Лепетило

Номер патента: 1315306

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Валаханович, Капцевич, Кусин, Лепетило

МПК: B25J 15/06

Метки: схват, электромагнитный

...-сечение В-В на фиг.1.Электромагнитный схват содержитполый корпус 1 ( фиг,1), в которомзакреплен магнитопровод 2 с обмоткой3 и полюсными наконечниками 4 ( фиг,1и 2), имеющими форму секторов цилиндра со скошенной торцовой поверхностью 5, причем полюсные наконечники расположены симметрично относительно оси цилиндра Ь, а их вершины -диаметрально противоположно, Схваттакже содержит центрирующий элемент,выполненный в виде пластины 7 с пазом 8, изготовленной из микропористого немагнитопроводного материала(например, спеченный бронзовый порошок с размером пор ЬОмкм и об -щей пористостью до 40% ), которая образует с корпусом 1 камеру 9, подключенную к источнику избыточного давления (не показан) через отверстие 10Схват работает следующим...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 876340

Опубликовано: 30.10.1981

Авторы: Герман, Иваш, Лепетило

МПК: B23K 3/00

Метки: группового, кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...под губками 16 многопоэиционного ориентатора 17. Механизм 8 загрузки кристаллов в накопитель б выполнен в виде кронштейна 18 с присоской 19 на его конце, который имеет возможность поворота и спускания на каждую площадку 11 накопителя б. В качестве привода поворота применен четырехзвенный кривошипно-короьнсловый механизм, Механизм 7 присоединения кристаллов содержит несколько независиьих друг от друга инструментов 20, число и взаимное расположен ние которых соответствует числу и взаимному расположению площадок 11 накопителя 6. Инструменты 20 закреплены в держателях 21, которые прикреплены к кареткам 22, установ- у ленным с воэможностью вертикальногоперемещения на каретке 23,Установка работает следующимобразом.Механизм 2 подачи...

Номер патента: 841826

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Иваш, Крошинский, Лепетило, Филиппов

МПК: B23K 3/00

Метки: коснованиям, кристаллов, полупроводниковых, приборов, припайки

...2 подачи (Фиг.1) с шагом, кратным шагу перемещения оснований полупроводниковых приборов перед позицией присоединения кристаллов, устройство подачи проволочного припоя состоит из привода 11 шаговых перемещений нагревателя 12 предварительного нагрева, который имеет отверстие 13 для прохода проволоки 14 припоя. Проволока припоя имеет воэможность перемещения на шаг с помощью привода 11 щаговых . перемещений, включающего в себя ролики 15 и 16, установленные с возможностью реверсивного вращения, при этом ролик 15 установлен на валу 17 двигателя шаговых перемещенийа ролик 16 подпружинен к ролику 15 с помощью пружины 18.Установка работает следующим образом.Механизм 2 подачи (Фиг.1) оснований перемещает кассету с основаниями 10 на шаг соГласно...

Номер патента: 463401

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Лепетило, Янович

МПК: H01L 7/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...- ца флдццс 2 О 4 инструмента; механизм прижима подложи)1с шарнирной опорой, связанной с корпусом рабочей головкц через цаправляощую внутреннего трения.Шарнирная опора выполцсца в вцдс вту.)- О с Опор)ым ф,аниса 9, кднтд),т;11) Оц 1 сйпо сфере с корпусом 10, с которым также контактирует по сфере шайба 11. Между шайбой 11 и флаццем 12, закрепленным в верхней части втулки 8, установлена пружц- зО на сжатия 1). Шарнирная опора соединенаС КРИУСХ РЯООСИ ГОГОБКР ПсИРЯ В.15 ОиСи ВпутрсппеГО трспи 51, ВыиОлпсппОЙ В Виде двух плоско-параллел 1 Иых пру 5 кип 14 с плаваю 1 Ци 5 КРЕПЛСПИС.ЪстрОЙство ряоотяст следуоцпм оразом.После зс 1 хвятя кристял,12 1 э и:1 стрммепТО ПУТОМ СОЗДЯ 1 И 51 ВЯКУУМЯ РООЧЯ 5 О,ОБ.ея, я Вместе с пей мехапизх...

Номер патента: 384160

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Алейников, Лепетило, Янович

МПК: H01L 21/306

Метки: выводов, контактных

...толщине контактщх выводов, формируют выводы, а после механической обработки травят заготовку с противоположной стороны до разделения контактных выводов. 25слеИзобретение относится к ооласти производства полупроводниковых приборов, а именно, к способам получения выводов.Известен способ получения контактных выводов из металлическои заготовки, включаю щий операции фотолитографической обработки, траВлени 51 меукконтактных перемычек до разделения выводов, срормирования выводов и механическую Обработку.Однако известный способ не позволяет фор мировать конта,тные ВЫВОДЫ на заготов 1 е с целью пр 1 Дани 51 им неооходимой геометрической формы до операции травления, а при формировании и механической обработке контактных выводов теряется точность...