Патенты с меткой «диода»

Номер патента: 151724

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Сидоров

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперной, диода, параметров, туннельного, характеристики

...сопротивления, границы которого определяют экстремальные напряжения туннельного диода.Условием самовозбуждения диода 1 в области отрицательного сопротивления при данном напряжении Ую (У,( Ую( с 12) является неравенство 1(Я,.+Р) о (с 1 ю) Сю, где р (11 ю) - дифференциальное отрицательное сопротивление в заданной точке характеристики; С - емкость151724перехода; Е - индуктивность вводов и корпуса диода; Й, - сопротивление вводов и обьемное сопротивление диода; Я - сопротивление источника, задающего напряжение питания.С увеличением индуктивности 1., например, за счет включения последовательно внешней индуктивности 2 границы области самовозбуждения расширяются, приближаясь к точкам максимума (У 1) и минимума 1, 1), Так, например,...

Номер патента: 155049

Опубликовано: 01.01.1963

Автор: Здриков

МПК: G09B 23/18, H01J 21/04

Метки: вакуумного, диода, модель, электромеханическая

...процессов, происходящих в диоде,На чертеже изображена схема электромеханической модели вакуумного диода. Модель состоит из электродов 1 и 2, на поверхность одного из которых, например электрода 2, нанесен слой мелкодисперсных частиц, изготовленных из полупроводящего материала, например из карбида кремния или бора, движение которых в электрическом поле в пространстве между электродами имитирует прохождение электрического тока от одного электрода к другому (от катода к аноду),При этом происходит перезарядка частиц наэлектродах, что обусловливает непрерывностьдвижения частцц. Условие возникновения этого процесса определяется неравенством5 Ед - ггго О,где Е - напряженность поля;гтг - м асса частицы;д - заряд частицы;д - ускорение силы...

Номер патента: 172376

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Зильбер, Новиков

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, емкости, р—г-перехода, туннельного

...с указанным контуром эталонный колебательный контур. Плавно изменяя величину наггрякег 1 ия постоянного тока, смещаОт рабочую точку диода в направлении экстремальной области, непрерывно контролируя величину падения напряжешгя ца колебательцом контуре с диодом ц на эталонном контуре. Эквивалентное сопротивление эталонногоконтура выб 11 растся олпзкцм и соцротцвленшо диода, рабочая точка которого лежит в5 области первого максимума тока на вольтамцерной характеристике диода. В момент,1,ОГд 2 цап 1 эяжсццс ца диоде р 2 В 10 пап 1 эяжецшо ца эталс 1:1 ом колебательном контуре,т. е. КОГда соп 1 эотцвление дпод 2 1 эавцо экВПВалецтномУ соц 1 эотцвл".ПИ 10 этОГО 1 ОцтУ 1 эа, и,слсДОВатслцО, 1 эаООч 251 то 1 ка ДПОД 2 н 2 ходптся в...

Номер патента: 204695

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гребнев, Кривоносое, Русланов

МПК: G06G 7/62

Метки: двухбазового, диода, модель

...и Заявитель ланов, А. К, Гребнев и А. И. Кривоносов ЕЛЬ ДВУХБАЗОВОГО ДИОДА одели двухбазавых диодов, соа транзистора различного типа зси и коллектором транзистора 2 тг - р - и-ти па, причем эмиттерным выводом моделируемо го прибора служит эмиттер фототранзисторз 1, первой базой - соединение базы фототран 5 зистора 1 и коллектора транзистора 2, а второй базой - эмиттер транзистора 2. ая модель отличается от известв ней в качестве одного ив эленен фоточувствительный траняет расширить функциональныемодели.е приведена схема модели,и база фототранзистора 1соединены соопветственно с ба 0 Применение фоточувствительного транзистора в качестве элемента модели двухбазо.вота диода. Известны м держащие,дв проводимости Предложен ных тем, что...

Номер патента: 207974

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Пудриков

МПК: H03K 3/28

Метки: двухбазового, диода, мостового, мультивибратор, типа, эквиваленте

...5 и (О будет происходить неодновременно.Поэтому период повторения импульсов будет определяться при одинаковых уровнях заряда конденсаторов 4 и 9 максимальной постоянной времени, так как транзистор, открывшийся ранее, не вызовет регенеративного процесса в связи с тем, что второй транзистор будет заперт и цепь положительной обратной связи будет разомкнута. В момент отпирания второго транзистора возникает регенеративный процесс включения эквивалента двухбазового диода, в конце которого оба транзистора 5 и 10 полностью открываются и входят в насыщение. В течение импульса транзисторы 5 и 10 находятся в насыщенном состоянии, а конденсаторы 4 и 9 разряжаются. Когда ток разряда конденсаторов 4 и 9 перестает обеспечивать удержание...

