Способ получения отверстий в полиимидной пленке

ОО ТСНИХссцицилевмии ПЮ (И) РЕСПУБЛИ 9 Н 01 Ь 2 САНИЕ ИЗОБРЕТ 18-21 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПОЛИИМИДНОИ ПЛЕНКЕ, включающий .нанесение на поверхность пленки ,маскирующего слоя, Формирование в нем рисунка методом фотолитографии , травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повнщения воспроизводимости процесса, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидиэацию полинмид ной пленки.1027794 Изобретение относится к микроэлект- ухудшается качество получаемой микроронике и может быть использовано при : схемы.изготовлении гибридных пленочных мик-росхем. Наиболее близким к предлагаемомуИзвестен спосОб получения отвер- является способ получения отверстий стий в полиимидной.пленке, включающий 5 в полиимидной пленке, включающий наформирование на подложке первого несение на поверхность пленки маски- слоя схемы, нанесение полиимидной рующего слоя, Формирование в нем пленки, травление полиимидной пленки рисунка методом Фотолитографии и трав- в местах перехода с первого слоя схе- ление полиимидной пленки в кисломы на второй и нанесение на нее ме родосодержащей плазме 2. таллизации второго слоя схемы 11, Недостатком известного способаНедостатком данного способа яв- является невысокая воспроизводимость ляется невысокая воспроиэводимость размеров, получаемых в полиимидной размеров отверстий в полиимидной пленке отверстий, связанная с неполпленке. Это связано с тем, что про ной имидизацией полиимидной пленки. дукты неполной имидизации полиимид- Получение полиимидов осуществляют ной пленки препятствуют равномерному путем внутримолекулярной дегидратацитравлению полиимида и осаждению ме- онной циклизации полиамидокислот по таллических слоев. В конечном итоге следующей реакции: Со, Со,-З К, У-ЗВ массе образующегося полиимида присутствует до 15 полиамидокислоты, а также растворитель-диметилформ-З 0 амид. Полиимидная пленка обладает способностью влагопоглощения, составляющего до 5 от веса полиимида. Причем зти процесоы обратимые.При нанесении маскирующего покрытия выделяющиеся в результате неполной имидизации газообразные продукты препятствуют равномерному осаждению, взаимодействуют с материалом наносимого слоя, изменяют его свойства. В конечном итоге маскирующее 40 покрытие локально отслаивается и не выполняет своих защитных функций, что ухудшает во роиэводимость размеров получаемых отверстий, и снижает качество и надежность микро схем, в которых полиимидная пленка является изоляцией или подложкой.Цель изобретения - повышение воспроизводимости процессаПоставленная цель достигается 50 тем, что согласно способу получения отверстий в полиимицной пленке, включающему нанесение на поверхность пленки маскирующего слоя, формирования в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидизацию полиимидной пленки. бОПолная имидизация полиимидной пленки непосредственно перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением в плазме сдвигает реакциювправо. В результате образуется б 5 100-ный полиимид и в массе его отсутствуют полиамидокислота, диметилформамид и влага.П р и м е р 1, Полиимидную пленку марки ПИтолщиной 50 мкм, диаметром 1 б 0 мм подвергают перед нанесением маскирующего слоя полной имидиэации, для чего обрабатывают уксусным ангидридом в присутствии пиридина и подсушивают. Затем полиимидную пленку помещают в вакуумную камеру напылительной установки, где испарением наносится маскирующий слой алюминия толщиной 1,5-2 мкм. Далее Формируется рисунок в маскирующем слое нанесением фотореэиста ФНс проявлением участков, необходимых для травления пленки. С этих вскрытых участков удаляется алюминий до полиимида. Затем процесс полной имидизации повторяют перед травлением полиимида. Травление осуществляют в кислород- содержащей плазме на установке "Плазма 600 Т". При этом алюминий маскирует, а иэ вскрытых участков пленка стравливается. Далее максирующий слой удаляют и полиимидная пленка для межслойной изоляции готова.П р и м е р 2. Полиимидную пленку марки ПИтолщиной 40 мкм подвергают полной имидизации уксусным ангидридом в присутствии пирццина подсушивают. Затем наносят на обе стороны полиимидной пленки маскирующий слой С-Со -АР испарением металлов в вакууме, толщиной соответственно 0,05, 2 и 1 мкм Далее формируется Фоторезистивная маска ФН, со вскрытых участков удаляется травлением алюминий, медь и хром до поли.Составитель А.ХохловТехред М. Костик КорректорС.Шекмар Эаказ 4751/57 Тираж 703ВНИИПИ Государственного, комитета СССРпо делам изобретений и Открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное филиал ППП "Патент"г. Ужгород, Ул. Проектная, 4 имида, после чего операцию полной имидизации повторяют., Сквозное травление пленки полиимида осуществляютв кислородной плазме при давлениикислорода 1-2 мм рт.ст. Эатем слойалюминия удаляют в щелочном раствор 5ре, а на оставшихся слоях меди с подслоем хрома формируют пленочную микросхему.Предлагаемый способ позволяет в 3-4 раза повысить воспроизводимость получения размеров отверстий в полиимидной пленкеи обеспечить высокое качество и надежность гибридных микросхем,