачную пластину 4, прижимные контакты 5, источник 6 питания, измеритель 7 то- ка, фотоприемник 8 и измерительный прибор 9.3 строиство работает следующим об разом.Структура 2, электрически связанная через контакты 5 и контакт 3 с источником 6 и измерителем 7, посредством зонда 3 включается в прямом направлении,в результате чего из эмиттеров инжектируются неравновесные носители, которые рекомбинируют вблизи р-и-перехода с излучением квантов света.Зондосуществляет электрический контакт со стороной структуры 2, противоположной излучаоцей поверхности, и прижимает структуру излучающей стороной к контакту 3, выполненному в виде оптически прозрачного и электро- проводящего слоя, нанесенного на пластину 4. Рекомбинационное излучение , выходящее через излучающую поверхность структуры 2, попадает на калиброванный фотоприемник 8 и регистрируется прибором 9.Внешний квантовый выход излучения рассчитывается по формулефпСе= сР -исгде а - коэффициент, учитывающий спектральную чувствительность фотоприемника;Ъ - коэффициент, определяемый экспериментально и учитывающий потери рекомбинационного излучения в толще пластины 4 и контакте 3; .Зфп- ток, протекаоций через Фото- приемник 8;Зс- ток, протекающий через структуру 2.