Номер патента: 236628

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Гуревич

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, емкости, туннельного

...ключевой усилитель 3 постоянного тока, схему 4 сброса ТЛ в исходное состояние, интегрирующий каскад 5 (ди. одно-емкостная ячейка), генератор коммутирующего тока с отсчетным прибором б и сопротивление 7 обратной связи. Измеряемый диод используется в схемевольтметра в качестве дискриминатора. В исходном состоянии рабочая точка на характеристике ТД (см. фиг. 2) устанавливается 5 вблизи точки с,=1 что фиксируется по наличию тока в цепи обратной связи, При подаче импульсов напряжения от генератора 2 ТД из устоичивого состояния, соответствующего ветви ОЛ, переходит в новое устойчивое со стояние, соответствующее ветви И,. Ключевой усилитель срабатывает, и происходит заряд емкости диодно-емкостной ячейки, В результате вырабатывается ток...

Номер патента: 240111

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Носов, Цыбульников

МПК: H01L 21/383

Метки: быстродействующего, диода, кремниевого

...необходимо повышать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - а-перехода. С другой стороны, для уменьшения емкости диода и увеличения пробивного напряжения необходимо снижать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - п-перехода, так как это вызывает уменьшение градиента концентрации акцепторов в нем,Для выполнения указанных противоречивых требований предлагается проводить диф фузию в три стадии. Режим первой и второйстадии выбирают по известным соотношениям так, чтобы поверхностная концентрация не была слишком большой. Это обеспечивает малую емкость, Затем проводят третью ста дию, при которой поверхностная концентрация увеличивается до значения, соответствующего предельной растворимости (выше 5 10 с см - в), но...

Номер патента: 272358

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Пудриков

МПК: H03K 3/335

Метки: двухбазового, диода, мультивибратор, эквиваленте

...частоты следования импульсов.Принципиальная схема мультивибра а эквиваленте двухбазового диода дана теже. атор содержит транзистор 1 транзистор 2 р - гг - р-типа, д времязадающей ЯС-цепочки, времязадающей ЯС-цепочки, сонагрузки второго р - и - р опротивление б верхнего плеча яжения, сопротивление 7 нижителя напряжения, конденсатор роводниковый диод 9 связи. 30 Предлагаемый мультивибратор работает следующим образом,В момент отпирания транзистора 1 н резкого возрастания его коллекторного тока, приводящих к значительному увеличению коллекторного тока транзистора 2, перепад напряжения, возникший на сопротивлении б, передается на базу транзистора 1 через конденсатор 8 связи. Такая передача осуществляется до тех пор, пока потенциал коллектора...

Номер патента: 337793

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лтеет, Минц

МПК: G06G 7/62

Метки: включении, диода, модель, обратном, полупроводникового, тепловая

...диоду в обратномвключении можно применить исходную систему уравнений, предложенных для терморезисторов, учитывая также уравнение для тока 5 Ун. Кроме того, целесообразно рассматриватьв качестве выходной величины не изменение сопротивления Яа изменение общего тока тд, так как в этом случае на изменение величины измерительного тока, влияет не только 20 изменение сопротивления но и тока 1,.Рассмотрим исходные уравнения"о - о з1+о3 То - 0 о Целесообразней в данном случае в качестве выходной величины использовать величинуПриведенную систему уравнений отражает приведенная на чертеже телловая модель полупроводникового диода в обратном включении. где Р, - мощность, потребляемая диодом,Р, - мощность, рассеиваемая в окружающую среду,Ры -...

Номер патента: 339243

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Егорова, Касаткина, Маслов, Юрлова

МПК: H01L 21/283

Метки: диода, переключающего

...анафореза - электроосаждением частиц полупроводникового стекла из суспензии на положительно заряженный электрод под действием постоянного электрического тока. Дисперсионной средой для суспензии служит ацетон, в котором полупроводниковое стекло находится во взвешенном состоянии в виде частиц меньше 1 мк. Это позволяет сохранить исходный химический состав стеклообразного 5 полупроводника и увеличить адгезию.Технология изготовления переключателейсостоит в следующем:навеску полупроводникового стекла измельчают на вибромельнице и из полученной пас ты готовят суспензию плотностью 1,34 гlсм;на омический контакт прибора осаждают спомощью электричества из суспензии капле- видный слой полупроводникового стекла, толщина которого зависит от...

