Полирующий травитель для иодида ртути

,8081 3 Аьр ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ О,ц.а. Тйе е 03.ге с 0 цяег ой Яог да.сгцяаЕЕ125-135 (про ои). С:г ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(46) 15.07.83. Вюл. Р 26 (72 В.М;Залетин, И.Н.Ножкина, Т.Н,Петрунина и Н.В.Рогозина (71) Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомо и Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (53) 621.382(088.8)(54) (57) ИОДИДЬ Р держащий ч а ю щ и увеличени чения зер и сохране ти, в кач го компон поди (а а ПОЛИРУКЦИЙ ТРА ТУТИ, включающи компонент и вой с я тем, ч я скорости тра кально-гладкой ния ее плоскоестве галогенс ента использую ммония ИТЕЛЬ ДЛЯ галогенсоу, о.т л но, с целью ления, полу- поверхности араллельнос- держаще 10-20 мас,В10 1, Скорость травления образцовНд 3 20-ным раствором иодистого калия составляет 5,6 мкм/с.2. На протравленной поверхностиобразца остаются четко выявленныедислокации в виде ямок травления,иглеющих форму четырехугольников.Помере стравливания поверхности число ямок травления уменьшается, однако даже после 60 сек травлениячисло ии значительно,Изобретение относится к технике травления полупроводников.Для использования свойств полупроводникового материала йодида ртути (Н 9 Г) и для изготовлечия детекторных структур из него требуются пластины толщиной от 100 до 500 мкм, Изготовление необходимых пластин Нд,У 2 осуществляют путем раскалывания кристалла по плоскости спайности (,001 ( на пластины толщиной 800- 1000 мкм. При этом за счет механического воздействия нарушается целостность поверхностного слоя образца, возникают добавочные напряжения на сколе, структурные де фекты. Устранение поверхностных нарушений и доведение (бездефектное) пластин Нд 2 до требуемой толщины производится путем химического травления образца. 20Известен травитель для йодида ртути, содержащий метанол 1 .Растворимость йодида ртути в метаноле при 25 С составляет 3,4,оГлавным недостатком указанного 25 травителя является его высокая токсичность и токсичность образующихся при травлении органических соединений ртути. Это требует дополнительных мер безопасности при использовании и хранении травителя, что создает определенные трудности в его примене(лии и удорожает обработку кристаллов, Поэтому в качестве"массовогоф широкоиспользуемого травителя метанол рассмотрен быть не может. Кроме того, скорость травления образцов Ндд 2 метанолом составляет не более 0,9 мкм/с, а на стран- ленной поверхности остаются четкие Фигуры роста кристалла в виде пирамид, вершины которых со временем постепенно растравливаются.Наиболее близким техническим решением является полирующий трави- тель для иодида ртути, включающий 45 галогенсодержащий компонент и воду 2.В качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас, водного раствора иодистого калия. 50Недостатками известного травителя являются: Для получения полированой поверх-ности образца необходимо снимать понескольку сот микрон материала, иприведенная скорость травления представляется невысокой, а 20-ный вод".ный раствор КЮ очевидно может бытьиспользован лишь для селективноготравления.Целью изобретения является увеличение скорости травления, получениезеркально-гладкой поверхности и сохранение ее плоскопараллельности,Поставленная цель достигается тем,что в травителе для иодида ртути,включающем галогенсодержащий компонент и воду, в качестве галогенсодержащего компонента используют10-20 мас. иодида амглония.Растворимость иодида ртути вводе при 25 С составляет 0,006,Действие предлагаемого травителя ос"новано на образовании промежуточногохимического соединения ртути ((ИН 4)2 НЯЮ,1 имеющего высокую раствориглость в воде.П р и м е р , Травитель получаютследующим образом; навеску иодидааммония 10 или 20 г растворяют вдеионизованной воде, доводя общийобъем раствора до 100 мл.Способ травления заключается вследующем,Образец НЯЮ погружают в тефлоногвый стакан с раствором травителя,В стаканчике имеется решетка, предотвращающая опускание образца надно емкости, Раствор тщательно перемешивают в течение определенного времени, после чего образец тщательнопромывают деионизованной водой, извлекают, сушат на фильтре на воздухе,обработанную поверхность изучаютпод микроскопом МБИ-б.Режимы полирующего травления при-,ведены в таблице,При использовании более концентрированных по ИН 43 составов травителя скорость травления возрастаетдо 15-16 мкм/с, а малое время(10-15 с) вызывает практические затруднения в выполнении операций травления при небольших размерах образцов 3 3, 4 4 и др. Обработка образцов НдЮ 2 в травителе с меньшей, чем10 концентрацией ИН 4 д нецелесообразна иэ-за увеличения времени травленияболее, чем 60 сек;При использовании данного составатравителей и режима травления обработанный образец Нуда имеет гладкую,зеркальную поверхность, плоско-параллельность стравленных слоев сохраняется полностью, что дает возможностьполучить равномерное электрическоеполе при дальнейшем применении образца в качестве детектора,816331 Состав травнтеля, % е30 10,5 Гладкая,зеркальная 80 20 8 2 То же 40 85 15 б,б 50 90 10 Редактор С,Титова Техред С,Мигунова Корректор Л.Бокаан. Заказ 6497/2 Тираж 703 Подписное: ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Рауюская наб д. 4/5