Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
414658 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(61) Зависимое от авт. свидет ьства -01 г 19 О 051 3/00 22) Заявлено 10.07.72 (21) 1812264/2 присоединением заявки-осударственныи комитетСаввта Министров СССРоа делам изобретенийз открытий 32) ПриоритетОпубликовано 0 53) УДК 621 382 002.02.7 ень Ле 3.10.74 юлле та опубликования описани 2) Авторы обретения. Колегаев и Г. Ф. Кравченк Г. В. уд ганрогский радиотехнический институт 71) Заявите ОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗНАКОВ СОВМЕЩЕНИА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИ НЕ ет изобретенлнения знаковковой пластине,чающий предвариление паверхностм, что, с цельюсовмещения к оысокой контрастн Предм1. Способ выпо 25 на полупроводнкремниевой, вклю лированпе и окис отличающийся те стойкости знаков зо обеспечения их в совмещениянапример тельное пои пластины, повышения кислению и ости по отИзобретение относится к технологии производства компонентов радиоаппаратуры, в частности интегральных микросхем.Известен способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине, например кремниевой, включающий предварительное полирование и окисление поверхности пластины, а затем сквозное избирательное травленис пленки двуокиси кремния по определенному рисунку. При совмещении фотошаблона с пластиной используют оптический контраст разности отражения светового потока от поверхности пленки двуокиси кремния и микроуглублений.Однако сполученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.Цель изобретения - повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыдают в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них дислокаций.Согласно данному способу предварительнополированные и окисленчые полупроводниковые пластины, например кремниевые, подвергают местному электроннолучевому нагреву по заданному рисунку. Режим электроннолучевой 10 сбработкп подбирают таким образом, чтобыв припозерхностных слоях пластины формировались днслокационные области с плотностью дислокаций выше 1.10 см -. Затем методом фотолитографии в обработанных электронным 16 лучом областях пластины в окисном слоевскрывают по заданному рисунку окна и обнаженные участки поверхности пластины матируют путем вытравливания на них дислокаций. Травитель может быть составлен из 20 1 вес. ч. НГ и 2 вес. ч, 25,/о-ного раствора СгОзв воде.414658 Составитель Г ЧелейРедактор Б. федотов Техред Т, Уск":Заказ 397 Изд. ЛЪ 475ТиражЦНИИПИ Госудгрственного комитета 1,. Министрови о,скрытийМосква, Ж, Раугпская наб., д,Корректор Л, Царькова 760 Подписное СССР по делам изобретений 4/5 Тигографпя ЛЪ 4 Союзполиграфпрома, Мзсьза. 121019, ул. Маркса - Энгельса, 4 ношению к окисному слою, в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области, затем методом фотолитографии вскрыва 1 от в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки позерхности пластины путем вытравливания наних дислокаций.2. Способ по и. 1. отличающийся тем, чтодислокационные области формируют путем5 электронно-лучевой обработки пластины позаданному рисунку.
СмотретьЗаявка
1812264, 10.07.1972
Таганрогский радиотехнический институт
Г. В. Дудко, М. А. Колегаев, Г. Ф. Кравченко
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302
Метки: выполнения, знаков, пластине, полупроводниковой, совмещения
Опубликовано: 05.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-414658-sposob-vypolneniya-znakov-sovmeshheniya-na-poluprovodnikovojj-plastine.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выполнения знаков совмещения на полупроводниковой пластине</a>
Реперный знак и способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки
Номер патента: 1046734
Опубликовано: 07.10.1983
Авторы: Гревцев, Гриценко, Сажнев
МПК: G03F 9/00
Метки: знак, маски, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения
...знак 5 - для совмещения по углу М . Далее накладываютмаску на подложку таким образом,чтобы квадраты реперных знаковчастично перекрывались, и освещают ихкогерентным излучением, напримерлазерным лучом. Затем проводят собственно процесс совмещения путем грубой и точной ориентации маски иподложки.Процесс грубой ориентации осуществляют по принципу сравнения площадей периферийных участков 3 наподложке, неперекрытых квадратоммаски, Поскольку интенсивность дифрагированного излучения пропорциональна освещаемой световым пучком площади этой решетки, то величину смещения ДХ, ЬУ, йУцентров квадратовна маске (01)и подложке (02)можноопределить, измеряя Фотоприемникамии сравнивая интенсинность излучения, .дифрагированного на периферийныхучастках 3 в...