Номер патента: 366425

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Выменец

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, туннельного, удельного

...с большой точностью.Целью изобретения является пие точности изме 1 рений.Предложенное устройство содержит копирующий усилитель, вход которого непосредственно соединен с измерителем тока максимума, а выход - с измерителем тока максимума через токоограничительный резистор.На чертеже схематичесии изображено предложенное устройство для измерения удельного тока туннельного диода.Устройство содержит измеритель 1 тока максимума, копирующий усилитель 2, измеряемый туннельный диод 3, токоограничительный резистор 4,Измеритель 1 тока максимума вырабатывает переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна току максимума. Это напряжение подается через токоограничительный резистор 4 на входную и выходную клеммы копирующего усилителя 2 (т,...

Номер патента: 379968

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03B 7/06

Метки: ганна, диода, параметрами

...Ганина, то при увеличении ро от нулядо ро=101 о см- частота усиления, обеспечиваемая предлагаемым способом при заданной З 5длине образца, также возрастает в 30 раз,т. е, расширяется частотный диапазон усиления,С другой стороны, выходная мощность диода Ганна пропорциональна квадрату длины 40диода. Поскольку при рю - 101 о ем вта же частота колебаний достигается при длине образца примерно в 30 раз большей, то выходнаямощность диода возрастает за счет увеличения длины примерно на три порядка. Кроме 45того, электронно-дырочные пары ограничивают максимальное поле в домене. Прип,=р,= 10 см - зпмаксимальное поле вдомене составляет всего около 20 кв/см. Притаких полях в домене пробой не развивается, 50т. е. инжекция электронно-дырочных пар...

Номер патента: 437029

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Выменец, Киршнер

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, туннельного, удельного

...обратно пропорциональна сопротивлению резистора 5.Блок 6 обладает тем свойством, что его выходной переменный сигнал обратно пропор.30 ционален входному воздействию,437029 20 Предмет изобретения Составитель В, АвдонинРедактор А. Зиньковский Текрсд А. Дроздова Корректор Л. Котова Заказ 4412 Изд. И 307 Тираж 708 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, уК, Раушская наб., д. 45Типография, пр. Сапунова, 2 При измерении удельного тока диода 1 регулируют входное воздействие блока 6 до техпор, пока на выходе копирующего усилитсля2 не установится заранее выбранное напряжение, определяемое источником опорного напряжения 10. Достижение этого напряженияфиксируется по нуль-индикатору...

Номер патента: 438945

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Смотрицкий

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, пикового, туннельного

...стрелки вольтметра и считывания с учетом возможного изменения пикового тока при очередном переключении туннельного диода. Поэтому возможности известного устроиства ограничены и исключено его применение для измерения быстроменяющегося пикового тока ТД, например, при определении влияния вибрации, температуры на ТД,Целью изобретения является уменьшение погрешности измерения меняющегося во времени пикового тока и исключение влияния величины входного сопротивления измерительп 11 438945438945 Составитель Т. ДозоровТехред Л. Акимова Редактор Т. Орловская Корректор И. Позияковская Заказ 3706/20 Изд,134 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раугпская наб.,...

Номер патента: 449342

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Хитрово

МПК: G05F 1/56

Метки: диода, работы, режима, стабилизации, туннельного

...диод, зашунтировапный конденсатором, - к точкесоединения соответствующего полюса источника питания с одним из электродовтуннельного диода, через первый резисторк другому полюсу источника питания и через другой резистор - к коллектору второ-го транзистора, база которого подключенанепосредственно к коллектору первого транзистора и через третий резистор - к точкесоединения первого резистора со вторымполюсом источника питания, а эмиттер вто-рого транзистора подключен через стабилитрон к указанной точке соединения,Па чертеже представлена принципиальная схема устройства стабилизации режима работы туннельного диода, которое содержит стабилизируемый туннельный диод 1, транзистор 2, транзистор 3, тип проводимости которого противоположен типу...

