Кассета для диффузии

СОНИ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 1% (11 01 1. 21/68 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРГЮ ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОБРЕТЕН ТВУ ых, .м в 98333,И,никовыеленныей из комеждуовых ОПИСАНИЕ ИЗ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТ(5 И (57) кдссетд для диффьзпреимущественно в полупровопластины, содержащая устаноодна на другую рамки,в квждторых выполнены чередующиессобой пазы.для полупроводни пластин и пластин:источника диффу-.зии, о т л.и ч а ю щ а я с я темчто,с целью повышения выхода годнрамки снабжены выступами, при этовыступы одной рамки расположенысо смещением относительно выступовдругой рамки по высоте и ширине,аугол смещения составляет 10-20 оиего вершина размещена на оси, проходящей через центры двух загружаемыхсмежных полупроводниковых пластини пластин источника дифФузии, причем пазы для полупроводниковыхпластин и пластин источника диффузии выполнены в выступах.ти, из плоскопараллельного источника является кассета для диффузии, содержащая установленные одна на другуюрамки, в каждой из которых выполнены чередующиеся между собой пазы дляполупроводниковых пластин 1 . кассеты является то, что она не обеспечивает соосность полупроводниковых Ось, проходящая .через центры полупроводниковых пластин, расположена выше,чем ось, проходящая через центры плас тин источника диффузиии, в результа-,те чего верхний край полупроводниковых пластин расположен выше, чем упластин источника диффузии. Таким об-разом, нарушается принцип диффузиииз плоскопараллельного источника,где предполагается равенство диаметров полупроводниковых пластин ипластин источника диффузии и совпадение осей, проходящих через центрыпластин. В результате ухудшаетсявоспроизводимость диффузионных параметров полупроводниковых приборов,снижается процент выхода годных. Цель изобретения " повышение выхода годных. что кассета для диффузии, преимущественно в полупроводниковые пластины,содержащая установленные одна на другую рамки, в каждой из которых выполнены чередующиеся между собой пазы для полупроводниковых пластин,рамки снабжены выступами, при этомвыступы одной рамки расположенногосо смещением относительно выступовдругой рамки по высоте и ширине,а угол смещения составляет 10-20 иоего вершина размещена на оси, проходящей через центры двух загружаемых смежных полупроводниковых плас 50 тин и пластин источника диффузии,причем пазы для полупроводниковых пластин и пластин источника диффузии выполнены в выступах.На фиг.1 представлена кассета для диффузии, нижняя рамка; на.фиг,2 то же, верхняя рамка; на фиг.3 - кассета в сборе, вид сверху на фиг.1 10292702Изобретение относится к области то же, вид сбоку, разрез Б-Б; на изготовления полупроводниковых при- фиг.5 - разрез А-А, установка пласборов и может быть использовано для тины.проведения процессов диффузии в по- Кассета содержит держатель для лупроводниковые пластины, в частнос источника диффузии - рамку 1, накоторой выполнены выступы 2 с паза- в потоке газа-носителя. ми 3 для пластин источника диффузииНаиболее близкой к предложенной и Фиксаторы 4. Держатель для полупроводниковых пластин рамка 5 имеет10 выступы 6 с пазами 7 для полупроводниковых пластин, Пласты нарезаныпод углом 45 О к плоскости кассеты.Рамка 5 выполнена съемной и устаНедостатком известной конструкции навливается на рамку 1, при этомее выступы попадают в промежуткимежду выступами рамки 1, а положение пластин и пластин источника диффузии., фиксируется фиксаторами 4. Выступырамки 5 в собранной кассете расположены выше выступов рамки 1 и дальшеот осевой линии кассеты, чем выступы1, а угловое расстояние по высотемежду выступами рамки 1 и выступамирамкисоставляет 10-20 ф при вершине угла, лежащей на оси, проходящей25 через центры загружаемых пластин.Такое конструктивное выполнениепозволяет организовать непрерывностьпроцесса, заменяя рабочие полупровод.никовые пластины, не меняя источЗО ник диффузии, что дает возможностьавтоматизировать процесс.Взаимное расположение выступовобеспечивает соосность пластин ис- .точника диффузии и полупроводниковых пластин, что улучшает воспроизводимость и однородность диффуПоставленная цель достигается тем, зионных параметров,При работе рамки 1 кассеты загружают пластинами источника диффузиии проводят высокотемпературную обработку. Рамку 5 загружают полупровод-никовыми пластинами и устанавливаютна рамку 1. кассеты с уже окисленнымипластинами источника, лри этом рамка 1 находится в камере загрузки печи. Угловое расстояние по высотемежду опорными точками пластин источника и полупроводниковых пластинсоставляло 12, После проведения процесса диФФузии съемную рамку 5 спластинами выгружают из печи, а на.рамку 1 устанавливают другую сьемнуюрамку, предварительно загруженнуюновой партией полупроводниковых йластин, при этом обеспечивается непре 55 рывная работа источника диффузии.Кассета выполнена иэ кварца, позволяет проводить высокотемпературнуюобработку пластин Источника диффувиковой кислоте, что экономит материалы, время и увеличивает срок службы источника диффузии% Кассета повышает производительность труда на диффузии за счет использования нескольких загруженныхсъемных рамок для одного основания,что позволяет загружать съемную рам Еку с полупроводниковыми пластинамив печь беэ выгрузки основания кассетыиз печи и дает воэможность автоматизировать процесс. 3 1029270 зии отдельно от 1 части кассеты, используемой для полупроводниковых пластин, что исключает осаждение в пазы продуктов реакции и,следовательно исключает последующее сплав- ление полупроводниковых пластин с кассетой. Это повышает выход годных структур на фотолитографии, так как устраняются на пластинах при" плавленные кусочки кварца, препятствующие точному совмещению.Предложенная конструкция исключает частое . травления кассеты в плаТираж 7дарственного комлам изобретенийква, Ж, Раушс по035,лиал ППП ффПатентф,едактор О.Коле оставитель Л.Гришкоехред С.Иигунова 3 Подписное итета СССР открытий ая наб д. 4/5