Устройство для задания границы трехмерной области
Номер патента: 729598
Опубликовано: 25.04.1980
Авторы: Бабордин, Самойлов, Скорик, Степанов
МПК: G06G 7/40
Метки: границы, задания, области, трехмерной
...решения трехмерных краевых задач конфигурация области определения задачи задается совокупностью 1), плоских гранейА,х + В у+ (Стг+ О. = 0, (1)729598 Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ 1261/42 Тираж 751 Подписное Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Известно, что отклонение б, точкис координатами (х , у, я) от плос"кости, заданной уравнениемах+ву+сг+6=0,(2)(1Ф где .о - .-, с -а -е: Р ь с з)ЕЕЕ 1определяется по формулед,.= а)х + в(у + с з + д; (4)Так как отклонение С).может быть с1разными знаками (в зависимости от взаимного расположения точки, плоскости и начала координат), на этапе предварительной подготовки задачи к решению необходимо для того, чтобы все б 5 были положительными, поменять знаки коэффициентов в уравнениях (2) для...
Устройство для установки знака в заданной точке
Номер патента: 519598
Опубликовано: 30.06.1976
Авторы: Лапин, Окунев, Рязанцев, Суриков
МПК: G01C 15/04
Метки: заданной, знака, точке, установки
...приводами 1,Устройство состоит из двух дисков. Каждый диск снабжен горизонтально расположенным винтом, При вращении одного винта верхний диск перемещается в направлении перемещения винта. При вращении второго винта перемещается второй диск совместно с первым в направлении перемещения второго винта, т,е, в направлении, перпендикулярном первому. Таким образом, центр геознака перемещаетсяна плоскости.При использовании устройства для перемещения с помощью винтового механизма, со 5 стоящего из двух винтов с самостоятельнымприводами, в условиях круглой скважины остаются значительные мертвые зоны, Крометого, необходимы два привода перемещения,что для узкой и глубокой скважины неприем 10 лемо.Цель изобретения - автоматизация...
Устройство для установки центра знака в заданной точке
Номер патента: 647527
Опубликовано: 15.02.1979
Авторы: Лапин, Рязанцев, Суриков
МПК: G01C 15/04
Метки: заданной, знака, точке, установки, центра
...винт 4, шпонку 5, корпус 6подшипника, герметичный уплотнитель 7изогнутый рычаг 8, прямой рычаг 9,центр знака с укрепленной стструну 11, шарнирные опорыраствор 13,;подшипник 14гатель 15, нижнюю полость 1ю полость 17.Устройство работает следующим одразом, Вращение от электродвигателя15 через ведущий шарнир 2 передаетсна ходовой винт 4, перемешаюшийся поступательно в резьбе втулки 3. Черезшпонку 5 вращение передается корпусу6 подшипника 14, В результате этогошарнир о рычажной системы 8 и 9 иходового винта 4 поступательно перемешается вверх или вниз по вертикали,при этом шарнир О качается в шарниреС и перемешается на угол апри полномходе Ь ходового винта 4, В результатеточка 10, перемещаясь по спирали, займет любое заданное положение....
Устройство для обучения навыкам обработки деталей путем снятия слоя материала с обрабатываемой поверхности
Номер патента: 1094047
Опубликовано: 23.05.1984
Авторы: Квичев, Попов, Руденко, Рычка, Стариков
МПК: G09B 19/24
Метки: навыкам, обрабатываемой, обучения, поверхности, путем, слоя, снятия
...правильности движений обучаемого, имеющий электрически соединенные через конечные выключатели 5 сигнальные лампы (не показаны).Устройство снабжено электродвигателем 6 и имитатором процесса искрения при шлифовании. Имитатор искрения состоит из установленной над плитой 4 пластины 7, связанной с корпусом 1 рабочего инструмента через пружину 8, и размещенного на пластине 7 под рабочим органом 2 твердо- сплавного вкладыша 9.Регистратор правильности движений име- . ет установленные в плите 4, которая выполняется из немагнитного материала, герконы 10 и закрепленный на пластине 7 над плитой 4 магнит 11. Герконы 10 расположены рассредоточено по плите 4, т. е, на некотором расстоянии один от другого, и электрически соединены с конечными...