Номер патента: 450310

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Барков, Безлюдова, Еренбург

МПК: H03F 3/04

Метки: держатель, диода, свч

...конденсатора, на которую, наприцер, цетодоц вжигания нанесены последовательно диэлектрический 2, проводящий 3 и резистивный Ф слои. Проводящий слоИ служит другой обкладкой блокиоовочного конденсатора. Резистив ный слой резистора цепи питания СВЧ диода контактирует с пластиной и проводящиц слоем. Резистор цепи питания СВЧ диода выполнен в виде кольца, охватывающего диод. К проводящецу слов припаян проводник 5 цепи питания СВЧ диода.При сборно в корпус б устрой450310 фи 3ства вставляют плату 7 с отрезком СВЧ линии 8, а затем СВЧ диод 9 в диэлвктричвскоИ обойме 10,которйИ одним из торцов своего корпуса при жимается к СВЧ линии 8, В пазы корпуса 6 вставляют пластину 1 двр жатвля, предварительно изогнутую по радйусу, так, что...

Номер патента: 460454

Опубликовано: 15.02.1975

Авторы: Ештокин, Соллогуб

МПК: G01K 7/22

Метки: диода, лавино-пролетного, перехода, р-п, температуры

...сопротивлении перехода ЗО 2тносительно корпуса, обусловленного рассеиаемой на переходе мощностью Р=У , где У и- соответственно, напряжение и ток пеехода, тогда Т= Т+ Я,У тде Т, - температура перехода диодТ - температура корпуса диодаР, в теплов сопротивление,Величину теплового сопротивленио определить по формуле:р н гвв, цвде р - температурный коэффициентия на переходе,Приращиода ЛУ1 и темпеПриращоющейся е ЛТ - приращение температуры корпуса При питании р-и перехода диода от неизменного напряжения АУ=О, тогда из (3) и(7) Составитель Н, НикитинТехред Е. Борисова Корректор И. Позняковская Редактор Е. Семанова Заказ 612 Г 14 Изд.1080 Тираж 740 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 463074

Опубликовано: 05.03.1975

Автор: Выменец

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, измеритель, тунельного, удельного

...6, регулируемый источник напряжения 7, резистор 8,Измеритель тока максимума 3 выдает переменное напряжение, амплитуда которого пропорциональна току максимума туннельного диода 1. Благодаря равенству входного и выходного потенциалов оппрующего усилителя 2 суммарный ток, протекающий через туннель ЫЙ ДИОД, ВХОДНОС СОПРОТИВЛЕНИЕ гвх КОПИРУ- ющего усилителя и резистор 8, оказывастся прямо пропорциональным току максимума туннельного диода и равным току через токоогра 1 ич 11 ва 1 О 1 ций резистор 4. На выходе корректирующего усилителя 5 при этом устанавливается некоторое напряжение, величина которого сравнивается с напряжением, полу 1 гсмым от регулируемого источника напряжения 7, Напряжение источника 7 увеличивается до тех пор, пока...

Номер патента: 475691

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Коротков

МПК: H01B 5/14, H01L 23/02

Метки: диода, патрон, туннельного

...генерации достигается выполнением контактных элементов в виде колпачков с винтовой нарезкой, установленных ца металлических вкладышах, между которыми размещена токопроводящая шайба, отделенная от одного из вкладышей диэлектрической прокладкой.На чертеже изображен описываемый патдиода в схему, вып3 с винтовой нарезкталлических вкладыудерживаются в обоконтакт между вклада обеспечивается вшами размещена швкладыша 4 диэлекОбкладками кондедиод, служат шайбаАналогично можедля диода, которыйной генерации шунтсопротивлением. тзоб ет Предметр енияПатрон для туннельного диода, выполненный в виде цилиндрической обоймы, с противоположных сторон которого размещены коц- О тактные элементы, служащие для включениядиода, о т л и ч а ю щ и й с я...

Номер патента: 568912

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Калинин, Пронская, Пчельников, Федоренчик

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, статической, туннельного, характеристики

...с кристаллом в корпусе диода 2.Однако известный способ ухудшает высокочастотные свойства диода в процессе его дальнейшей эксплуатации. тчослтся к области измере к полупроводниковых приго изобретения является измерений за счет созда- емкости туннельного дио- СВЧ возбуждение и не ухудшающеи его своиств в процессе эксплуатац,ии,Это достигается тем, что по предлагаемому способу црибор погружают в электропроводную жидкость, например в насыщенный раствор соли или щелочи.Реализация описываемого способа заключается в снятии статической характеристики, надример, с помощью иэменения тока через туннелыный диод, и регистрации напряжения на нем. Туннельный диод,при этом погружают В электропроводную жидкость.Лучших результатов достигают при погру...

