Патенты с меткой «радиациопных»

Номер патента: 381300

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, отжига, полупроводнике, радиациопных

...(рабочееченский, Г, А. Качурин, . С, Смирновибирского отделения АН СССР ЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВОДНИКЕ го) подвергалась бомбардировке протонами (Е = 10 кэв,= 0,08 мка(см 2) в течение 132 миц. Контрольный образец защищался от воздействия протонов металлическим экраном.Методом ЭПР проводилось сравнение числа 1%-цетров, связанных с дефектами, вносимыми ионным внедрением (1 в контрольном и рабочем образцах. Оказалось, что контрольный образец содержал Ю-цетров в 10 раз больше, чем образец, облучсццый протоцамп.Электроцограммы дифракции электронов на отражение подтвердили существенное улучшение структуры слоя, аморфизированного предварительной бомбардировкой ионами аргона.П р и м е р 2. Аналогичный результат по низкотемпературцому восстановлен;по...