Тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 Ь 21/00 э(5 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ГОСУДАРСТВЕННЦй НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОЧНРЬПМ(56)1. Авторское свидетельство СССРР 745295, кл. Н 01 Ь 21/00, 1978.(54)(57) ТАРА-СПУТНИК ДЛЯ БЕСКОРПУСНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, преимущественно в установках для измерения,содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнеи паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенныйс вакуумной системой, и размещеннуюпод ней металлическую пластину, икрышку с элементом ее фиксаций, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения выхода годных,. онаснабжена прижимным диэлектрическим ви нтом, торцовая поверхность которогоимеет форму поверхности кристалла, бескорпусной интегральной схем и который.расположен в отверстии, выполненномв центре крышки, а в металлическойпластине основания выполнен выступ,который расположен в сквозном пазудиэлектрической пластины основания.для обеспечения необходимого отводатепла, крышку 3, выполненную издиэлектрического материала, В центреоснования выполнен сквозной паз 4для размещения бескорпусной инте"гральной микросхемы 5, соединенныйс накуумной системой через отверстие б, выполненное в пластине 2.Пластина 2 имеет цилиндрический выступ"7, размещенный в сквозном пазу4, .с диаметром, соответствующим отверстию в таре-спутнике и по высотеменьше ее основания на глубину, равную толщине кристалла микросхемы 5с заливкой. Цилиндрический выступ 1 з пластины входит в отверстие основания тары-спутника. Крепление пластины 2 к пластине 1 основания тарыспутника осуществляется любым способом, обеспечивающим необходимую 2 О прочность крепления. Отверстие 6, сделанное в центре пластины 2, предназначено для фиксации кристаллаполупроводниконой интегральной микросхемы 5 при укладке выводов 8 с 25 помощью вакуумного разряжения. Бескорпусная полупроводниковая интегральная микросхема 5 прижимается винтом9, изготовленным из фторопласта илиравноценного по твердости материала,обеспечивающего непонреждаемость защищенного покрытия микросхемы. Винт 9в торце. имеет форму, соответствующую ответной форме кристалла, чтообеспечивает необходимый и достаточный равномерный контакт кристалла сцилиндрическим выступом 7. Выводы8 микросхемы, изготовленные из тонкойзолотой проволоки, укладываются впазы 10, имеющиеся на основании тарыспутника. Пазы образованы выступами11 концентрических окружностей, выступающими над основанием. Черезотверстия 12 крышки 3 тары-спутникаосуществляется контакт. выводов 8микросхемы с зондовым устройством 5 при проведении испытаний и измерений. Цель изобретения - увеличение вы хода годных.Эта цель достигается тем, что тара-спутник для бескорПусной интегральной микросхемы, преимущественно установках для измерения, содержа щая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнен паз для бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под 4 ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фИксации, снабжена прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла бескор" пусной интегральной схемы и который расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания..На фиг. 1 изображена тара-спутниц с размещенной. в ней бескорпусной. полупроводниковой интегральной микросхемой, вид сбоку; на фиг. 2- то же, вид сверху. 6Тара-спутник содержит основание, выполненное из диэлектрической пла" стины 1 и металлической пластины 2, изготовленной из материала с большим коэффициентом теплопроводности Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к технологическому оборудонанию для производства электрических элементов, в частности, бескорпусных полупровод-. никовых интегральных микросхем с гибкими проволочными выводами при проведении испытаний и контроле па-. . раметрон.Наиболее близкой кпредлагаемой является тара-спутник для бескорпусной интегральной микросхемы, преимущественно в установках для измерения,.содержащая основание, включающее диэлектрическую пластину, в центре которой выполнен паз для бескорпусной интегральной микросхемы соединенный с вакуумной системой, и размещенную под ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фиксации1.Недостатком кассеты является то, что при .измерении электрических параметров бескорпусных полупроводников приборон средней мощности не обеспечивается необходимый теплоотвод, Отвод тепла в этом случае произнодится с помощью специального кристаллодержателя, напаиваемого на каждый кристалл бескорпусной микросхемы. При операциях напайки бескорпусных полупроводниковых интеграль-. ных Микросхем нередки случаи, приводящие к порче кристаллов и выхода их из строя.. Устройство работает следующим об" разом.Тара-спутник устанавливается на столике, ориентируется по элементам 13 ориентации, и жестко фиксируется основание в этом положении. Снимается крышка 3 с основания, берется кристалл полупроводниковой интегральной микросхемы 5 и укладывается на илиндрический выступ 7 металлической пластины 2 над отверстием б. В отверстии 6 создается разряжение от специального устройства, за счет чего кристалл не имеет воэможности свободного перемещения. Золотые проволочки выводы 8 от кристалла аккуратно пинцетом укладываются в пазы10 на основании, после чего крышказакрывается и при помощи винта 9 в крышке тары обеспечивается допол1037361 13Составитель Л. Гриыкова Техред К.Мыцьо ,Корре М енц Редактор П. Коссей Заказ 6022/56 Тираж 703 Вниипи Государственного по делам изобретений 113035, Москва, й, РаувПоддисноомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/5 илиал ППП "Патентф, г, УжгсФод, ул. Проектная, 4 нительный более плотный и равномерный контакт кристалла с цилиндрическим выступом 7 на металлической пластине 2. Разряжение в отверстии 6 .снимается и тара-спутник, вместе с кристаллом готова к проведению испытаний и измерений.Таким образом использование такой тары-спутника позволяет увеличить выход годных микросхем при контроле нх параметров.Изобретение позволяет отказатьсяот сравнительно сложной .технологииизготовления кристаллодержателя инапайки кристалла на него и даетвозможность непосредственно устанавливать микросхему для проведенияизмерений электрических параметровв тару-.спутник, так как в данномслучае теплоотводом является металлическая пластина с выступом, находя О щаяся в таре-спутнике.