Номер патента: 630600

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Белов, Калмычков

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, токов, туннельного, экстремальных

...11 строб-импульса, резистор 12.Задающий генератор 2 подключен к управляющему источнику тока 3, в цепь которого последовательно включен токосъемный резистор 7 и исследуемый диод. Анод диода соединен с дискриминатором 4 перепадов, выход которого подключен к источнику регулируемого тока 3 и генератору строб-импульса 11, связанному с электронным ключом 9 и источником регулируемого тока 3.К токосъемному резистору 7 подключен операционный усилитель 8, соединенный через электронный ключ 9 с запоминающим устройством 10, выход которого связан с индикатором 6, инвертирующим входом операционного усилителя 8 и через резистор 12 с анодом диода 1.Работа устройства осуществляется следующим образом.Цикл измерения тока птах начинается подачей на...

Номер патента: 693495

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Аксельрод, Беседа, Иванова

МПК: H01P 1/15

Метки: диода, крепления

...5, на поверхности которого, обращенной к основанию корпуса 1, выполнен кольцеобразный выступ 6 треугольной формыв радиальном сечении, при этом фланец 5прижат к основанию корпуса 1 втулкой 7,соединенной с помощью резьбы с корпусом 1,Устройство работает следующим образо м эДиод 8 вставляется в отверстие цанги 2. На цангу 2 надевается шайба 9с малым коэффициентом трения и муфте 3,Муфта 3 прижимается к цанге 2 накиднойгайкой 4. Нижняя часть цанги 2 с фланцем 5 разрезана осевым пазом на глубину вывода диода. Муфта 3 своей внутрендс, 6 ЙЛ 4 Мз 4ней конусной поверхностью скользит по нин, внутри которого установлена панга йаружной конусной поверхности цанги 2 с муфтой, поджатой накидпой гайкой, и обжимает контакт диода 8, создавая о т л и...

Номер патента: 739673

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Беседа, Иванова, Умов, Шапиро

МПК: H01P 1/00

Метки: диода, крепления

...сверху; на фиг, 2 - разрез А-А фиг. 1.3 739673 аУстройст 66 для крепления дйода" содер- Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яжит расположенные в смесительной камере 1 элементы 2 закрепленйя одного из 1. Устройство для крепления диода, навывсдов 3 закрепляемого диода 4 и эле- пример, в смесительной камере устройствменты закрепления другого вывода 5 дио СВЧ техники, содержащее расположенныеда, выполненные в виде втулки 6, нажим-в полости камеры элемечты закрепленияного винта 7, связанного с гайкой 8 (резь- одного вывода диода, элемент закреплениябовым отверстием камеры 1). Втулка 6 другого выводадиода - диододержатель,выпопнена переменного сечения с продоль- выполненный в виде втулки с отверстиемными прорезями 9 торца с конусной по О...

Номер патента: 920581

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ашмонтас, Лапинскас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперной, диода, идеальности, коэффициента, характеристики

...(ВАХ) диода путем подачи на него импульсов тока и измерения отклонения. реальной ВАХ от иде-.альной (1) .Однако этот способ позволяет измерять коэффициент идеальности ВАХ диода только при больших напряжениях, когда ток, текущий через диод, значительно превышает ток насыщения.Наиболее близким по техническс 1 й сущности к предложенному является способ определения коэффициента идеа льности ВАХ диода путем подачи на диод постоянного смещения, малого переменного напряжения и измерения дифференциального сопротивления диода при двух различных напряжениях смещения (2 .Однако точность данного способа снижается при малых смещениях, ког.па ток, текущий через диод, не пре" вышает тока насыщения. Кроме того, известный способ требует измерения...

Номер патента: 942252

Опубликовано: 07.07.1982

Автор: Фендриков

МПК: H03K 5/04

Метки: диода, заряда, импульсов, коротких, накоплением, помощью, формирования

...тока Ъ выбирают совпадающим с направлением прямого тока ДНЗ, вследствие чего в течение пер942252 Филиал ППП Патент, ,Ужгород,ул. Проектная вого и всех последующих нечетных полупериодов колебаний в ДНЗ накапливаетсязаряд. В течение второго и всех четныхполупериодов колебаний происходит рассасывание заряда в ДНЗ. Однако полного 5рассасывания заряда не происходит вследствие уменьшения амплитуды тока от одного полупериода к другому. ДНЗ в любоймомент времени в течение длительностиуправляющего импульса находится в заряОженном состоянии,По окончании управляющего импульсачерез ДНЗ пропускают затухающие колебания тока д протиповоложного направления (знак первого полуколебания совпа-дает с обратным током ДНЗ). Под дей Фствием первого же...

Номер патента: 957135

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Гудзь, Ясинский

МПК: G01R 31/26

Метки: диода, лавинно-пролетного, сопротивления, теплового

...При выбранном оптимальном токе питания диода лавинный пробой не охватывает всю площадь р-и перехода, температура которого одного порядка с температурой корпуса диода, т.е. физические условия, при которых производятся измерения. Кт, существенно отличаются от условий работы диода в СВЧ устройствах, когда лавинный пробой охватывает всю площадь р-и перехода, а его температура превышает температуру корпуса диода на 150 в 2 С. Вследствие этого в известном устройстве не учитывается температурная зависимость коэффициентов тепло- и температуропроводности, что важно для точной оценки величины предельной тепловой мощности, которую можно рассеять в конкретном ЛПД,Целью изобретения является повышение точности измерений. Поставленная цель...

Номер патента: 974305

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Лукаш, Самойлов

МПК: G01R 31/26

Метки: ганна, диода, рабочего, слоя, температуры

...на границах рабочегослоя опредвляют по совпадению пороговых параметров импульсных вольт - амперных характеристик, измеренных соответственно при положительной и отрицательной полярностях импульсногонапряжения при внешнем нагреве диодас одноименными пороговыми параметрами при рабочем импульсном напряжениисмещения, измерительными с помощьюизмерительных импульсов той же полярности, после чего определяют для диода содносторонним отводом тепласредний градиент температуры в рабочем слое, а для диода с двухсторонним отводом тепла - тепловоесопротивление между границей рабочего слоя, на которую подан положительный рабочий потенциал греющегоимпульса напряжения и ближайшемтеплоотводящимэлектродом. Тепловоесопротивление самого...

Номер патента: 1027845

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Лудри, Уткин

МПК: H05K 7/02

Метки: диода, крепления

...контактный лепесток контактного колпачка от электрической цепи.Цель изобретения - повышение надежности крепления диода и удобствоэксплуатации устройства,Поставленная цель достигается тем,что устройство для крепления диода,содержащее корпус с контактным элементом, подпружиненный стержень и механизм его поджима, выполненный в виде цилиндрической втулки с подпружиненным контактным колпачком, снабжено подпружиненной втулкой и двумяцангами, одна из которых размещенана корпусе, а другая - на подпружиненном стержне, приэтом цанга, размещенная на подпружиненном стержне,выполнена с конической наружной поверхностью, на которой установленаподпружиненная втулка.Контактный колпачок выполнен в виде винта.На чертеже представлено устройство,...

Номер патента: 1030887

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Владимирова, Иванченко, Климов, Самохвалов

МПК: H01L 29/47

Метки: диода, кольцом, охранным, шоттки

...с барьером Шоттки.Устранение утечек приводит к уменьшению абсолютной величины токов призаданном напряжении и к увеличению зависимости прямого тока от приложенного напряжения 2 3Однако этот способ довольно сло 50жен, а диоды, изготовленные этимспособом, имеют ограниченный частотный рабочий диапазон вследствиепараллельного включения емкости р-пперехода охранного кольца.Целью изобретения является упрощение изготовления и расширение частотного диапазона диода. 3Эта цель достигается тей, что согласно способу изготовления диода Шоттки с охранным кольцом, включающему нанесение на полупроводниковую пластину и-типа проводимости тылового омического контакта, формирование диэлектрического слоя и охранного кольца и электрохимическое осаждение...

Номер патента: 1084700

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Виненко, Усанов

МПК: G01R 27/04

Метки: диода, полного, свч, сопротивления

...и прошедшего черезнего СВЧ-сигнала при последовательном резонансе 23.Однако известный способ не позволяет производить измерения в широком диапазоне частот,,Цель изобретения - расширениедиапазона частотдля достижения поставленной цели 45согласно способу определения полного сопротивления СВЧ-диода, заключающемуся в подаче на исследуемый СВЧдиод, установленный ве стержневом,цержателе в линии передачи, напряже"ния обратного смещения и СВЧ-сигнала и измерении частотыо,последовательного резонанса исследуемого СВЧдиода и стержневого держателя и отношения Т падающего и прошедшегочерез него СВЧ-сигнала при последовательном резонансе, дополнительноизмеряют отношение Тг падающегои прошедшего через исследуемый СВЧдиод СВЧ-сигнала и...